吴嘉丽
- 作品数：38 被引量：64H指数：6
- 供职机构：中国工程物理研究院电子工程研究所更多>>
- 发文基金：中国工程物理研究院科学技术发展基金中国工程物理研究院电子工程研究所科技创新基金国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信机械工程理学一般工业技术更多>>
- 低g值微惯性开关单向敏感性设计与分析被引量：1
- 2012年
- 选用典型的"弹簧-质量"系统,基于平面矩形螺旋梁结构,研制了一种具有良好单向敏感性的低g值微惯性开关。采用ANSYS有限元软件,对惯性开关的单向敏感性进行了静力学仿真分析。分析结果表明,横向加速度对惯性开关闭合阈值的影响较小。采用MEMS体硅加工工艺和圆片级封装技术,包括KOH腐蚀、ICP刻蚀和喷涂工艺等关键工艺技术,完成了微惯性开关的制备。经离心试验测试,微惯性开关的闭合阈值约为12.26g,具有约±0.2g的闭合精度。当横向惯性加速度小于15g时,对其闭合阈值的影响小于0.5g。测试结果表明,微惯性开关具有较好的单向敏感性,多次测试重复性好,具有体积小、结构简单、加工容易实现、环境适应性好等特点。
- 王超陈光焱吴嘉丽
- 关键词：微机电系统
- 硅衬底的化学机械抛光工艺研究
- 在分析硅衬底CMP的动力学过程基础上,提出了在机械抛光去除产物过程中,适当增强化学作用可显著改善产物的质量传输过程,从而提高抛光效率。在对不同粒径分散度的氧化铈抛光液进行比较后提出了参与机械研磨的有效粒子数才是机械抛光过...
- 谭刚吴嘉丽
- 关键词：硅衬底动力学过程
- 文献传递
- 高浓度硼扩散硅片CMP工艺研究
- 2009年
- "叉指式微加速度计"的研制,需要使用高浓度硼扩散硅片,而硅片经过高浓度硼扩散后,硅片双面生长了一层硼硅玻璃,很难将其去除,不能在高浓度硼扩散层上制作更好的"叉指式微加速度计"结构。针对上述问题,在CMP研磨抛光工艺中,针对上述问题,在CMP研磨抛光工艺中,选择合适的研磨料和抛光料以及研磨盘和抛光盘,通过对浆料浓度、流量大小、抛光温度进行改进,优化研磨抛光工艺流程及工艺参数,以完成高浓度硼扩散硅片的表面平坦化。
- 谭刚吴嘉丽唐海林
- 关键词：化学机械抛光平坦化
- SiH_2CL_2-NH_3-N_2体系LPCVD Si_3N_4薄膜因素分析被引量：1
- 2005年
- 以二氯甲硅烷和氨气分别作为低压化学气相淀积(LPCVD)氮化硅(Si3N4)薄膜的硅源和氨源,以高纯氮气为载气,在热壁型管式反应炉中反应生成Si3N4薄膜。考察了工作压力、反应温度、气体原料组成等因素对Si3N4薄膜淀积速率的影响。结果表明:Si3N4薄膜的生长速率随着工作压力的增大单调增大,随着原料气中氨气和二氯甲硅烷的流量之比的增大单调减小。随着反应温度的升高,淀积速率逐渐增加,在840℃附近达到最大,随后迅速降低。在适当的工艺条件下,制备的Si3N4薄膜均匀、平整。较低的薄膜淀积速率有助于提高薄膜的均匀性,降低薄膜的表面粗糙度。
- 谭刚吴嘉丽
- 关键词：LPCVD氮化硅薄膜淀积速率
- 双框架解耦微陀螺原理样机研制
- 2010年
- 为了把驱动工作模态和检测工作模态有效隔离,以减小模态间的互相干扰,设计了一种双框架解耦微机械陀螺。通过采用可工程化的鲁棒优化结构设计和工艺补偿的制造工艺,实现了工艺误差范围内的稳健设计。这种内外框架结构的微陀螺设计,包括自激闭环驱动电路和开环检测电路,对微陀螺进行测试,得到微陀螺驱动模态品质因素>2000,检测模态品质因素>800,量程为2400°/s,线性度<0.3%,灵敏度为1°/s。
