张务永
- 作品数：8 被引量：13H指数：3
- 供职机构：中国电子科技集团第十三研究所更多>>
- 发文基金：国防科技重点实验室基金国防科技技术预先研究基金国家重点实验室开放基金更多>>
- 相关领域：电子电信更多>>
- 半导体器件栅凹槽与N<Sup>+</Sup>凹槽自对准加工方法
- 本发明公开了一种半导体器件栅凹槽与N<Sup>+</Sup>凹槽自对准加工方法,它涉及半导体器件的工艺制备方法。它采用普通的工艺设备,采用一次光刻、两次腐蚀介质的工艺过程,制造得到栅凹槽自动位于N<Sup>+</Sup>...
- 丁奎章冯震王民娟李岚周瑞张雄文吴阿惠张务永焦艮平邢东
- 文献传递
- X波段高增益功率放大器
- 本文介绍了一种X波段高增益功率放大器的设计及测试结果。该放大器采用电抗匹配电路结构,利用了Agilent ADS软件进行电路优化,采用0.5μm GaAs HFET工艺制作。在8.6-10.2GHz频率范围内,饱和输出功...
- 张务永倪涛高学邦王生国
- 关键词：高增益功率放大器GAASMMIC
- 宽带GaAs MMIC功率放大器的设计被引量：1
- 2005年
- 概述了GaAs MMIC放大器的技术发展,探讨了功率单片的设计技术.介绍了一种S/C波段宽带GaAs MMIC功率放大器的设计与工艺制作情况.该芯片采用有耗匹配电路结构,利用HFET工艺制作,在3～6GHz频段内饱和输出功率达到3W,功率增益大于23dB,输入、输出驻波比均小于2.5:1,效率为18～25%.
- 张务永王翠卿王生国王同祥张慕义
- 关键词：宽带MMIC功率HFET
- X波段功率单片放大器的研制被引量：4
- 2005年
- 介绍了X波段功率单片放大器的设计、制造、测试等技术,以及器件的大信号模型的建立。X波段功率单片放大器采用两级放大,经过功率分配和功率合成,输入输出匹配为50Ω,单片性能达到输出功率≥5W,附加效率≥33%,功率增益≥13.5dB,增益波动≤0.3dB,输入驻波比≤2?1。
- 王同祥武继斌张务永
- 关键词：砷化镓
- 半导体器件栅凹槽与N<Sup>+</Sup>凹槽自对准加工方法
- 本发明公开了一种半导体器件栅凹槽与N<Sup>+</Sup>凹槽自对准加工方法，它涉及半导体器件的工艺制备方法。它采用普通的工艺设备，采用一次光刻、两次腐蚀介质的工艺过程，制造得到栅凹槽自动位于N<Sup>+</Sup>...
- 丁奎章冯震王民娟李岚周瑞张雄文吴阿惠张务永焦艮平邢东
- 文献传递
- 宽带GaAs MMIC功率放大器的研究
- GaAs宽带微波功率单片集成电路以其良好的技术性能和可靠性,已广泛应用于卫星通信、机载火控雷达、电子对抗、导弹制导系统和其他武器装备。本文介绍了一种宽带GaAs功率放大器芯片的研制过程。该芯片采用有耗匹配电路结构以拓宽频...
- 张务永
- 关键词：微波单片集成电路宽带功率放大器异质结场效应晶体管
- 文献传递
- Ka波段高效率GaAs功率放大器MMIC被引量：3
- 2013年
- 采用GaAs PHEMT工艺,研究了PHEMT器件材料结构和大信号建模,分析了如何提高电路效率,并利用ADS软件对电路进行了原理图与版图优化设计,成功研制了高效率Ka波段GaAs功率放大器MMIC。电路采用三级级联放大,各级选取合适的总栅宽,使用Wilkinson功率分配/合成网络,采用阻性网络消除奇模振荡,输入输出均匹配至50Ω。在36～40 GHz频带内测试,测试结果表明:饱和输出功率大于2 W,功率增益大于17 dB,功率附加效率大于20%,频带内最高效率高达25%,芯片尺寸3.7 mm×3.2 mm。
- 杜鹏搏张务永孙希国崔玉兴高学邦付兴昌吴洪江蔡树军
- 关键词：砷化镓KA波段单片微波集成电路功率放大器
- 0.8～8.5 GHz宽带单片低噪声放大器被引量：4
- 2008年
- 利用负反馈放大器设计原理，采用GaAs PHEMT工艺技术，设计制作了一种微波宽带GaAs PHEMT低噪声放大器芯片，并给出了详细测试曲线。该放大器由两级组成，采用负反馈结构，工作频率0.8-8.5 GHz，整个带内功率增益19 dB，噪声系数1.55 dB，增益平坦度小于±0.7 dB，输入驻波比1.6，输出驻波比1.8，1 dB压缩点输出功率大于10 dBm，芯片内部集成偏置电路，单电源＋5 V供电，芯片具有良好的温度特性。该芯片面积为2.5 mm×1.2 mm。
- 柳现发王德宏王绍东吴洪江张务永
- 关键词：宽频带低噪声放大器负反馈微波单片集成电路
