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姚娟

作品数:10 被引量:6H指数:2
供职机构:贵州民族大学理学院更多>>
发文基金:教育部科学技术研究重点项目贵州省优秀科技教育人才省长资金项目国家自然科学基金更多>>
相关领域:理学电子电信自动化与计算机技术更多>>

文献类型

  • 9篇期刊文章
  • 1篇会议论文

领域

  • 9篇理学
  • 1篇电子电信
  • 1篇自动化与计算...

主题

  • 6篇第一性原理
  • 6篇光学
  • 6篇光学性
  • 6篇光学性质
  • 6篇SI
  • 6篇CA
  • 3篇对立
  • 3篇分数阶
  • 2篇椭圆型
  • 2篇多重解
  • 1篇单叶双曲面
  • 1篇电特性
  • 1篇定理
  • 1篇双曲
  • 1篇双曲抛物面
  • 1篇算子
  • 1篇算子方程
  • 1篇特征值
  • 1篇判别法
  • 1篇抛物

机构

  • 10篇贵州民族大学
  • 1篇遵义师范学院

作者

  • 10篇姚娟
  • 6篇范梦慧
  • 6篇杨吟野
  • 4篇杨文帮
  • 3篇黄金保
  • 3篇索洪敏
  • 1篇熊宗洪
  • 1篇张鹏
  • 1篇张再军
  • 1篇杨恒

传媒

  • 2篇铜仁学院学报
  • 1篇分子科学学报
  • 1篇材料科学与工...
  • 1篇半导体技术
  • 1篇激光与光电子...
  • 1篇原子与分子物...
  • 1篇信息记录材料
  • 1篇遵义师范学院...