- 唐海林刘显学周浩郑英彬张茜梅施志贵吴嘉丽
- 关键词：微陀螺检测电路
- 激光点火系统用高功率光纤光开关被引量：2
- 2011年
- 仿真和实验研究了一种控制Nd:YAG脉冲激光能量通断的光纤直接连接型光开关。建立光纤耦合模型,分析了光纤对准误差中对耦合效率的影响,其中横向偏移的影响最显著。采用微机电系统V型槽固定光纤,微小型凸轮作为制动器,步进电机驱动凸轮旋转,微小型凸轮与移动光纤相切,带动光纤移动,实现两光纤的错开和对准。制造了这种高功率直接连接型光纤光开关原理样机,并进行了主要性能测试。测试结果表明,这种光开关能够满足激光点火系统的大容量、高隔离度的要求。
- 赵兴海杨波单光存高杨杨晴吴嘉丽谭刚苏伟袁明权张茜梅屈明山
- 关键词：激光点火
- 微机械G开关的研制被引量：10
- 2005年
- 设计制作了一种微机械G开关,该微加速度开关采用微机电系统(MEMS)体加工工艺,其敏感元件由螺旋梁支撑的检测质量块和它下面的微触点构成,在外界加速度作用下,检测质量块发生位移,完成与触点的接通。经离心测试,在通电0.8A情况下,接通门限值为2.8gn,接通电阻为0.6Ω;经振动测试,不响应高于85Hz的高频振动,在5×104gn高冲击下,测试未见损坏。
- 陈光焱吴嘉丽赵龙
- 关键词：触点
- SiH2Cl2-NH3-N2体系热壁LPCVD Si3N4膜工艺研究
- 2004年
- 介绍了利用SiH2Cl2-NH3-N2体系LPCVD制备Si3N4薄膜的工艺,借助椭圆偏振仪研究了薄膜的厚度及折射率.结果表明:当原料气中氨气与二氯甲硅烷的流量之比(R)较小时(R≤2),获得富Si的Si3N4薄膜,折射率较高.当氨气远远过量时(R＞4),折射率处于1.95～2.00之间.在适当的工艺条件下,获得的Si3N4薄膜表面均匀、平整,折射率达到理想值.
- 谭刚吴嘉丽
- 关键词：LPCVD氮化硅薄膜折射率
- 低压化学气相淀积多晶硅薄膜工艺研究被引量：3
- 2006年
- 在研制器件过程中,多晶硅制备的工艺条件对其性能影响较大。讨论了低压化学气相淀积(LPCVD)关键材料多晶硅薄膜的基本原理,考察了工作压力、反应温度等对多晶硅薄膜淀积速率的影响,以及影响多晶硅薄膜质量的因素,提出了改进措施,优化了多晶硅制备工艺参数,制备了合格的多晶硅薄膜。
- 谭刚吴嘉丽李仁锋
- 关键词：低压化学气相淀积多晶硅薄膜淀积速率
- 应用双埋层SOI工艺制备低g值微惯性开关被引量：7
- 2012年
- 采用双埋层SOI(Silicon-On-Insulator)材料,结合KOH腐蚀工艺、电感耦合等离子体(ICP)刻蚀工艺、阳极键合以及喷雾式涂胶工艺,研制了一种基于平面矩形螺旋梁的低g值微惯性开关。利用二氧化硅KOH腐蚀/ICP刻蚀自停止的特点,平面矩形螺旋梁厚度的精度为±0.46μm。分析了双埋层SOI材料的电学特性,采用等电位技术,实现了双埋层SOI与上下两层硼硅玻璃的阳极键合。采用玻璃无掩模湿法腐蚀技术,在玻璃封盖底部设计制作了大小为200μm×200μm的防粘连凸台,解决了芯片在清洗干燥过程中的粘连问题。采用ICP刻蚀用硅衬片方法,解决了ICP刻蚀工艺中高温导致的金硅共晶合金问题。实验验证显示,提出的方法效果较好,芯片成品率得到较大提高,为大批量地研制低g值微惯性开关提供了可靠的工艺基础。
- 王超吴嘉丽陈光焱
- 关键词：等电位
