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朱亮

作品数:2 被引量:12H指数:2
供职机构:浙江大学航空航天学院流体传动及控制国家重点实验室更多>>
发文基金:国家高技术研究发展计划国家科技重大专项更多>>
相关领域:机械工程理学更多>>

文献类型

  • 2篇中文期刊文章

领域

  • 1篇机械工程
  • 1篇理学

主题

  • 1篇单晶
  • 1篇英寸
  • 1篇直拉法
  • 1篇熔液
  • 1篇深海
  • 1篇深海沉积
  • 1篇深海沉积物
  • 1篇位置控制
  • 1篇硅单晶
  • 1篇沉积物
  • 1篇12

机构

  • 2篇浙江大学
  • 1篇浙江晶盛机电...

作者

  • 2篇朱亮
  • 1篇秦华伟
  • 1篇邱敏秀
  • 1篇顾临怡

传媒

  • 1篇人工晶体学报
  • 1篇浙江大学学报...

年份

  • 1篇2011
  • 1篇2005
2 条 记 录,以下是 1-2
排序方式:
深海沉积物保真采样技术及应用被引量:10
2005年
深海沉积物中含有大量嗜压型微生物和溢出性气体,采用传统取样技术不能长时间保持样品压力,因而无法获取最真实的沉积物样品,为此提出了一套保真采样技术,可用于深海极端环境沉积物的取样.通过对组成该技术的三个方面:样品转移技术、封口自紧技术与半主动保压技术进行研究,提出了保真采样器的结构,分析了其工作原理,并对运用该理论的设备样机进行了实验室试验、码头试验和深海试验研究.结果表明,基于上述理论的沉积物采样器样机具有良好的采样能力和原位压力保持功能.
朱亮顾临怡秦华伟
关键词:深海沉积物
12英寸硅单晶生长过程中熔液面位置控制方法研究被引量:2
2011年
集成电路用12英寸硅单晶生长过程中,为满足晶体生长界面附近温度梯度的要求,需要测量并控制晶体生长过程中硅熔体液面位置。传统的设定坩埚上升速度和激光测距的方法有时不能适应直拉硅单晶生长技术的发展。本文提出并实现了一种采用CCD图像捕捉和测量液面位置的方法,结合调节坩埚上升速度来控制液面高度,最终可以满足生长集成电路用12英寸硅单晶的需要。
朱亮周旗钢戴小林张果虎曹建伟邱敏秀
关键词:直拉法硅单晶
共1页<1>
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