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周春华

作品数：6 被引量：0H指数：0
供职机构：香港科技大学更多>>

合作作者

文献类型

  • 6篇中文专利

主题

  • 4篇整流
  • 4篇整流器
  • 4篇肖特基
  • 4篇晶体管
  • 4篇场效应
  • 3篇肖特基接触
  • 2篇导体
  • 2篇电极
  • 2篇异质结
  • 2篇欧姆接触
  • 2篇离子
  • 2篇金属
  • 2篇混合电极
  • 2篇二维电子
  • 2篇二维电子气
  • 2篇氟离子
  • 2篇半导体
  • 2篇半导体异质结
  • 2篇半导体整流器
  • 2篇HEMT

机构

  • 6篇香港科技大学

作者

  • 6篇周春华
  • 6篇陈敬
  • 2篇陈万军
  • 2篇袁理
  • 2篇陈洪维

年份

  • 1篇2016
  • 1篇2015
  • 1篇2013
  • 1篇2012
  • 1篇2011
  • 1篇2009
共 6 条 记 录，以下是 1-6
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排序方式：
集成的HEMT和横向场效应整流器组合、方法及系统
本发明提供一种集成的HEMT和横向场效应整流器组合、方法及系统。本发明公开了基于GaN或其它类似半导体材料的集成高效率横向场效应整流器和HEMT的器件、这种集成器件的制造方法及包括这种集成器件的系统。所述横向场效应整流器...
陈敬陈万军周春华
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常关断型三族氮化物金属-二维电子气隧穿结场效应晶体管
本发明提供了制造异质结AlGaN/GaN金属二维电子气（2DEG）隧穿结场效应晶体管（TJ-FET）的结构，器件和方法。一方面，金属-2DEG肖特基隧穿结可以被用在三族氮化物场效应器件上以实现常关断工作模式，大击穿电压，...
陈敬袁理陈洪维周春华
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具有混合电极的晶体管与整流器及其制造方法
本发明提供了具有混合电极的晶体管与整流器及其制造方法。本发明公开一种异质结半导体晶体管，包括：III-氮化物型半导体异质结，该异质结包括有源层以及位于其上方的势垒层；以及混合电极区域，该混合电极区域包括混合漏极区域。此外...
陈敬周春华
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集成的HEMT和横向场效应整流器组合、方法及系统
本发明提供一种集成的HEMT和横向场效应整流器组合、方法及系统。本发明公开了基于GaN或其它类似半导体材料的集成高效率横向场效应整流器和HEMT的器件、这种集成器件的制造方法及包括这种集成器件的系统。所述横向场效应整流器...
陈敬陈万军周春华
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常关断型三族氮化物金属-二维电子气隧穿结场效应晶体管
提供了制造异质结AlGaN/GaN金属二维电子气（2DEG）隧穿结场效应晶体管（TJ-FET）的结构，器件和方法。一方面，金属-2DEG肖特基隧穿结可以被用在三族氮化物场效应器件上以实现常关断工作模式，大击穿电压，低漏电...
陈敬袁理陈洪维周春华
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具有混合电极的晶体管与整流器及其制造方法
本发明提供了具有混合电极的晶体管与整流器及其制造方法。本发明公开一种异质结半导体晶体管，包括：III-氮化物型半导体异质结，该异质结包括有源层以及位于其上方的势垒层；以及混合电极区域，该混合电极区域包括混合漏极区域。此外...
周春华陈敬
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