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欧阳思华

作品数：32 被引量：11H指数：2
供职机构：中国科学院微电子研究所更多>>
发文基金：中国科学院微电子研究所所长基金国家重点基础研究发展计划更多>>
相关领域：电子电信自动化与计算机技术文化科学更多>>

合作作者

文献类型

  • 23篇专利
  • 6篇期刊文章
  • 3篇会议论文

领域

  • 9篇电子电信
  • 3篇自动化与计算...
  • 1篇文化科学

主题

  • 5篇电容
  • 5篇晶体管
  • 5篇VEE
  • 5篇AGILEN...
  • 5篇测试系统
  • 4篇电源
  • 4篇电阻
  • 4篇异质结
  • 4篇势垒
  • 4篇特性参数
  • 4篇内置
  • 4篇内置电源
  • 4篇偏置
  • 4篇自动测试系统
  • 4篇下场
  • 4篇肖特基
  • 4篇结温
  • 4篇峰值结温
  • 3篇电压
  • 3篇虚拟仪器

机构

  • 32篇中国科学院微...
  • 1篇工业和信息化...

作者

  • 32篇欧阳思华
  • 31篇刘新宇
  • 21篇李艳奎
  • 15篇赵妙
  • 14篇郑英奎
  • 11篇魏珂
  • 8篇武锦
  • 6篇蒲颜
  • 5篇彭铭曾
  • 4篇王亮
  • 4篇阎跃鹏
  • 4篇王鑫华
  • 4篇庞磊
  • 4篇袁婷婷
  • 2篇陈晓娟
  • 2篇孔欣
  • 2篇刘果果
  • 2篇王兵
  • 1篇吴锦
  • 1篇黄俊

传媒

  • 3篇电子测量技术
  • 1篇半导体技术
  • 1篇电子学报
  • 1篇红外与毫米波...

年份

  • 1篇2019
  • 1篇2017
  • 1篇2016
  • 1篇2015
  • 5篇2014
  • 3篇2013
  • 7篇2012
  • 3篇2011
  • 2篇2010
  • 2篇2009
  • 6篇2008
共 32 条 记 录，以下是 1-10
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确定场效应管老化条件的方法、场效应管老化方法及场效应管筛选方法
本发明公开了一种确定场效应管老化条件的方法、一种场效应管老化方法及一种场效应管筛选方法，可以通过在预设的老化台温度下，为场效应管施加多个不同直流功率，并检测与直流功率对应的峰值结温，从而获得老化台温度、直流功率与峰值结温...
赵妙刘新宇郑英奎欧阳思华李艳奎
文献传递
一种GaN基半导体器件欧姆接触高压可靠性的评价方法
本发明公开了一种GaN基半导体器件欧姆接触高压可靠性的评价方法，包括：在待检测GaN基半导体器件上形成多组传输线测试图形，每组传输线测试图形包括多个相同的、间隔分布的电极；采用金丝将所述多组传输线测试图形串联；获取单组的...
赵妙刘新宇魏珂孔欣王兵郑英奎李艳奎欧阳思华
文献传递
基于方波导的2×2单面双鳍线阵的制作方法
本发明公开了一种基于方波导的2×2单面双鳍线阵的制作方法，包括：建立2×2单面双鳍线阵的仿真模型，对该仿真模型进行仿真得到2×2单面双鳍线阵的散射特性；将Klopfenstein理论应用在鳍线结构中，根据数值迭代方法得到...
武锦欧阳思华刘新宇阎跃鹏
文献传递
基于Agilent VEE的GaN HEMT内匹配微波测试系统
GaN HEMI微波内匹配大功率器件，因其具有体积小、重量轻、输出功率大、工作温度高等方面的优势，将在各类通信、雷达、导航等设备中得到了广泛的应用，特别是在航空、航天、相控阵雷达等特殊领域要求整机小型化方面，具有较大的应...
Sihua Ouyang欧阳思华Qin Ge戈勤Yingkui Zheng郑英奎Xiaojuan Chen陈晓娟Xinyu Liu刘新宇
关键词：高电子迁移率晶体管氮化镓材料
一种多偏置下场效应晶体管栅漏电容的测试方法
本发明公开了一种多偏置下场效应晶体管栅漏电容的测试方法，该方法采用HP6624A的一路电源提供Vsg端口的电压，手动调节电压对Vsg端口进行扫描，同时采用HP4284A内置电源提供Vdg端口电压的自动扫描，获得多偏置点下...
王亮蒲颜袁婷婷欧阳思华庞磊刘果果魏珂刘新宇
GaN基器件肖特基接触可靠性的评价方法
本发明公开了一种GaN基器件肖特基接触可靠性的评价方法，包括：采集待测GaN基器件在不同温度下的电流‑电压特性曲线；根据待测GaN基器件在不同温度下的电流‑电压特性曲线，获得待测GaN基器件的串联电阻随温度的变化曲线及其...
赵妙刘新宇郑英奎李艳奎欧阳思华
文献传递
基于虚拟仪器的HBT器件自动测试系统
2008年
由材料特性和结构特点所决定,异质结双极型晶体管(HBT)具有高的开关速度、截止频率、电流增益和输出功率。但是,在实际测量的过程中,涉及多台仪器间的协同工作,仪器的手动操作、测试数据的采集、保存和共享成为横亘在评估HBT器件性能间的一道屏障。在改进传统测试的基础上,通过搭建基于LAN的虚拟仪器构架,介绍了一种自动化整体评估HBT器件性能的方法。这套系统很好地解决了测试数据的快捷传输,实现了测试过程的自动化,加快了测试速度。
欧阳思华武锦李艳奎刘新宇
关键词：虚拟仪器自动测试系统
确定场效应管老化条件的方法、场效应管老化方法及场效应管筛选方法
本发明公开了一种确定场效应管老化条件的方法、一种场效应管老化方法及一种场效应管筛选方法，可以通过在预设的老化台温度下，为场效应管施加多个不同直流功率，并检测与直流功率对应的峰值结温，从而获得老化台温度、直流功率与峰值结温...
赵妙刘新宇郑英奎欧阳思华李艳奎
文献传递
一种GaN基半导体器件欧姆接触高压可靠性的检测方法
本发明公开了一种GaN基半导体器件欧姆接触高压可靠性的检测方法，包括：在待检测GaN基半导体器件上形成多组传输线测试图形，每组传输线测试图形包括多个相同的、间隔分布的电极；采用金丝将所述多组传输线测试图形串联；获取单组的...
赵妙刘新宇魏珂孔欣王兵郑英奎李艳奎欧阳思华
文献传递
基于方波导的2×2单面双鳍线阵的制作方法
本发明公开了一种基于方波导的2×2单面双鳍线阵的制作方法，包括：建立2×2单面双鳍线阵的仿真模型，对该仿真模型进行仿真得到2×2单面双鳍线阵的散射特性；将Klopfenstein理论应用在鳍线结构中，根据数值迭代方法得到...
武锦欧阳思华刘新宇阎跃鹏
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