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文献类型

  • 14篇中文专利

领域

  • 1篇电子电信

主题

  • 9篇晶体管
  • 3篇氮化镓
  • 3篇热像仪
  • 3篇铝镓氮
  • 3篇结温
  • 3篇沟道
  • 3篇红外
  • 3篇红外热像
  • 3篇红外热像仪
  • 3篇峰值结温
  • 3篇场效应
  • 2篇电流崩塌
  • 2篇电路
  • 2篇电路设计
  • 2篇电路设计技术
  • 2篇电压
  • 2篇电压测量
  • 2篇电源
  • 2篇异质结
  • 2篇势垒

机构

  • 14篇中国科学院微...

作者

  • 14篇彭铭曾
  • 14篇郑英奎
  • 14篇刘新宇
  • 6篇赵妙
  • 5篇欧阳思华
  • 5篇魏珂
  • 4篇李艳奎
  • 2篇陈晓娟
  • 2篇刘果果
  • 2篇罗卫军

年份

  • 1篇2019
  • 1篇2016
  • 2篇2014
  • 4篇2013
  • 5篇2012
  • 1篇2011
14 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
一种微波放大器的设计方法
本发明公开了一种微波放大器的设计方法,属于电路设计技术领域。该方法包括拟合晶体管在目标频率范围内的输入或输出阻抗;采用数值计算法获得输入或输出阻抗的等效网络;构造与等效网络对应的“共轭”网络,并将“共轭”网络与晶体管相连...
戈勤郑英奎彭铭曾刘新宇
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双沟道晶体管及其制备方法
本发明公开了双沟道晶体管,以GaN为材料,包含双沟道,即第一沟道和第二沟道,第一沟道为势垒层和GaN沟道层的界面,第二沟道为背势垒层和GaN沟道层的界面,所述势垒层和背势垒的材料均为AlGaN;所述AlGaN背势垒层的厚...
赵妙郑英奎刘新宇彭铭曾李艳奎欧阳思华魏珂
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双沟道晶体管及其制备方法
本发明公开了双沟道晶体管,以GaN为材料,包含双沟道,即第一沟道和第二沟道,第一沟道为势垒层和GaN沟道层的界面,第二沟道为背势垒层和GaN沟道层的界面,所述势垒层和背势垒的材料均为AlGaN;所述AlGaN背势垒层的厚...
赵妙郑英奎刘新宇彭铭曾李艳奎欧阳思华魏珂
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一种测量GaN基器件热可靠性的方法
本发明公开了一种测量GaN基器件热可靠性的方法,包括:测量多个被测GaN基器件在不同栅压下漏压和漏电流的大小,并计算得到该多个被测GaN基器件的直流稳态功率;采用显微红外热像仪测量该多个被测GaN基器件的峰值结温,由该峰...
赵妙刘新宇罗卫军郑英奎陈晓娟彭铭曾李艳奎
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内匹配的高频大功率晶体管
本发明公开了一种内匹配的高频大功率晶体管,包括晶体管(14)、输入匹配网络、输出匹配网络和稳定网络;其特征在于,所述稳定网络由电阻(3)、电容(6)、第一电感(7)和第二电感(8)串联构成,其两端分别与所述晶体管(14)...
戈勤郑英奎彭铭曾刘新宇
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对GaN基器件的直流稳态功率老化进行预筛选的方法
本发明公开了一种对GaN基器件的直流稳态功率老化进行预筛选的方法,包括:对被测GaN基器件进行封装测试,确定被测GaN基器件的直流稳态功率;采用显微红外热像仪测量器件的结温,并对测量得到的结温进行数学拟和得到被测GaN基...
赵妙刘新宇郑英奎彭铭曾魏珂欧阳思华
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一种检测氮化镓基场效应晶体管表面钝化效果的方法
本发明公开了一种检测氮化镓基场效应晶体管表面钝化效果的方法,该方法包括:在氮化镓基场效应晶体管的栅极和源极或者漏极之间加载电压;电容-电压测量仪的内置电源提供Vgs或者Vgd端口电压的自动扫描,获得Cgs~Vgs和Cgd...
彭铭曾郑英奎刘果果刘新宇
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一种微波放大器的设计方法
本发明公开了一种微波放大器的设计方法,属于电路设计技术领域。该方法包括拟合晶体管在目标频率范围内的输入或输出阻抗;采用数值计算法获得输入或输出阻抗的等效网络;构造与等效网络对应的“共轭”网络,并将“共轭”网络与晶体管相连...
戈勤郑英奎彭铭曾刘新宇
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高击穿氮化镓基场效应晶体管器件及其制作方法
本发明公开了一种高击穿氮化镓基场效应晶体管器件及其制作方法,首先在衬底上生长成核层;在成核层上生长低铝组分的铝镓氮高阻缓冲层;在铝镓氮高阻缓冲层上生长高迁移率氮化镓沟道层;在氮化镓沟道层上生长薄层的氮化铝隔离层;在氮化铝...
彭铭曾罗卫军郑英奎陈晓娟刘新宇
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内匹配的高频大功率晶体管
本实用新型公开了一种内匹配的高频大功率晶体管,包括晶体管(14)、输入匹配网络、输出匹配网络和稳定网络;其特征在于,所述稳定网络由电阻(3)、电容(6)、第一电感(7)和第二电感(8)串联构成,其两端分别与所述晶体管(1...
戈勤郑英奎彭铭曾刘新宇
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共2页<12>
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