年份

  • 4篇2015
  • 6篇2014
10 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
(111)应变对立方相Ca_2P_(0.25)Si_(0.75)能带结构及光学性质的影响被引量:1
2014年
采用第一性原理赝势平面波方法对(111)应变下立方相Ca2P0.25Si0.75的能带结构及光学性质进行模拟计算,全面分析了应变对其能带结构、光学性质的影响。计算结果表明:在-8%~0%压应变范围内,随着应变的逐渐增大导带向低能方向移动,价带向高能方向移动,带隙逐渐减小,但始终为直接带隙;在O%~2%张应变范围内,随着应变的增加,带隙逐渐增大,应变为2%时直接带隙达到最大Eg=0.60441eV;当张应变为4%,Ca2P0.25Si0.75变为间接带隙半导体。Ca2P0.25Si0.75的介电常数和折射率随着张应变的增加而增加;施加-2%-0%压应变时,介电常数和折射率逐渐减小,到达一2%时达到最小值,此后随着压应变的增加介电常数和折射率逐渐增大。施加压应变时吸收谱和反射谱随着应变的增大而减小,施加张应变时吸收谱和反射谱随着应变的增大而增大。应变可以改变立方相Ca2P0.25Si0.75的电子结构和光学常数,是调节其光电传输性能的有效手段。
岑伟富杨吟野范梦慧姚娟杨文帮黄金保
关键词:光学性质第一性原理
(001)应变对正交相Ca_2P_(0.25)Si_(0.75)能带结构及光学性质的影响被引量:1
2015年
为了研究(001)应变对正交相Ca2P0.25Si0.75能带结构及光学性质的影响,采用第一性原理贋势平面波方法对(001)应变下正交相Ca2P0.25Si0.75的能带结构及光学性质进行了模拟计算.计算结果表明:晶格(001)面发生100%~116%张应变时,带隙随着应变增加而减小;在晶格发生88%~100%压应变时,带隙随着张应变的增加而增加;84%~88%压应变时,带隙随着压应变的增加而减小.当施加应变后光学性质发生显著的变化:随着压应变的增加,静态介电常数、折射率逐渐减小,张应变则增大.施加压应变反射向高能方向偏移,施加张应变反射向低能方向偏移,但施加应变对反射区域的影响不显著.施压应变吸收谱、光电导率的变化与介电函数和折射率相反.综上所述,(001)应变改变了Ca2P0.25Si0.75的电子结构和光学常数,是调节Ca2P0.25Si0.75光电传输性能的有效手段.
岑伟富杨吟野范梦慧杨文帮姚娟
关键词:光学性质第一性原理
(100)应变对正交相Ca_2P_(0.25)Si_(0.75)能带结构及光学性质的影响
2014年
采用第一性原理赝势平面波方法对(100)应变下正交相Ca2P0.25Si0.75的能带结构及光学性质进行模拟计算.计算结果表明:(100)面在晶格发生100%~116%张应变时,带隙随着应变增加而减小;在晶格发生96%~100%压应变时,带隙随着张应变的增加而增加;88%~96%压应变时,带隙随着压应变的增加而减小;当压应变大于88%后转变为间接带半导体.当施加应变后光学性质发生显著的变化:随着压应变的增加静态介电常数、折射率逐渐减小,张应变则反之.施加压应变反射向低能方向偏移,施加张应变反射向高能方向偏移,但施加应变对反射区域的影响不显著.施压应变吸收谱、光电导率的变化与介电函数和折射率相反.综上所述,应变可以改变Ca2P0.25Si0.75的电子结构和光学常数,是调节Ca2P0.25Si0.75光电传输性能的有效手段.
岑伟富杨吟野范梦慧姚娟黄金保
关键词:光学性质第一性原理
二次直纹曲面的新判别法被引量:1
2015年
本文先给出二次直纹曲面的判别法则,并利用四类经典二次直纹曲面的某些性质,建立了它们相应的新判别法则。最后,举出若干实例加以应用。
熊宗洪姚娟
关键词:二次锥面单叶双曲面双曲抛物面
(100)应变对立方相Ca_2P_(0.25)Si_(0.75)光电特性的影响被引量:1
2014年
采用基于密度泛函理论(DFT)的第一性原理赝势平面波方法对(100)应变下立方相Ca2P0.25Si0.75的能带结构及光学性质进行了模拟计算。计算结果表明:在90%~100%的压应变范围,立方相Ca2P0.25Si0.75的带隙随着压应变增加逐渐减小;在100%~102%张应变范围,带隙随着张应变增加逐渐增大,张应变为102%时,带隙达到最大,Eg=0.513 9 eV;当张应变大于102%,立方相Ca2P0.25Si0.75转化为间接带隙半导体。在102%~120%应变范围,带隙随着应变增大而减小。当施加应变后立方相Ca2P0.25Si0.75的光学性质发生显著变化:增加压应变,立方相Ca2P0.25Si0.75的介电常数、折射率及吸收系数逐渐增加;增加张应变,反射率增加。因此,采用(100)应变可调制立方相Ca2P0.25Si0.75的能带结构和光学常数,是一种有效调节其光电传输性能的手段。
岑伟富杨吟野范梦慧杨文帮姚娟
关键词:光学性质第一性原理
(111)应变对正交相Ca_2P_(0.25)Si_(0.75)能带结构及光学性质影响的理论研究被引量:1
2015年
采用第一性原理平面波贋势方法对(111)应变下正交相Ca2P0.25Si0.75的能带结构及光学性质进行模拟计算.计算结果表明:(111)面在晶格发生100%-104%张应变时,带隙随着应变增加而增大;在晶格发生104%-112%压应变时,带隙随着张应变的增加而减小;88%-100%压应变时,带隙随着压应变的增加而减小;当压应变达到88%后转变为导体.当施加应变后光学性质发生显著的变化,随着压应变的增加静态介电常数、折射率逐渐减小,张应变则反之.施加压应变反射向高能方向偏移,施加张应变反射向低能方向偏移.施压应变吸收谱增大,施加张应变吸收谱变小.综上所述,应变可以改变Ca2P0.25Si0.75的电子结构和光学常数,是调节Ca2P0.25Si0.75光电传输性能的有效手段.
岑伟富杨吟野范梦慧姚娟杨恒张再军
关键词:光学性质第一性原理
非局部分数阶椭圆型方程在主特征值附近解的多重性
2014年
利用山路引理、Ekeland变分原理及鞍点定理,得到了一类非局部分数阶椭圆型方程在主特征值附近解的多重性。
姚娟郭灵钟索洪敏
关键词:EKELAND主特征值多重性
一类分数阶椭圆形算子系统近共振问题的多重解
2006年,Furtado和de Paiva利用极大极小值原理和Morse理论建立了椭圆系统共振问题的四个存在性结果;2010年,Suo和Toan利用环绕定理和局部鞍点定理建立了合作椭圆系统近共振问题的四个存在性结果;2...
郭灵钟姚娟容红索洪敏
关键词:多重解
(110)应变对立方相Ca_2P_(0.25)Si_(0.75)能带结构及光学性质的影响被引量:3
2015年
采用第一性原理贋势平面波方法对(110)应变下立方相Ca_2P_(0.25)Si_(0.75)的能带结构及光学性质进行模拟计算,全面分析了应变对Ca_2P_(0.25)Si_(0.75)能带结构、光学性质的影响.计算结果表明:在92%~100%压应变范围内随着应变的逐渐增大导带向低能方向移动,价带向高能方向移动,带隙呈线性逐渐减小,但始终为直接带隙;在100%~102%张应变范围内随着应变的增加,带隙呈逐渐增大,应变达到102%直接带隙最大Eg=0.54378 e V;在102%~104%应变范围内随着应变的增加,带隙逐渐减小;当应变大于104%带隙变为间接带隙且带隙随着应变增大而减小.施加应变Ca_2P_(0.25)Si_(0.75)的介电常数、折射率均增大;施加压应变吸收系数增加,反射率减小;施加张应变吸收系数减小,反射率增加.综上所述,应变可以改变Ca_2P_(0.25)Si_(0.75)的电子结构和光学常数,是调节Ca_2P_(0.25)Si_(0.75)光电传输性能的有效手段.
岑伟富杨吟野范梦慧姚娟杨文帮黄金保
关键词:光学性质第一性原理
半线性分数阶椭圆型算子方程近共振问题的多重解被引量:2
2014年
利用临界点理论中的环绕定理研究分数阶椭圆型算子,得到了半线性分数阶椭圆型算子方程在非主特征值处近共振问题的存在性和多重解结果。
郭灵钟姚娟索洪敏张鹏
关键词:环绕定理
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