杨闻操
- 作品数：2 被引量：11H指数：1
- 供职机构：厦门大学更多>>
- 发文基金：中央高校基本科研业务费专项资金国家自然科学基金国家高技术研究发展计划更多>>
- 相关领域：电子电信理学更多>>
- ZnO/MgO(011)的异质外延与特性
- 2013年
- 本文着重研究ZnO薄膜在MgO(011)衬底上的生长行为。利用分子束外延法(MBE)在MgO(110)衬底上生长ZnO薄膜,通过原子力显微镜(AFM)和扫描电子显微镜(SEM)表征了其表面形貌,利用X射线光电子能谱学(XPS)对薄膜的组分进行深度分层剥析,并采用透射谱(XL)研究了其光学性质。结果显示,薄膜以三维模式生长,而且薄膜表面平整度受到衬底温度的影响;而所生长的薄膜均显示了ZnO透射谱的特征峰,特征峰的位置几乎不受衬底温度的影响。不同生长时间段的薄膜结构的演变过程也通过原位的反射高能电子衍射(RHEED)和原子力显微镜进行了考察。XPS分层组分分析发现,在ZnO薄膜生长过程中,Zn离子会扩散到MgO(110)衬底之中。
- 耿伟王惠琼周华杜达敏杨闻操陈嘉琪陈晓航詹华瀚康俊勇
- 关键词：氧化镁氧化锌AFMSEMXPS
- 高AI组分Ⅲ族氮化物结构材料及其在深紫外LED应用的进展被引量：11
- 2013年
- 随着高Ga组分Ⅲ族氮化物相关研究的日趋深入和生长技术的日益成熟,人们逐渐将研究重心转向具有更宽带隙的高Al组分Ⅲ族氮化物。该材料常温下带隙宽至6.2 eV,可覆盖短至210 nm的深紫外波长范围,具有耐高温、抗辐射、波长易调控等独特优点,因而是制备紫外发光器件的理想材料。目前,高Al组分Ⅲ族氮化物材料质量不高,所制备的深紫外LED发光器件仍存在内量子效率、载流子注入效率和沿c轴方向正面出光效率较低的难题,因而制约了高效紫外发光器件的制备。本文着重介绍了近年来在高Al组分Ⅲ族氮化物生长动力学方面的研究进展,总结和梳理了量子结构设计、内电场调控以及晶体场调控等方面的相关研究,以期实现高质量深紫外LED的制备。
- 陈航洋刘达艺李金钗林伟杨伟煌庄芹芹张彬彬杨闻操蔡端俊李书平康俊勇
- 关键词：ALGANALNMOVPE
