杜光天
- 作品数：8 被引量：3H指数：1
- 供职机构：中国科学院上海应用物理研究所更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：核科学技术更多>>
- 多靶位强流溅射负离子源的研制
- 一.引言串列加速器用于AMS研究时,需要测定极其微量的同位素比率,为了能以尽量少的样品达到高的灵敏度,对离子源有特殊要求,如束流强,记忆效应小,电离效率高,样品用量少,更换样品迅速等。目前国内外用于AMS的负离子源主要有...
- 斯厚智张维忠朱锦华杜光天张苕荣高香
- 文献传递
- 用于EBIT装置的小型MEVVA源及其离子注入实验
- 2008年
- 为给上海电子束离子阱（Electron Beam Ion Traps，EBIT）装置提供低电荷离子，我们研制了小型金属蒸汽真空弧（Metal Vapor Vacuum Arc，MEVVA）离子源，可产生多种金属以及半导体材料的低电荷离子。本文介绍小型MEVVA离子源的特性及其在上海EBIT装置上的离子注入实验。实验结果显示，合理控制注入参数可以使注入并被束缚在EBIT中的离子数密度达到10^8～10^9／cm^3。
- 朱丹峰杜光天郭盘林朱周侠朱希恺傅云清胡伟邹亚明
- 关键词：离子注入
- 用于上海EBIT的微型MEVVA源的设计及其初步试验
- 介绍用于上海EBIT(Electron Beam Ion Trap)的微型MEVVA离子源的结构设计。它的特点是对中和绝缘好,换靶和维护方便。源经初步试验表明,源的触发可靠,弧流达60 A以上,单脉冲引出的离子数可达10...
- 杜光天黄漫莉郭盘林黄建鸣周团团
- 关键词：绝缘
- 文献传递
- 用靶添加剂提高负溅射离子源流强的研究
- 1990年
- 用Hiconex834溅射负离子源研究了Cs_2CrO_4、CsF和CsI等靶添加剂。-定比例的Cs_2CrO_4既改善靶表面的铯覆盖又达到喷氧的效果,Fe^-、Ag^-和Cu^-的流强分别提高到纯铁、银和铜靶的10、6和3.5倍。此外,渗少量卤化铯到合适的金属靶内,可方便地制备强的相应卤素负离子束,用慕尼黑大学的高强度负溅射源,渗5％Fe_2O_3于铁靶中,使Fe^-流强提高了一倍。
- 杜光天
- 关键词：添加剂离子源
- 加速器多靶位离子源电动换靶装置
- 1999年
- 介绍一个利用单片机控制步进电机以完成离子源换靶动作的电控系统，采用新颖高低双电压电源驱动步进电机以及环形脉冲分配器并将几万伏高电位上的并行信号转变成串行信号，经光纤与地电位上的单片机实现通讯。
- 张继东杜光天朱锦华韩如吉
- 关键词：单片机加速器离子源电控系统
- AMS用多靶位强流溅射负离子源的研制被引量：3
- 1992年
- 一台用于超灵敏质谱(AMS)的带有多靶机构的强流溅射负离子源已经研制完成。为了满足AMS的特殊要求,源的设计着重解决提高流强、降低记忆效应及改善发射度等方面的问题,并且十分注意确保其性能的可靠性与稳定性。样机在试验台架上进行了一年多的调试并进一步作了改进。迄今已引出了10μA BeO^-、5μA Al^-、4.5μA Fe^-、350μA C^-以及其他十余个离子品种。100μA以下测得的归一化发射度约为2-4π mm·mrad·MeV^(1/2)。对记忆效应与电离效率也进行了初步测定。
- 斯厚智张维忠朱锦华杜光天张苕荣高香
- 关键词：负离子源溅射串列加速器
- 6MV串列静电加速器
- 1997年
- 介绍了上海原子核研究所自行设计、制造并于１９９２年投入运行的６ＭＶ串列静电加速器的设计特点、调试情况和运行状况。
- 赖伟全斯厚智朱锦华李民熙孙光奎邓雨生巢树煊韩如吉朱鸿昌林俊英王伟义杜光天
- 关键词：加速器质谱计静电加速器
- 装上新的自动换靶装置的负溅射源的总体试验及负集团束的研究
- 介绍在机械和电控方面做了重大改进的自动换靶装置装到改进过的源体的总体试验。集团束是目前核物理的研究特点，该文介绍用的源对C、Si和Al等元素进行集团束的研究结果。对影响集团束产生的因素及提高集团束流强的方法提出的见解。综...
- 杜光天张继东朱锦华斯厚智张维忠
