李国栋
- 作品数：6 被引量：6H指数：1
- 供职机构：华东师范大学更多>>
- 发文基金：上海-AM基金“上海－应用材料研究与发展”基金上海市教育委员会重点学科基金更多>>
- 相关领域：电子电信环境科学与工程经济管理更多>>
- MEMS电控动态增益均衡器芯片的制备方法
- 一种MEMS电控动态增益均衡器芯片的制备方法，包括14个工艺操作步骤：制备第一硅片和第二硅片；生长二氧化硅薄膜；淀积第一多晶硅层和第二多晶硅层；蚀去第二多晶硅层；去第一正胶；淀积第一氮化硅薄膜和第二氮化硅薄膜；淀积第三多...
- 赖宗声王连卫忻佩胜彭德艳李国栋汪绳武
- 文献传递
- 电可调光衰减器
- 一种电可调光衰减器，属微电子机械和光通讯器件技术领域，重掺杂硅衬底6、二氧化硅支臂5、氮化硅薄膜4、钛铂金电极3和18、空腔8构成电可调光衰减器芯片12，氮化硅薄膜4构成悬浮在空腔8上方的可动的光学窗口反射膜9，输入输出...
- 赖宗声朱自强杨震忻佩胜李国栋彭德艳
- 文献传递
- Kμ波段硅基MEMS可重构微型天线设计被引量：5
- 2006年
- 在硅衬底上设计了频率分别为11.7GHz和12.7GH的双波段缝隙天线,此设计利用RF-MEMS开关来实现天线的频率重构;天线结构紧凑、共平面波导馈电,采用IC工艺制作,为下一代无线通讯和天线集成具有重要的参考价值.采用3D电磁模拟软件HFSSR模拟了天线在低频和高频的反射损失分别为29.5dB和25dB;并且天线在低频和高频都有较高的辐射效率.
- 郭兴龙蔡描刘蕾李国栋赖宗声
- 关键词：硅衬底MEMS开关
- MEMS电控动态增益均衡器芯片的制备方法
- 一种MEMS电控动态增益均衡器芯片的制备方法，包括14个工艺操作步骤：制备第一硅片和第二硅片；生长二氧化硅薄膜；淀积第一多晶硅层和第二多晶硅层；蚀去第二多晶硅层；去第一正胶；淀积第一氮化硅薄膜和第二氮化硅薄膜；淀积第三多...
- 赖宗声王连卫忻佩胜彭德艳李国栋汪绳武
- 文献传递
- 一种新型可调式微机械光衰减器被引量：1
- 2004年
- 讨论基于抗反射结构(Mechanical Anti-Reflection Structure,MARS)的硅基微机械式光衰减技术的基本原理和相关的制造方法,研制了一种工作在1320-1550nm波长范围内的静电力驱动的可调式微机械光衰减器.制各该衰减器使用常规的硅平面工艺,制作简单,成本较低.器件体积小,响应速度快,可适应日益增长的波分复用(wavelength division multiplex,WDM)全光网的发展.
- 杨震李国栋彭德艳忻佩胜赖宗声朱自强
- 关键词：微光机电系统
- 逆风而行还是顺势而为?——不确定性与企业ESG投资
- 2024年
- 文章基于2009—2022年A股上市公司样本,探讨了中国经济政策不确定性与企业ESG投资间的非线性关系。研究发现:经济政策不确定性与企业ESG投资间存在“倒U”型关系;企业在不确定环境中面临的资源约束困境和保守观望情绪是“倒U”型关系形成的重要机制;企业ESG投资可以有效对冲经济政策不确定性风险,但这种对冲关系具有选择效应;“倒U”型关系在国有企业、西部地区企业和大型企业中更加敏感。经济政策不确定性与企业ESG投资间的“倒U”型关系可以更好助力企业的高质量发展。
- 李国栋蓝发钦国文婷
