张永强
- 作品数：10 被引量：40H指数：5
- 供职机构：电子科技大学更多>>
- 发文基金：国防科技技术预先研究基金四川省教育厅青年基金更多>>
- 相关领域：电子电信理学一般工业技术化学工程更多>>
- 一种飞机智能配电系统的设计与实现
- 飞机配电系统是将飞机供电系统的电能可靠地传输到飞机各个用电设备，在飞机的整个全工作状态中都起着关键性的作用，智能配电技术的发展水平直接关系到飞机电气系统工作的最终性能和功能。飞机智能配电系统是现代航空器供配电系统的发展趋...
- 张永强
- 关键词：飞机配电系统断路器固态功率控制器
- 文献传递
- LFMCW高线性度信号源技术研究
- 该文首先介绍了LFMCW雷达的原理、特点及国内外发展动态,然后对LVMCW雷达中的调频线性度和距离分辨力的关系进行了分析,提出了线性度校正新的理论方法,在此基础上,进行了线性度校正系统的硬件和软件设计.该文还进行了8mm...
- 张永强
- 关键词：线性调频连续波雷达线性度校正可编程逻辑器件LFMCW雷达
- 文献传递
- 第三代稀土蓄光型发光材料的研究进展被引量：9
- 2005年
- 介绍了第三代稀土蓄光型发光材料当前流行的几种制备方法,并探讨其发光颜色、余辉强度及时间和发光蓄光机理,对其应用前景进行了展望。
- 张永强杨仕清张万里蒋洪川杨国宁
- 关键词：稀土长余辉发光材料
- 无源雷达超分辨成像技术
- 无源雷达不仅具有可用外辐射源信号资源丰富、隐蔽和对敌隐身的特点，还能有效地解决地物干扰和低空目标探测等难题，有广阔的应用前景。在梳理和总结无源雷达技术的基础上，对无源雷达成像算法开展了探索性和创新性的研究。考虑实际成像因...
- 张永强
- 关键词：无源雷达超分辨成像RELAX算法压缩感知
- 一种适用于GaN半桥驱动芯片分地设计的电平位移电路
- 本发明属于电子电路技术领域，具体涉及一种适用于GaN半桥驱动芯片分地设计的电平位移电路。本发明主要是通过分地设计，设计驱动芯片逻辑部分的参考地为SGNG，驱动芯片功率回路部分的参考地为PGND，并且参照SGND的5V电源...
- 明鑫张永强吴之久王卓张波
- FeCoSiB单层和FeCoSiB/Cu/FeCoSiB多层磁弹性膜应力阻抗性能研究被引量：12
- 2004年
- 用磁控溅射法在玻璃基片上制备了FeCoSiB单层膜和FeCoSiB/Cu/FeCoSiB多层膜,并进行磁场退火热处理以消除残余应力和形成磁场织构。薄膜的磁性能采用振动样品磁强计(VSM)进行测试,采用HP4275A 型阻抗分析仪在200kHz^10MHz频率范围内测试了薄膜的应力阻抗(SI)效应。结果表明,磁场退火热处理可形成感生磁各向异性以及提高薄膜的SI效应,在10MHz测试频率下,FeCoSiB薄膜的ΔZ/Z可达1.5%,而FeCoSiB/Cu/FeCoSiB的可达8%。随着测试频率下降到1MHz时,薄膜的SI效应显著下降。
- 杨国宁张万里彭斌蒋洪川张永强
- 关键词：磁弹性
- SrAl/_2O/_4:Eu~（2+），Dy~（3+）稀土蓄光材料的制备及性能研究
- 本文采用共沉淀法制备SrAl2O4:Eu2+,Dy3+长余辉稀土蓄光材料。采用TG-DTA 热分析、X 射线衍射仪、SEM 和荧光光谱仪等对SrAl2O4:Eu2+,Dy3+的结晶过程、晶相结构、表面形态、激发光谱、发射...
- 张永强
- 关键词：共沉淀法蓄光材料长余辉
- 文献传递网络资源链接
- 热处理温度对FeCoSiB薄膜及FeCoSiB/Cu/FeCoSiB三明治膜应力阻抗效应的影响被引量：8
- 2005年
- 采用DC磁控溅射法在玻璃基片上制备了FeCoSiB薄膜和FeCoSiB/Cu/FeCoSiB 三明治膜,并进行磁场退火热处理以消除残余应力和形成磁织构,提高薄膜的应力阻抗效应。薄膜的磁性能采用振动样品磁强计(VSM)进行测试,采用HP4275A 型阻抗分析仪在200kHz^10MHz频率范围内测试薄膜的应力阻抗效应。结果表明,磁场退火热处理可形成感生磁各向异性,改善薄膜的软磁性能、提高薄膜的应力阻抗效应。在温度低于300℃时,随着退火温度的增加,薄膜的应力阻抗效应增大;当退火温度超过300℃时,薄膜的应力阻抗效应随退火温度增加而降低。与Fe CoSiB单层膜相比, FeCoSiB/Cu/FeCoSiB 三明治膜应力阻抗效应较大。10MHz测试频率下,在基片末端位移为450μm时,经300℃热处理的三明治膜达到了8.3%,而单层膜仅有1.86%。当测试频率较高为10和4MHz时,薄膜的应力阻抗效应变化不大,当测试频率下降到低于1MHz时,薄膜的应力阻抗效应显著降低。
- 张万里蒋洪川杨国宁彭斌张文旭张永强
- 关键词：磁弹性磁场热处理
- H_3BO_3添加量对SrAl_2O_4:Eu^(2+),Dy^(3+)蓄光性能的影响被引量：6
- 2005年
- 采用共沉淀法制备SrAl2O4∶Eu2+,Dy3+蓄光材料,研究了H3BO3添加量对SrAl2O4:Eu2+,Dy3+蓄光性能的影响.XRD和光学性能测试结果表明,硼酸添加量为5wt%的样品结晶完全,其初始亮度达到5000mcd/m2,余辉时间大于8h,随着硼酸添加量增加,样品结晶程度降低、发光强度逐渐下降、余辉衰减速度加快.因此添加适量硼酸可以改善SrAl2O4:Eu2+,Dy3+的结晶性能和发光性能,过量添加硼酸将导致样品严重结块,SrAl2O4相减少、发光性能大大降低.
- 张勤勇蒋洪川张永强张万里
- 关键词：共沉淀法SRAL2O4:EU^2+,DY^3+蓄光材料
- X波段LFMCW高线性度信号源
- 汪学刚张永强向敬成宋旭东黎安尧黄河石凯
- X波段LFMCW高线性度信号源任务来源于信息产业部电子20所横向项目，同时也根据LFMCW雷达急需研制用于雷达的X波段LFMCW高线性度信号源，以提高雷达的距离分辨力和测距精度。该信号源由VCO、均衡滤度器、DRO、一次...
- 关键词：
- 关键词：X波段雷达雷达测距雷达信号源LFMCW
