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宋桂兰

作品数:6 被引量:5H指数:2
供职机构:中国科学院上海硅酸盐研究所更多>>
发文基金:国家自然科学基金更多>>
相关领域:理学一般工业技术化学工程更多>>

文献类型

  • 4篇期刊文章
  • 1篇会议论文
  • 1篇科技成果

领域

  • 5篇理学
  • 1篇化学工程
  • 1篇一般工业技术

主题

  • 3篇晶体
  • 2篇晶体生长
  • 2篇BGO
  • 2篇LI
  • 1篇电子探针
  • 1篇锗酸铋
  • 1篇熔体
  • 1篇闪烁晶体
  • 1篇生长习性
  • 1篇四面体
  • 1篇提拉法
  • 1篇提拉法生长
  • 1篇硼酸
  • 1篇自发成核
  • 1篇温度依赖
  • 1篇习性
  • 1篇空间探测器
  • 1篇化学键
  • 1篇急冷
  • 1篇功能材料

机构

  • 6篇中国科学院

作者

  • 6篇宋桂兰
  • 5篇袁兰英
  • 5篇齐雪君
  • 4篇姚冬敏
  • 2篇仲维卓
  • 2篇王绍华
  • 2篇李赟
  • 2篇陈俊锋
  • 1篇王绍华
  • 1篇刘光煜
  • 1篇倪海洪
  • 1篇周里华
  • 1篇吴泓澍
  • 1篇周学农
  • 1篇杜勇
  • 1篇陈俊锋

传媒

  • 2篇无机材料学报
  • 2篇人工晶体学报
  • 1篇上海先进无机...

年份

  • 1篇2016
  • 1篇2007
  • 1篇2006
  • 2篇2004
  • 1篇2003
6 条 记 录,以下是 1-6
排序方式:
BGO晶体的缺陷与性能—(1)缺陷及其形成
2004年
下降法生长的BGO晶体中存在几种典型的宏观缺陷。用光学显微镜和电子探针对宏观缺陷内的包裹体进行研究发现 :包裹体大部分为固态包裹物 ;不同宏观缺陷内的包裹体 ,其形状、大小和成份都具有典型特征。
姚冬敏齐雪君宋桂兰袁兰英仲维卓
关键词:包裹物固态包裹体电子探针
BGO熔体急冷自发结晶形貌
2004年
本文研究了BGO熔体在急冷的条件下自发结晶的显露形貌。在急冷的条件下 ,组成BGO的各个面族自由发育。 { 3 2 1 }面族、{ 2 1 1 }面族和 { 1 1 1 }面族都是按 [GeO4]4-四面体以顶角相连的化学键链生长发育的 ,生长速度快 ,优先显露 ,在熔体急冷时保留下来。表面形貌显露不完整的 { 1 0 0 }面族是 [GeO4]4-四面体以棱相连所对应的面族 ,生长速度较慢 ,尚未显露完全熔体就已冷却。从生长速度考虑 ,在实际生长晶体时以 [3 2 1 ]、[2 1 1 ]、[1 1 1
宋桂兰姚冬敏齐雪君袁兰英仲维卓
关键词:熔体急冷表面形貌四面体化学键
BGO熔体过冷自发成核结晶形貌
BGO晶体以其有效原子序数高,不潮解,无余辉等诸多优点而广泛应用于高能物理中的电磁能量器、空间物理、核工业、地质勘探及核医学等领域.大尺寸BGO晶体一般采用熔体生长(例如坩埚下降法和提拉法),在生长中需要引入籽晶.在急冷...
宋桂兰
关键词:自发成核生长习性晶体生长
文献传递
Li_6Gd(BO_3)_3:Ce晶体的提拉法生长和闪烁性能被引量:2
2006年
采用提拉法和铂坩埚感应加热技术生长出最大尺寸为直径25mm,长40mm的Li6Gd(BO3)3:Ce晶体.XRD分析表明,生长出的晶体为单一的Li6Gd(BO3)3:Ce相,结构属P21/c空间群.对晶体生长中存在的解理开裂、应力开裂及多晶问题进行了讨论,并从晶体结构的角度解释了(020)完全解理面出现的原因.晶体在380-800nm之间的透过率接近90%, 200-380nm之间的吸收是由Ce3+离子的4f-5d跃迁和Gd3+离子的4f-4f跃迁引起的.不同激发源激发下的发射均显示Ce3+离子的双谱峰特征;相比于紫外激发下的发射而言,X射线激发下的发射光谱略有红移.该晶体发光符合单指数衰减模型,衰减时间为30.74ns,在241Am源的α射线激发下晶体的能量分辨率为28.84%.
陈俊锋李赟宋桂兰姚冬敏袁兰英齐雪君王绍华
关键词:晶体生长
超大尺寸锗酸铋闪烁晶体的研制及面向空间暗物质粒子探测的应用
陈俊锋倪海洪王绍华周里华刘光煜赵鹏计志明袁兰英宋桂兰吴泓澍周学农杜勇张健齐雪君
该项目属于新材料领域,人工晶体材料学科。无机闪烁体是能够将入射到其中的高能粒子或射线能量转换为光脉冲的一类光功能材料。锗酸铋(Bi4Ge3O12, BGO)是一种综合性能优异的无机闪烁体,但是超大尺寸BGO晶体制备技术一...
关键词:
关键词:空间探测器光功能材料
光激发下Li_6Gd(BO_3)_3:Ce晶体发光和衰减的温度依赖特性被引量:3
2007年
研究了80-500K范围内,光激发下Li6Gd(BO3)3:Ce晶体发光和衰减的温度依赖特性.在346nm光激发下,热猝灭占优势,发光随温度升高而降低.在274nm光激发下,发光由Gd3+向Ce3+的能量传递和热猝灭共同决定,低于200K时,能量传递占支配地位,发光随温度升高而增强;高于200K时,热猝灭占优势,发光随温度升高而减弱.225K以下,辐射跃迁占优势,衰减随温度升高而略有增大;225K以上,无辐射跃迁占优势,衰减随温度升高而减小.利用经典的热猝灭公式和Arrhenius公式,获取的激活能分别为0.33和0.32eV.
陈俊锋李赟宋桂兰姚冬敏袁兰英齐雪君王绍华
关键词:发光温度依赖
共1页<1>
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