曾志斌
- 作品数：4 被引量：18H指数：3
- 供职机构：天津大学理学院物理系更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信更多>>
- 发光二极管中负电容现象的机理被引量：9
- 2006年
- 为解释发光二极管(LEDs)中的负电容(NC)现象,提出了在有源区与局部强复合效应有关的新模型,首次通过对载流子连续性方程的求解导出了NC的解析表达式。理论结果表明,在一定的范围内激活区载流子复合速率越大,LEDs中的NC效应越显著,这与实验结果完全一致。它表明,LEDs中的NC是由其激活区载流子复合引起的,而非外部原因造成。
- 冯列峰朱传云陈永曾志斌王存达
- 一种精确检测半导体二极管正向电特性的新方法被引量：6
- 2003年
- 提出了一种基于串联模式精确地检测半导体二极管正向电特性的新方法 .利用该方法 ,不仅可以得到二极管在不同电压下的串联电阻、结电容、结电压、理想化因子等值 ,还能判断一个实际的二极管有无界面层存在并得到其界面层阻抗值 .用此方法对 Ni/ n- Ga N肖特基二极管进行了检测 ,所有的实验结果与理论分析相符合 .实验中确认了在 Ga N肖特基二极管中结的负电容和具有非线性电阻和电容的界面层的存在 .
- 王存达曾志斌张国义沈君朱传云
- 关键词：半导体二极管串联模式界面层负电容
- 半导体发光器件的负电容与高速调制
- 半导体发光二极管和半导体激光器是两种极为重要的发光器件，它们不但在电子仪表显示、照明、大规模集成电路、光存储、光通信等方面有着广泛的应用，在研究领域也一直以来倍受人们的关注。本文对半导体发光二极管的负电容和激光二极管的高...
- 曾志斌
- 关键词：半导体发光二极管负电容调制带宽
- GaN蓝光发光二极管的负电容现象研究被引量：14
- 2004年
- 利用交流(a.c.)小信号法对GaN蓝光发光二极管(LEDs)的电容 电压特性进行了研究,观察到了GaN蓝光LEDs中的负电容现象,并且测试频率越低、正向电压越大,这种负电容现象就越明显。研究结果表明,这一现象产生的最主要原因是由于GaN蓝光LEDs有源区内注入载流子的辐射复合。
- 曾志斌朱传云李乐赵锋王存达
- 关键词：GAN氮化镓蓝光发光二极管负电容电容-电压特性LED
