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吕凯

作品数：45 被引量：0H指数：0
供职机构：中国科学院上海微系统与信息技术研究所更多>>
相关领域：电子电信自动化与计算机技术更多>>

合作作者

文献类型

  • 44篇专利
  • 1篇期刊文章

领域

  • 14篇电子电信
  • 2篇自动化与计算...

主题

  • 15篇阈值电压
  • 14篇驱动电流
  • 9篇射频
  • 9篇晶体管
  • 8篇氧化层
  • 8篇栅氧化
  • 8篇栅氧化层
  • 8篇本征
  • 6篇电路
  • 6篇电阻
  • 6篇接触区
  • 6篇版图
  • 6篇N型
  • 6篇P型
  • 6篇SOI
  • 5篇MOSFET
  • 4篇低功耗
  • 4篇电路设计
  • 4篇电压
  • 4篇多晶

机构

  • 45篇中国科学院
  • 1篇上海大学

作者

  • 45篇吕凯
  • 37篇罗杰馨
  • 37篇陈静
  • 34篇柴展
  • 32篇王曦
  • 28篇何伟伟
  • 26篇黄建强
  • 8篇董业民
  • 6篇伍青青
  • 3篇林泽
  • 3篇余涛
  • 2篇杨燕
  • 1篇单毅

传媒

  • 1篇电子学报

年份

  • 2篇2022
  • 2篇2021
  • 6篇2020
  • 8篇2019
  • 3篇2018
  • 6篇2017
  • 8篇2016
  • 6篇2015
  • 4篇2013
共 45 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
提高部分耗尽型SOI器件射频性能的制备方法
本发明提供一种提高部分耗尽型SOI器件射频性能的制备方法。根据本发明的方法，先在绝缘体上材料结构上形成至少一个器件的源区、栅区、及漏区；随后，对所述源区再进行掺杂使所述源区的部分区域为N型、部分区域为P型；最后再在进行了...
罗杰馨陈静伍青青柴展余涛吕凯王曦
文献传递
SOI晶体管四端口网络射频模型参数提取方法
本发明提供一种SOI晶体管四端口网络射频模型参数提取方法，包括以下步骤：1）依据Y<Sub>GG</Sub>提取栅电阻R<Sub>g</Sub>及栅电容C<Sub>gg</Sub>；2）依据Y<Sub>GS</Sub>提...
陈静吕凯罗杰馨王曦
文献传递
一种MOSFET的建模方法
本发明提供一种MOSFET的建模方法，包括步骤：首先，获得模型的源漏寄生电阻；然后，将获得的模型的源漏寄生电阻挂到DC模型上，进行IV/CV特性拟合；最后，当IV/CV特性拟合精度满足要求时，进行S参数的拟合，直至S参数...
陈静吕凯罗杰馨柴展何伟伟黄建强王曦
文献传递
一种柔性SOI器件结构及其制备方法
本发明提供一种柔性SOI器件结构及其制备方法，该结构自下而上依次包括：柔性衬底；第一背栅区、第二背栅区以及背栅间隔离部；绝缘埋层；位于绝缘埋层上方的第一有源区、第二有源区，以及器件隔离部，该第一、第二有源区分别包括：栅区...
常永伟董业民吕凯
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SOI动态阈值晶体管
本发明提出了一种SOI动态阈值晶体管，包括半导体衬底、第一多叉指栅极结构、第二多叉指栅极结构、体接触区、源区、漏区及第一接触孔；栅极通过第一接触孔与体接触区相连接。通过采用体接触区公用的方法，可以提高体接触区利用率，降低...
陈静吕凯罗杰馨柴展何伟伟黄建强王曦
文献传递
多叉指栅极结构MOSFET的版图设计
本发明提出了一种多叉指栅极结构MOSFET的版图设计，包括半导体衬底、第一多叉指栅极结构、第二多叉指栅极结构、体接触区、源区及漏区，体接触区为第一多叉指栅极结构及第二多叉指栅极结构共用。通过采用体接触区公用的方法，可以提...
陈静吕凯罗杰馨柴展何伟伟黄建强王曦
P型动态阈值晶体管、制备方法及提高工作电压的方法
本发明提供一种P型动态阈值晶体管、制备方法及提高工作电压的方法，包括衬底结构，PMOS器件及PN结器件；PN结器件的N区与PMOS器件的体接触区连接，PN结器件的P区与PMOS器件的栅连接。在N型本征区中进行两次P型重掺...
陈静吕凯罗杰馨柴展何伟伟黄建强王曦
文献传递
基于改进1-π拓扑结构的螺旋电感可扩展模型
2017年
随着射频集成电路空前发展,电感作为射频电路中重要无源器件应用越来越广.目前其仿真模型应用频率范围较窄并且仿真结果与测试结果拟合较差.本文提出了基于0.13μm SOI CMOS工艺的片上螺旋电感修改模型.模型采用了1-π等效电路,包含有表征衬底涡流的RL并联网络并且改进了由趋肤效应引起的金属线圈中涡流的表征.利用数理统计中的回归分析方法,得到扩展模型参数的表达式.制备了13种不同尺寸的片上螺旋电感用于验证模型.本文提出的方法,对不同尺寸的电感在频率达到自谐振频率以上的行为提供了更好的电路解释.
林泽林泽陈静罗杰馨
关键词：射频电感可扩展拓扑结构
一种SOI MOSFET总剂量模型参数确定方法
本发明提供一种SOI MOSFET总剂量模型参数确定方法，包括如下步骤：S1：获取SOI MOSFET在不同剂量辐照下开、关两种工作状态下的转移特性数据与传输特性数据；S2：筛选步骤S1得到的数据，并导入测试数据到参数提...
陈静黄建强罗杰馨柴展吕凯何伟伟
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SOI晶体管四端口网络射频模型参数提取方法
本发明提供一种SOI晶体管四端口网络射频模型参数提取方法，包括以下步骤：1）依据Y<Sub>GG</Sub>提取栅电阻R<Sub>g</Sub>及栅电容C<Sub>gg</Sub>；2）依据Y<Sub>GS</Sub>提...
陈静吕凯罗杰馨王曦
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