彭伟
- 作品数：12 被引量：29H指数：3
- 供职机构：湖南大学物理与微电子科学学院更多>>
- 发文基金：湖南省自然科学基金国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划更多>>
- 相关领域：电子电信理学文化科学环境科学与工程更多>>
- 一种新型高精度CMOS电压基准源被引量：1
- 2007年
- 在分析MOS管电流电压的温度特性的基础上,基于对两个连接成二极管形式的对称NMOS管通以不同大小的PTAT电流,NMOS管的栅压将向不同方向变化这一原理,通过对这两个NMOS管的栅压进行相互补偿,设计了一种新型的CMOS基准电压源.电路采用TSMC0.18μmCMOS工艺进行设计,基于BSIM3V3模型,利用Cadence的Spectre工具对电路进行仿真.结果表明:当电源电压VDD=1.2V时,其温度系数仅为28×10-6/℃.
- 彭伟谢海情邓欢
- 关键词：基准电压源PTAT电流温度系数CMOS
- 低相位噪声、宽调谐范围LC压控振荡器设计被引量：3
- 2008年
- 基于开关电容和MOS可变电容相结合的电路结构，设计了一种分段线性压控振荡器，很好地解决了相位噪声与调谐范围之间的矛盾。另外，在尾电流源处加入电感电容滤波，进一步降低相位噪声。采用TSMC0．18μmCMOS工艺，利用Cadence中的SpectreRF对电路进行仿真，当电源电压VDD=1．8V时，其中心频率为1．8GHz，可调频率为1．430-2．134GHz，调谐范围达到37％，在偏离中心频率1MHz处，相位噪声为-131dBc／Hz，静态工作电流为5．2mA。
- 曾健平谢海情晏敏曾云彭伟
- 关键词：压控振荡器相位噪声开关电容阵列
- GEANT4在北京谱仪BES端盖量能器中的应用
- 2009年
- 用模拟软件GEANT4对端盖量能器的几何机构进行了描述,同时,分析了电子、光子和强子在端盖量能器的行为。比较了在标准和低能电磁相互作用下,不同粒子在北京谱仪端盖量能器(EEMC)中的能量分辨、位置分辨等,为量能器粒子鉴别提供依据。
- 夏宇许春梅彭伟
- 关键词：GEANT4
- 一种自积分Rogowski线圈波形畸变校正方法被引量：1
- 2008年
- 提出了一种校正自积分式Rogowski线圈波形畸变方法,该方法通过构建校正电路对Rogowski线圈忽略的电阻压降项进行补偿来实现.实验结果证实了该电路能够很好地校正波形的畸变.分析了校正后Rogowski线圈的幅频特性,结果表明:Rogowski线圈经所设计的校正电路后,上限频率保持不变,而下限频率延伸到零.
- 周郁明何怡刚彭伟曾健平
- 关键词：ROGOWSKI线圈脉冲大电流波形畸变
- 一种改进的SRAM故障内建自检测算法被引量：5
- 2019年
- 面向March C+算法故障覆盖率的问题,本文提出一种改进的March CS算法来完成存储器SRAM的内建自测试.通过增加原算法元素的读写操作来敏化存储单元的故障,检测原算法不能敏化的静态故障和动态故障,从而提高故障覆盖率.最后,通过对1 024*32位静态随机存储器进行故障仿真验证,以及FPGA对SRAM芯片的应用性测试,March CS算法检测静态故障和动态故障的覆盖率分别达到91.67%和76.93%.
- 曾健平王振宇袁甲彭伟曾云
- 关键词：MARCHCS算法
- 短脉冲作用下磁开关的磁场分析被引量：3
- 2009年
- 工作在短脉冲状况下的磁开关的伏秒积存在着实际测量值与理论计算值不一致的偏差,为了分析出现偏差的原因,提出利用傅立叶变换分析磁开关电压波形,得到磁开关电压的频谱,并利用有限元法计算所得频谱下磁芯截面上的磁场。利用所提出的方法对一磁开关进行了分析,在有限元仿真软件(ANSYS)中建立磁芯与绕组的实体模型,然后由该模型计算的磁开关伏秒积与理论值对比,得出磁芯体积的实际利用率为79.21%。同时,ANSYS计算结果表明,在短脉冲作用下磁开关内的磁场大部分集中在磁芯表面,导致了磁芯利用率减小,这是实际值与理论值不一致的主要原因。
- 周郁明何怡刚彭伟余岳辉
- 关键词：磁开关大功率半导体频谱分析ANSYS
- CMOS集成温度传感器中的器件模型分析被引量：4
- 2006年
- 根据CMOS集成温度传感器对器件的要求,对MOS器件的亚阈值模型和MOS工艺下的双极型器件进行了分析对比,选用后者更适合作为CMOS集成温度传感器的器件,并对衬底PNP管压电结型效应对温度传感器的影响进行了分析,最后对不同类型电阻进行了分析对比,为CMOS集成温度传感器设计打下了理论基础。
- 熊琦曾健平彭伟曾云
- 关键词：集成温度传感器电阻
- 基于GaN HEMT的1.5-3.5GHz宽带平衡功率放大器设计被引量：8
- 2013年
- 阐述了基于GaN HEMT的宽带平衡功率放大器的设计与实现方法:采用Lange耦合器构建平衡功率放大器结构,采用多节阻抗匹配技术设计输入/输出匹配网络,实现功放宽带特性(1.5-3.5GHz);采用与Si热膨胀系数接近的AlSiC散热载片,克服管芯与载片热稳定系数不同引起的热稳定问题,并采用脉冲工作模式进一步减小功放发热量.制作实际功放模块用于测试,在1.5-3.5GHz频带内,功放线性增益大于12dB,增益平坦度为±0.4dB,饱和输出功率大于8W,漏极效率为56%-65%.实验测试结果与设计仿真结果有较好一致性,验证了设计方法的正确性.
- 冷永清张立军曾云鲁辉郑占旗张国梁彭伟彭亚涛官劲
- 关键词：宽带功率放大器GANHEMT
- 我国高校贫困生资助现状及对策研究被引量：1
- 2008年
- 党和政府高度重视贫困生资助工作,及时研究并出台了一系列政策制度,初步建立了一整套资助贫困生的政策体系,并不断地加以研究和完善。本文分析了现行资助政策的运行效果和存在问题,提出了建立以助学贷款为主,其他资助方式为辅的资助模式,并分析了贫困生在成才过程中的需求和存在的困难,提出尊重贫困生的主体需求,以贫困生的需求为资助工作的出发点和落脚点,促进贫困生全面发展,并就构建贫困生成才资助体系给出了思路和具体建议,提出了完善国家助学贷款政策的具体对策。
- 邓欢万程曾丽君彭伟
- 关键词：大学生贫困
- 新型CMOS正交压控振荡器设计被引量：2
- 2007年
- 通过对两个相同的LC振荡器进行交差耦合,用耦合系数来控制输出频率,设计了一种新型精准正交正弦波压控振荡器.由于其频率调节方式不再依赖于变容管,大大增加了输出频率的调节范围.基于TSMC18rf工艺库,采用Cadence的Spectre工具对电路进行仿真.在VDD=1.8V下,频率覆盖了1.78GHz到4.03GHz,可调控范围约为77%,1MHz处相位噪声约为-104dB/Hz.
- 彭伟彭敏黄春苗吴昊张群荔
- 关键词：CMOS压控振荡器正交
