李冬来
- 作品数：6 被引量：10H指数：2
- 供职机构：新疆大学物理系更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金新疆维吾尔自治区自然科学基金更多>>
- 相关领域：理学电子电信电气工程一般工业技术更多>>
- Zn_xCd_(1-x)S薄膜的性质及Zn_xCd_(1-x)S/CdTe异质结太阳电池被引量：1
- 1998年
- 采用丝网印刷方法制备了不同配比的ＺｎｘＣｄ１－ｘＳ多晶薄膜及异质结太阳电池．并利用Ｘ－射线衍射，光吸收分析技术和四探针测电导方法研究了薄膜的结构和性质，以及电池性能．
- 李冬来郑毓峰马忠权罗兰
- 关键词：光吸收异质结太阳电池
- 硒化共溅射Cu-In合金法制备CuInSe_2多晶薄膜被引量：2
- 2001年
- 用共溅射方法和固态源硒化法 ,分别合成了 Cu- In合金膜和 Cu In Se2 (CIS)多晶薄膜 ,并用XRD,SEM和霍尔效应测量技术 ,分别测量了两种薄膜的结构、表面形貌及其电学性质 .分析结果显示 ,Cu- In合金膜仅有单峰 ,晶面间距约 2 .13A,CIS薄膜的几个主峰与 PDF卡中的数据对应得很好 ,并且 (112 )峰有择优取向 .CIS样品的电学参数随着 Cu/ In比例和基片种类的不同而变化 ,面电阻从几个到几十个 Ω/□ ,面载流子浓度达 10 18/ cm2数量级 ,迁移率在 0 .1～ 3.0 cm2 / V.s之间 .并讨论了 Cu/ In比例对两种薄膜性质的影响 ,分析结果显示 ,In占总溅射面积的 3%是 Cu/In比例的转折点 .此时 ,CIS薄膜的结构、PN导电类型都有明显变化 。
- 徐少辉马忠权李冬来简继康郑毓峰
- 关键词：电学性质半导体材料
- 共溅射CdTe掺Nd薄膜的结构和电导性能
- ＜正＞ 近年来,以二元和多元系复合半导体为基的多晶薄膜太阳电池引起人们极大的关注。研究最多的是以CuInSe（Te）和CdTe为电池吸收体的薄膜,其中近距离升华技术（CSS）制备的CdTe薄膜太阳电池转换系数已超过15%...
- 郑毓峰陈树义简基康李冬来马忠权赵彦明常爱民
- 关键词：CDTE薄膜电导
- 文献传递
- 共溅射法制备Cu-In合金膜及电学性能分析被引量：2
- 2002年
- 采用共溅射方法制备了 Cu-In合金膜 ,并讨论了 Cu-In合金膜的结构、电学性能以及溅射时间对 Cu-In合金膜的结构及电学性能的影响 .结果显示 ,Cu-In合金膜仅有单峰 ,多晶晶面间距不随着膜厚的增加而改变 .用费 -桑理论对 Cu-In合金薄膜的电学性质进行了分析 ,临界厚度的讨论结果表明 ,溅射 3～ 4min是面电阻的转变点 。
- 马忠权徐少辉郑毓峰简基康李冬来
- 关键词：电学性质
- 共溅射CdTe掺Nd薄膜的结构和电导性能被引量：5
- 2002年
- 采用共溅射法在 ITo/玻璃基片上沉积 Cd Te掺 Nd薄膜 ,并利用 XRD和阻抗测试研究薄膜的结构和电导性能 .结果表明 ,适当 Nd掺入可以改善 Cd
- 郑毓峰陈树义李锦简基康李冬来马忠权常爱民
- 关键词：CDTE薄膜钕掺杂电导性能
- 射频溅射Indium-Tin-Oxide薄膜的结构和光电性质
- 2000年
- 用磁控射频溅射方法制备 Indium- Tin- Oxide(ITO)薄膜 ,研究了基片温度对薄膜结构、光、电性质的影响 .基片温度 41 0°时 ,结晶最好 ,相应的电学性质最优 ,并且解释了电学性质随结构变化的微观原因 .样品在可见光谱区的平均透过率超过 80 % ,受基片温度影响不大 ,确定薄膜的光能隙为 3.
- 简基康郑毓峰马忠权李冬来徐少辉
- 关键词：射频溅射ITO薄膜氧化物半导体光电性质
