朱诗倩
- 作品数：7 被引量：1H指数：1
- 供职机构：华东师范大学信息科学技术学院电子工程系更多>>
- 相关领域：电子电信自动化与计算机技术更多>>
- 嵌入式引导加载程序的可裁剪性分析
- 2013年
- 随着嵌入式系统的不断发展,系统引导加载程序(Boot Loader)变得日益重要,文中针对Cortex M3内核,从Boot Loader的原理出发,详细分析了Stellaris Boot Loader源代码及其应用要点并举出了实例,同时探讨了其可裁剪性与可移植性,初步提出了可靠并安全地移植Boot loader的方法和相关注意点。
- 王哲宇朱诗倩刘锦高
- 关键词：CORTEXM3BOOTLOADER
- 一种嵌入式三维矢量描述文件解析方法及其解析装置
- 本发明公开了一种嵌入式三维矢量描述文件解析方法，包括：根据三维矢量描述文件中的多个关键字将三维矢量描述文件分为多个区块；读取一个区块的数据至微处理器的内存中；解析内存中的区块数据，从区块数据中提取每一个显示对象的三角面顶...
- 金豫王哲宇刘锦高朱诗倩刘彦均
- 文献传递
- 一种无源射频识别编解码电路的设计与验证被引量：1
- 2013年
- 提出了一种基于ISO/IEC 14443协议的高频13.56 MHz RFID芯片的数字编解码电路结构,采用Altera FPGA搭建验证系统,进行了系统设计的仿真与验证。该电路实现了RFID标签芯片通信时所需要的副载波调制后曼彻斯特编码和修正密勒码的解码,并为后端的协议栈电路设计了SPI从机通信接口。
- 王哲宇朱诗倩刘锦高
- 关键词：RFIDISOIEC
- 40nm MOSFET版图邻近效应模型的研究和建立
- 随着工艺技术不断创新,集成电路核心器件MOSFET的特征尺寸已缩小到深纳米量级,器件和集成芯片的性能都得到大幅提升。然而,深纳米工艺代精细的版图布局引入各类邻近效应,深纳米MOSFET器件性能因此产生波动,导致集成芯片的...
- 朱诗倩
- 关键词：纳米MOSFET
- 文献传递
- 一种基于旋转体三维显示器的实时体三维数据生成方法
- 本发明公开了一种基于旋转体三维显示器的实时体三维数据生成方法，通过求解二维显示平面与三角面的交线，最终计算出各条交线在旋转体三维显示器中的二维LED显示屏上的二维显示坐标并获取该二维显示坐标下的显示颜色，完成三角形顶点数...
- 金豫王哲宇刘锦高朱诗倩刘彦均王敏霞
- 文献传递
- 数字电路中NBTI效应仿真及建模方法的研究
- 2015年
- 负偏压温度不稳定性(NBTI)效应已成为影响数字电路设计的重要可靠性问题之一。首先讨论了PMOS晶体管中NBTI效应对数字电路的影响,提出针对不同工艺PMOS管中NBTI效应建模的流程,设计了一种基于SPICE模型的NBTI仿真模型。该模型能够通过Cadence软件调用,并在实际的数字电路设计中进行动态仿真,预测NBTI效应对电路性能的影响。基于该建模流程,在Cadence软件中对基于40nm工艺的一级两输入与非门和四十级反相器组成的环形振荡器进行仿真。仿真结果表明,该模型能够对不同工艺下PMOS管中的NBTI效应进行准确、有效地仿真,为数字电路的可靠性设计提供保障。
- 朱诗倩石艳玲
- 关键词：负偏压温度不稳定性数字电路仿真验证
- 一种40nm MOSFET版图相关的波动模型建立
- 2016年
- 针对版图邻近与工艺波动因素对40nm MOSFET器件物理效应变化和性能波动的影响进行分析,提出一种基于BSIM4.5的新型模型,修正原有模型的阈值电压和迁移率机制,有效地实现了版图邻近效应的建模。该模型主要考虑了相邻栅极间距psf和pss,相邻有源区的横向间距sodx1和sodx2,以及纵向间距sody对器件性能的影响。基于国内先进的40nm工艺平台,对器件的V_(thsat),I_(dsat),V_(thlin)和I_(dlin)性能进行监测,得到相邻栅极间距对饱和电流和阈值电压分别有15%和30mV的影响,横纵向有源区间距对饱和电流和阈值电压分别有1.5%和4mV的影响,从而得到拟合度较好的仿真模型。结果表明,建立的模型能够有效降低结构仿真误差,大大提高设计人员的设计效率和准确性。
- 朱诗倩孙立杰石艳玲
- 关键词：版图SPICE模型MOSFET
