汤乃云
- 作品数：87 被引量：88H指数：6
- 供职机构：上海电力学院更多>>
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- 相关领域：电子电信理学电气工程自动化与计算机技术更多>>
- 锗纳米镶嵌薄膜的电致发光及其机制被引量：1
- 2001年
- 采用射频磁控溅射技术 ,在Ge纳米镶嵌薄膜的基础上制备出电致发光器件。器件的结构为半透明Au膜 /Ge纳米镶嵌薄膜 /p Si基片。当正向偏压大于 6V时 ,用肉眼可以观察到可见的电致发光 ,但在反向偏压下探测不到光发射。所测电致发光谱中只有一个发光峰 ,峰位在 5 10nm ( 2 .4eV ,绿光 ) ,并且随着正向偏压的升高 ,峰位不发生移动 ;对于不同温度退火的样品 ,峰位也保持不变。
- 董业民叶春暖汤乃云陈静吴雪梅诸葛兰剑王曦姚伟国
- 关键词：电致发光发光机制
- 基于二维材料制备的场效应晶体管
- 本实用新型涉及一种基于二维材料制备的场效应晶体管，包括从下到上依次布置的衬底、上表面具有下凹槽的二氧化硅介质层、以及布置在二氧化硅介质层上并覆盖住所述下凹槽的二维材料层，在二维材料层沿下凹槽走向的两端部区域分别设置有一个...
- 汤乃云马逸晨
- 文献传递
- 一种基于二维材料制备的场效应晶体管
- 本发明涉及一种基于二维材料制备的场效应晶体管，包括从下到上依次布置的衬底、上表面具有下凹槽的二氧化硅介质层、以及布置在二氧化硅介质层上并覆盖住所述下凹槽的二维材料层，在二维材料层沿下凹槽走向的两端部区域分别设置有一个有机...
- 汤乃云马逸晨
- 文献传递
- GaMnN铁磁共振隧穿二极管自旋电流输运以及极化效应的影响
- 2009年
- 通过理论计算研究GaMnN铁磁共振隧穿二极管自旋电流输运特性.理论结果表明在电流特性曲线上出现两个明显的自旋分裂峰.该电流自旋分裂峰和相应的自旋极化随温度的升高而逐渐减小消失.当进一步考虑到GaN异质结界面极化电荷影响时,自旋向下的电流共振峰得到明显增强,同时电流的自旋极化也得到相应的提高.在一定的极化电荷条件下,可以获得较高的自旋极化电流.
- 汤乃云
- 关键词：GAMNN铁磁共振隧穿极化效应极化电荷
- 一种基于石墨烯的肖特基柔性光伏器件
- 本发明涉及一种基于石墨烯的肖特基柔性光伏器件，该肖特基柔性光伏器件包括柔性衬底，在柔性衬底上生长形成石墨烯层与金属层，所述石墨烯层与金属层交叠放置，构成异质结结构；在所述石墨烯层上生长形成第一金属电极，在金属层上生长形成...
- 汤乃云
- 文献传递
- 一种可精准控制二维材料发光强度和峰位的发光器件
- 本实用新型涉及一种可精准控制二维材料发光强度和峰位的发光器件，包括衬底、生长在衬底上的二氧化硅介质层，以及生长在二氧化硅介质层且相互隔离的三块硅薄膜区域，所述三块硅薄膜中的其中两块上分别生长一个金属电极，另一块与其中一块...
- 汤乃云杨正茂
- 文献传递
- 一种基于拉曼散射无创血液酒精含量的检测方法及系统
- 本发明涉及一种基于拉曼散射无创血液酒精含量的检测方法及系统，所述检测方法包括以下步骤：采用透反射方式采集一组已知浓度的酒精溶液血液样品的拉曼散射光谱信息，建立血液酒精浓度与拉曼散射光谱的拉曼峰强度间的定量数学关系，形成校...
- 汤乃云崔明仁
- 文献传递
- 提高InAs/GaAs量子点半导体材料发光效率的方法
- 本发明公开了一种提高InAs/GaAs量子点半导体材料发光效率的方法，其特征在于本发明提出的离子注入方法区别于传统的离子注入技术中注入离子最终停留区域的选择。传统的离子注入技术应用中为了尽可能地减小因离子注入导致的缺陷增...
- 陆卫季亚林陈效双李志锋李宁陈贵宾汤乃云
- 文献传递
- 尺寸分布和界面混合对InAs/GaAs量子点光学性质的影响被引量：1
- 2008年
- 研究了自组织生长模式(S-K modes)下量子点尺寸的不均匀分布对量子点发光性质的影响,对其光致发光峰进行了拟合计算。研究发现,量子点尺寸的不均匀分布导致了量子点发光峰的展宽以及发光峰位的红移。另一方面,后处理工艺中的退火及质子注入引起的界面混合导致了量子点PL谱发光峰的蓝移及半高宽的减小。
- 汤乃云季亚林陈效双
- 关键词：量子点光致发光离子注入
- 一种基于金属纳米结构的光吸收增强型石墨烯晶体管
- 本发明涉及一种基于金属纳米结构的光吸收增强型石墨烯晶体管，包括由下到上依次设置的柔性衬底、金属电极层、介质层、石墨烯层及金属纳米颗粒层，在所述石墨烯层两端分别生长第一金属电极与第二金属电极，所述金属电极层为栅极，第一金属...
- 汤乃云
- 文献传递
