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宋艳立

作品数：2 被引量：1H指数：1
供职机构：吉林大学更多>>
发文基金：国家教育部博士点基金国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划更多>>
相关领域：理学一般工业技术更多>>

合作作者

文献类型

  • 1篇期刊文章
  • 1篇学位论文

领域

  • 1篇一般工业技术
  • 1篇理学

主题

  • 2篇纳米
  • 2篇纳米晶
  • 2篇CDSE纳米...
  • 1篇带隙
  • 1篇单分散
  • 1篇单分散性
  • 1篇温度
  • 1篇温度变化
  • 1篇晶体
  • 1篇晶体生长
  • 1篇分散性
  • 1篇半导体纳米晶
  • 1篇成核

机构

  • 2篇吉林大学

作者

  • 2篇宋艳立
  • 1篇阚世海
  • 1篇高世勇
  • 1篇王英楠
  • 1篇路红亮
  • 1篇邹广田
  • 1篇戴全钦
  • 1篇聂延光
  • 1篇陈海勇
  • 1篇邹勃
  • 1篇李冬妹

传媒

  • 1篇高压物理学报

年份

  • 2篇2008
共 2 条 记 录，以下是 1-2
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排序方式：
CdSe纳米晶的合成及其带隙随温度变化的研究
半导体纳米材料相对于块体材料来说,具有许多优异的性能,因此,无论是在基础研究还是在应用领域都受到了广泛地重视。CdSe纳米晶作为一种重要的半导体纳米材料而引起了人们极大的兴趣,其合成方法多种多样,但仍然存在着很多问题。因...
宋艳立
关键词：CDSE纳米晶带隙温度
文献传递
单分散性CdSe纳米晶的合成——成核及其生长过程被引量：1
2008年
在氩气保护下，用三辛基亚磷酸和油酸分别作为Se和Cd的配位体，在260～300℃的十八烯溶液中合成了尺寸可控的CdSe纳米晶。该纳米晶不用进行进一步的提纯和尺寸分离就具有单分散性，其量子尺寸限域效应非常明显——吸收光谱的第一吸收峰峰位随着纳米晶的长大而发生红移；该纳米晶质量很高，具有很强的发光能力，其发射光谱对称的形状和合理的Stokes频移（13nm）显示，该纳米晶的发光完全出自带隙，没有来自缺陷的发光。此外，实验结果表明，通过改变三辛基亚磷酸的浓度可以调节成核和生长的快慢，从而可以在不同的反应时间得到不同尺寸的单分散性CdSe纳米晶。
戴全钦王英楠李冬妹陈海勇阚世海邹勃宋艳立高世勇聂延光路红亮邹广田
关键词：CDSE纳米晶半导体纳米晶成核晶体生长
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