张宝君
- 作品数：9 被引量：18H指数：2
- 供职机构：西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家部委资助项目国家教育部博士点基金更多>>
- 相关领域：电子电信更多>>
- 一种基于准浮栅技术的超低压折叠运算放大器设计
- 2006年
- 介绍了准浮栅晶体管的工作原理、电气特性及其等效电路。提出了一种基于准浮栅技术的折叠差分结构,基于此结构设计,实现了超低压运算放大器。采用TSMC0.25μmCMOS工艺的BSIM3V3模型,对所设计运放的低压特性进行仿真,结果表明,在0.8V电源电压下,运算放大器的直流开环增益为106dB,相位裕度为62°,单位增益带宽为260kHz,功耗仅为3.9μW。
- 张宝君杨银堂朱樟明张海军
- 关键词：准浮栅超低压运算放大器CMOS
- 低压低功耗模拟集成电路设计的准浮栅技术研究
- 随着便携式消费类电子产品需求的日益增长及高性能VLSI技术的迅猛发展，低压低功耗设计已成为当今模拟集成电路设计的主流之一。本文讨论了低压模拟电路设计所面临的困难与挑战，以及目前国内外实现低压模拟电路设计的主要技术和其优缺...
- 张宝君
- 关键词：模拟集成电路电路设计准浮栅技术版图设计
- 文献传递
- 一种基于衬底偏置的超低压CMOS运算放大器被引量：9
- 2006年
- 本文研究了基于衬底偏置MOSFET的阈值电压可调节特性及其低压特性，通过对所有MOSFET衬底偏置设计实现了超低压两级运算放大器。在0．8V的电源电压下，该运放的直流开环增益为89dB，相位裕度为67°，失调电压约为737．5μV，其单位增益带宽（GB）为440kHz，输入共模范围为65．3～734．1mV，输出电压范围为53．3～737．3mV。
- 张海军杨银堂朱樟明张宝君
- 关键词：超低压运算放大器CMOS
- 一种基于准浮栅技术的12位D/A转换器被引量：1
- 2008年
- 提出了基于准浮栅技术的1.2V全差分运算放大器。由该准浮栅全差分运算放大器实现了一个12位并行结构的电容定标数模转换器(DAC)。所设计的DAC通过按比例缩放方法由两个6位并行DAC组合构成,在提高其分辨率的同时减少了DAC所需的芯片面积,解决了匹配精度随分辨率的增加而下降的问题。最后给出了该DAC的模拟仿真结果。
- 杨银堂张宝君张海军
- 关键词：准浮栅CMOS运算放大器数模转换器
- 一种基于衬底驱动技术的0.8V高性能CMOS OTA被引量：1
- 2006年
- 基于衬底驱动MOS技术。设计了一种0．8V COMS跨导运算放大器（OTA），在互补输入差分对的衬底端施加信号避开MOSFET阈值电压的限制以达到超低压应用,通过额外的共源放大器来提高OTA的增益。在±0．4v的电源电压下，其直流开环增益为73．8dB，单位增益带宽为16．4MHz，相位裕度为53°，功耗为125．4μW，输出电压范围为-0．337～0．370V。
- 张海军朱樟明杨银堂张宝君
- 关键词：衬底驱动超低压跨导运算放大器CMOS低功耗
- 一种基于衬底驱动PMOS晶体管的低压共源共栅电流镜被引量：1
- 2007年
- 基于衬底驱动PMOS晶体管设计了低压PMOS衬底驱动CMOS共源共栅电流镜电路(BDCCM),并讨论分析了其输入阻抗、输出阻抗和频率特性。基于TSMC 0.25μm 2P4M CMOS工艺的仿真和测试结果说明,BDCCM的最低输入压降要求只有0.3V,但是其输入输出线性度和频率带宽要比传统的共源共栅电流镜低,是低频低压CMOS模拟集成电路设计的新型高性能共源共栅电流镜。
- 朱樟明杨银堂尹韬张海军张宝君
- 关键词：衬底驱动电流镜CMOS低压低功耗
- 一种基于准浮栅技术的折叠差分结构及其应用被引量：1
- 2006年
- 提出了一种基于准浮栅技术的新型折叠差分结构,其偏置电流源的电压降被折叠到输出电压摆幅中,且不受共模输入电压限制而达到较大范围,非常适于低压应用。基于此结构,实现了一种超低压运算放大器。仿真分析表明,该运算放大器能够实现轨到轨(rail-to-rail)的共模输入电压范围和输出电压摆幅,以及较高的共模抑制比。
- 张宝君杨银堂朱樟明张海军
- 关键词：准浮栅超低压运算放大器
- 基于衬底驱动技术的0.8V三阶椭圆OTA-C滤波器被引量：2
- 2006年
- 基于衬底驱动MOS技术,设计了一种0.8 V高性能全差分CMOS跨导运算放大器(OTA)。在互补输入差分对的衬底端施加信号,避开MOSFET阈值电压的限制,以达到超低压应用。在0.8 V的电源电压下,其直流开环增益为73.8 dB,单位增益带宽为16.4 MHz。基于该OTA,采用无源网络模拟法,设计实现了截止频率为5 MHz,通带波纹为0.5 dB的三阶椭圆OTA-C滤波器。仿真结果表明了所设计滤波器的正确性。
- 张海军杨银堂张宝君
- 关键词：衬底驱动超低压CMOS
- 衬底驱动超低压CMOS带隙基准电压源被引量：3
- 2006年
- 采用二阶温度补偿和电流反馈技术，设计实现了一种基于衬底驱动技术和电阻分压技术的超低压CMOS带隙基准电压源。采用衬底驱动超低压运算放大器作为基准源的负反馈，使其输出用于产生自身的电流源偏置，其电源抑制比（PSRR）为-63.8dB。采用Hspice仿真，在0．9V电源电压下，输出基准电压为572．45mV，温度系数为13．3ppm／℃。在0．8～1．4V电源电压范围内，输出基准电压变化3．5mV。基于TSMC 0．25μm 2P5M CMOS工艺实现的衬底驱动带隙基准电压源的版图面积为203μm×478．1μm。
- 张海军杨银堂朱樟明张宝君
- 关键词：衬底驱动超低压互补金属氧化物半导体带隙基准源电源抑制比
