包志豪
- 作品数：5 被引量：5H指数：1
- 供职机构：南京大学更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：一般工业技术电气工程理学化学工程更多>>
- 铁电材料Bi<,4>Ti<,3>O<,12>中取代和掺杂效应的研究
- 近二十年来，铁电材料由于铁电存储器的实现而被广泛研究.但现有用于铁电存储器的两种铁电材料PZT和SBT存在着或多或少的缺点.如PZT薄膜在普通的Pt电极上耐疲劳性较差，SBT的剩余极化较小，制备温度较高.性能更优越的铁电...
- 包志豪
- 关键词：铁电材料
- 文献传递
- Bi<,4>Ti<,3>O<,12>陶瓷及其A和B位掺杂的介电研究
- 测量了Bi<,4>Ti<,3>O<,12>陶瓷及其A和B位掺杂的系列材料介电损耗.在温度损耗谱上观察到一损耗峰,通过氧处理和内耗等相关实验手段,证实该峰(P1峰)是与氧空位有关的弛豫峰.同时观察该峰随不同掺杂类型的变化,...
- 姚阳阳宋春花包志豪朱劲松王业宁
- 关键词：介电损耗铁电体掺杂
- 文献传递
- La掺杂对SrBi<,4>Ti<,4>O<,15>铁电介电性能影响
- 研究了La掺杂对SrBi<,4>Ti<,4>O<,15>铁电介电性能影响.当La含量为0.75时得到剩余极化2P<,r>极大值为17.8μC/cm<'2>,同时介电常数呈现极大.随La掺杂浓度升高,相变温度T<,c>降低...
- 陈轶平包志豪朱劲松王业宁
- 关键词：铁电介电掺杂
- 文献传递
- Bi_4Ti_3O_(12)陶瓷及其A和B位掺杂的介电研究被引量：4
- 2002年
- 测量了Bi_4Ti_3O_12(BTO)陶瓷及其A和B位掺杂的系列材料介电损耗.在温度损耗谱上观察到一损耗峰,通过氧处理和内耗等相关实验手段,证实该峰(P1峰)是与氧空位有关的弛豫峰.同时观察该峰随不同掺杂类型的变化,分析了BTO陶瓷B位掺杂对铁电性的影响.
- 姚阳阳宋春花包志豪朱劲松王业宁
- 关键词：介电损耗铁电性铁电体钛酸铋
- La掺杂对SrBi_4Ti_4O_(15)铁电介电性能影响
- 2002年
- 研究了La掺杂对SrBi_4Ti_4O_15铁电介电性能影响.当La含量为0.75时得到剩余极化2Pr 极大值为17.8μC/cm^2,同时介电常数呈现极大.随La掺杂浓度升高,相变温度T_c降低.
- 陈轶平包志豪朱劲松王业宁
- 关键词：LA掺杂介电性能SRBI4TI4O15镧掺杂
