吴晓光
- 作品数：7 被引量：16H指数：1
- 供职机构：中国科学院半导体研究所更多>>
- 发文基金：国家重点基础研究发展计划国家杰出青年科学基金教育部留学回国人员科研启动基金更多>>
- 相关领域：理学电子电信更多>>
- 固态量子计算的若干重要物理问题研究被引量：15
- 2004年
- 量子计算机拥有比经典计算机更为强大的计算能力 .人们普遍认为量子计算机最终将会在固态系统中实现 .文章介绍了一些有关固态量子计算的研究进展 ,其中包括超导电荷量子比特方案、几何量子计算、量子点量子比特及量子计算若干基本问题研究 .
- 李树深吴晓光郑厚植
- 关键词：量子计算量子信息量子比特核磁共振量子相干
- 低温退火对稀磁半导体(Ga,Mn)As性质的影响被引量：1
- 2005年
- 利用低温分子束外延技术在GaAs(001)上外延生长出厚度为500nm的稀磁半导体(Ga,Mn)As薄膜.双晶X射线衍射证明其为闪锌矿结构,晶格参数为0.5683nm,据此推导出其Mn含量为7%.磁测量结果揭示其铁磁转变温度为65K.观察了低温退火处理对(Ga,Mn)As磁性质的影响,发现生长后退火处理显著提高了其铁磁转变温度,可以达到115K.
- 邓加军赵建华蒋春萍牛智川杨富华吴晓光郑厚植
- 关键词：稀磁半导体铁磁性分子束外延
- 二维电子气集体激发模的软化和Rashba自旋轨道耦合
- 我们研究了 Rashba 自旋轨道耦合对二维电子气集体激发模的影响。在 Hartree-Fock 近似下,我们计算了垂直磁场中二维电子气的密度响应。在同旋共振模的低能端还有一支集体激发模,研究表明,随自旋轨道耦合强度的变...
- 徐兰君吴晓光
- 文献传递
- 一种增加闪锌矿结构锑化铬厚度的生长方法
- 本发明涉及电子学器件技术领域，利用InGaAs作为缓冲层来增加半金属铁磁体闪锌矿结构锑化铬(zb－CrSb)厚度的分子束外延生长方法。包括分子束外延生长系统、源炉温度控制系统、五种元素固体源(包括Ga、As、In、Cr、...
- 赵建华邓加军毕京峰牛智川杨富华吴晓光郑厚植
- 文献传递
- 一种增加闪锌矿结构锑化铬厚度的生长方法
- 本发明涉及电子学器件技术领域，利用InGaAs作为缓冲层来增加半金属铁磁体闪锌矿结构锑化铬(zb-CrSb)厚度的分子束外延生长方法。包括分子束外延生长系统、源炉温度控制系统、五种元素固体源(包括Ga、As、In、Cr、...
- 赵建华邓加军毕京峰牛智川杨富华吴晓光郑厚植
- 文献传递
- 无磁场测量稀磁半导体镓锰砷铁磁转变温度的方法
- 一种通过测量输运性质确定稀磁半导体镓锰砷铁磁转变温度的方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤1：将镓锰砷样品刻蚀成霍尔元件形状，采用铟压焊技术制作电极，该电极与恒流源和电压表连接；步骤2：将步骤1所述的霍尔元件放入闭循环制...
- 赵建华蒋春萍郑厚植邓加军杨富华牛智川吴晓光
- 文献传递
- 无磁场测量稀磁半导体镓锰砷铁磁转变温度的方法
- 一种通过测量输运性质确定稀磁半导体镓锰砷铁磁转变温度的方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤1：将镓锰砷样品刻蚀成霍尔元件形状，采用铟压焊技术制作电极，该电极与恒流源和电压表连接；步骤2：将步骤1所述的霍尔元件放入闭循环制...
- 赵建华蒋春萍郑厚植邓加军杨富华牛智川吴晓光
- 文献传递
