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叶必光

作品数：13 被引量：39H指数：4
供职机构：浙江大学材料与化学工程学院更多>>
发文基金：国家自然科学基金浙江省自然科学基金更多>>
相关领域：金属学及工艺电子电信一般工业技术更多>>

合作作者

文献类型

  • 11篇期刊文章
  • 2篇专利

领域

  • 7篇金属学及工艺
  • 4篇电子电信
  • 2篇一般工业技术

主题

  • 6篇铜
  • 3篇渗硅
  • 3篇气相沉积
  • 3篇抗氧化
  • 3篇抗氧化性
  • 3篇改性
  • 3篇CVD
  • 3篇表面改性
  • 2篇电阻率
  • 2篇渗层
  • 2篇渗硅层
  • 2篇生长温度
  • 2篇铜表面
  • 2篇排气
  • 2篇排气量
  • 2篇气相外延
  • 2篇膜层
  • 2篇化合物
  • 2篇化学气相
  • 2篇化学气相沉积

机构

  • 13篇浙江大学

作者

  • 13篇叶必光
  • 12篇沈复初
  • 8篇郦剑
  • 7篇毛志远
  • 3篇甘正浩
  • 3篇陈坚
  • 2篇刘立
  • 1篇田丽
  • 1篇袁骏
  • 1篇龚晨光

传媒

  • 3篇浙江大学学报...
  • 3篇材料科学与工...
  • 1篇Journa...
  • 1篇金属热处理
  • 1篇腐蚀科学与防...
  • 1篇金属热处理学...
  • 1篇浙江大学学报...

年份

  • 1篇2003
  • 1篇2001
  • 4篇1997
  • 3篇1996
  • 1篇1993
  • 1篇1992
  • 2篇1991
共 13 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
铜表面气体渗硅涂层的抗氧化性能研究被引量：7
1997年
对用硅烷－氢（ＳｉＨ４／Ｈ２）混合气体在Ｃｕ表面进行化学热处理获得的含硅涂层进行了抗氧化性研究．结果表明，纯铜表面含硅涂层的形成提高了材料的抗氧化性能．对含硅铜涂层的氧化机理进行了探讨．
沈复初毛志远郦剑叶必光甘正浩晋圣发
关键词：抗氧化性XPS铜
铜的表面改性热处理新方法初探被引量：1
1996年
本文介绍了含硅气氛下纯铜低温ＣＡＤ表面改性的高频感应加热设备，ＣＶＤ装置以及相应的测温装置和手段．进行了纯铜ＣＶＤ表面改性的初步研究．结果表明，在６００℃左右的温度下．利用硅烷－氢（ＳｉＨ４／Ｈ２）混合气在纯铜试样表面的热分解，能够获得铜－硅化合物表层，其硬度较基体有很大的提高．当形成铜硅固溶体时，硬度无明显变化．
沈复初叶必光郦剑毛志远甘正浩晋圣发
关键词：表面改性CVD铜
硅烷减压外延
1992年
本文研究了减压工艺对外延层质量的影响。在使用氢等离子体原位清洁过的硅衬底表面上,利用减压(200～250乇)工艺可以在980～1000℃的温度下生长出高质量外延层。衬底——外延层界面的掺杂浓度在8×10^(18)/cm^3到10^(14)/cm^3之间的过渡区从常压时的1.0μm减小到0.4μm;电阻率和厚度的不均匀性分别小于5％和4％;而且能明显地抑制硅烷的气相分解;极大地提高了外延层的结晶质量。
沈复初叶必光陈坚龚晨光
关键词：硅烷IC硅外延层
铜在含硅气氛中表面改性的化学热处理研究被引量：6
1996年
对铜在含硅气氛中低温沉积、随后进行扩散处理的表面化学热处理进行了研究。使用光学显微镜、Ｘ射线衍射（ＸＲＤ）仪、电子探针（ＥＰＭＡ）等对渗层进行了显微硬度、成分和结构分析，探讨了工艺参数对渗层的影响。研究结果表明，通过这种表面化学热处理可以在铜表面形成Ｃｕ５Ｓｉ和Ｃｕ１５Ｓｉ４，其硬度较基体有很大提高。
沈复初叶必光郦剑毛志远甘正浩晋圣发
关键词：表面改性化学热处理铜
半导体气相外延的减压方法及系统
一种半导体气相外延的减压方法及系统。方法特征是外延气压在10～500托下进行外延生长，反应后的气体被抽走。系统特征包括出水管、喷水腔组成的水抽气射流循环装置。出水管的喷水嘴在喷水腔内。反应室与排气管间设置了真空压力计、调...
叶必光沈复初陈坚
文献传递
铜的表面含硅渗层的结构与性能被引量：16
1997年
本文综述了利用ＳｉＨ４／Ｈ２混合气体在纯铜表面获得的含硅渗层的结构和性能。试验结果表明：通过纯铜表面气体渗硅这一新的化学热处理方法，其表面获得含硅渗层，可以改善铜的表面摩擦磨损。
甘正浩毛志远沈复初郦剑叶必光
关键词：渗硅层抗氧化性铜
铜表面气体渗硅后的滑动摩擦磨损研究被引量：6
1997年
本文对用硅烷－氢（ＳｉＨ４／Ｈ２）混合气体在铜表面进行化学热处理获得的含硅表层进行了摩擦磨损研究．结果表明，在铜表面生成的含硅层可以降低摩擦系数；在低负荷干摩擦条件下。
沈复初毛志远郦剑叶必光甘正浩晋圣发
关键词：渗硅铜化学处理渗硅
铝基底上SiO_x陶瓷膜层的CVD制备及结构性能被引量：2
2003年
本研究采用常压化学气相沉积(CVD)的方法在金属铝基底上制备出硅氧化合物陶瓷膜层.介绍了陶瓷膜层的制备工艺及设备.通过SEM、TEM观察了该膜层的形貌,并用XPS测定了膜层的成分,用TEM分析了陶瓷膜层的结构特征.通过拉伸实验、划痕实验及弯曲实验考察了陶瓷膜层与铝基底的结合性能,结果表明,膜层与基底的结合非常好.
刘立郦剑叶必光沈复初
关键词：化学气相沉积法CVD膜结构
铜在SiH_4/H_2混合气氛中获得的渗硅层的抗氧化性能被引量：4
1997年
研究了用硅烷－氢（ＳｉＨ４／Ｈ２）混合气体在铜表面获得的渗硅层的抗氧化性，结果表明，纯铜表面渗硅层的形成提高了材料的抗高温氧化性能。本文对渗硅层的氧化机理进行了探讨。
沈复初毛志远郦剑叶必光
关键词：抗氧化性纯铜渗层
半导体气相外延的减压方法及系统
一种半导体气相外延的减压方法及系统。方法特征是外延气压在10～500托下进行外延生长，反应后的气体被抽走。系统特征包括出水管、喷水腔组成的水抽气射流循环装置。出水管的喷水嘴在喷水腔内。反应室与排气管间设置了真空压力计、调...
叶必光沈复初陈坚
文献传递
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