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刘雪梅

作品数：13 被引量：0H指数：0
供职机构：清华大学深圳研究生院更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 13篇中文专利

领域

  • 1篇电子电信

主题

  • 11篇存储信息
  • 10篇冗余
  • 10篇冗余结构
  • 6篇商用
  • 6篇拉管
  • 4篇功耗
  • 3篇低功耗
  • 3篇电压
  • 3篇动态补偿
  • 3篇时序控制
  • 3篇漏电
  • 3篇漏极
  • 3篇可恢复
  • 2篇电压控制
  • 2篇电源电压
  • 2篇信息恢复
  • 2篇源极
  • 2篇冗余存储
  • 2篇冗余节点
  • 2篇阈值电压

机构

  • 13篇清华大学

作者

  • 13篇刘雪梅
  • 13篇潘立阳
  • 5篇伍冬

年份

  • 1篇2017
  • 3篇2016
  • 2篇2015
  • 1篇2014
  • 6篇2013
共 13 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
一种冗余结构静态随机存储单元
本发明公开一种包括：第一至第四上拉管、第一至第四下拉管、第一至第四负载管，以及第一至第四门管。由上可知，本发明在传统的SRAM结构基础上，在下拉管漏极与上拉管漏极之间增加负载管，由于负载管的阈值为负电压，则在无软错误的情...
潘立阳刘雪梅伍冬陈虹麦宋平
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一种冗余结构存储单元
本发明提出一种冗余结构存储单元，包括：第一开关管、第二开关管、第三开关管和第四开关管；第一存储管、第二存储管、第三存储管和第四存储管；以及第一动态漏电补偿管、第二动态漏电补偿管、第三动态漏电补偿管和第四动态漏电补偿管。本...
潘立阳刘雪梅伍冬
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一种静态随机存储单元
本发明公开一种静态随机存储单元，包括：第一至第四上拉管、第一至第四下拉管、第一至第四负载管，以及第一至第四门管。本发明的静态随机存储单元在传统的DICE结构基础上，在下拉管漏极与上拉管漏极之间增加负载管，由于负载管的阈值...
潘立阳刘雪梅伍冬陈虹麦宋平
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一种冗余结构动态随机访问存储单元
本发明提出一种冗余结构动态随机访问存储单元，包括：写开关管、存储管、读开关管、冗余开关管、冗余存储管，第一、第二动态漏电补偿管，其中，写开关管、冗余开关管栅极受写入时序控制，漏极与写入位线相连，源极分别与存储管、冗余存储...
潘立阳刘雪梅伍冬
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一种具有漏电补偿的动态随机访问存储单元
本发明提出一种具有漏电补偿的动态随机访问存储单元，包括：写控制开关管、存储管、读控制开关管以及漏电补偿管，其中，写控制开关管栅极受写入时序控制，漏极与写入位线相连，源极与存储管栅极相连，存储管栅极与写控制开关管极相连存储...
潘立阳刘雪梅伍冬
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一种冗余结构静态随机存储单元
本发明公开一种包括：第一至第四上拉管、第一至第四下拉管、第一至第四负载管，以及第一至第四门管。由上可知，本发明在传统的SRAM结构基础上，在下拉管漏极与上拉管漏极之间增加负载管，由于负载管的阈值为负电压，则在无软错误的情...
潘立阳刘雪梅伍冬陈虹麦宋平
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一种冗余结构存储单元
本发明提出一种冗余结构存储单元，包括：第一开关管、第二开关管、第三开关管和第四开关管；第一存储管、第二存储管、第三存储管和第四存储管；以及第一动态漏电补偿管、第二动态漏电补偿管、第三动态漏电补偿管和第四动态漏电补偿管。本...
潘立阳刘雪梅伍冬
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一种冗余结构静态随机存储单元
本发明公开一种冗余结构静态随机存储单元，包括：第一至第四上拉管、第一至第四下拉管、第一至第四负载管，以及第一至第四门管。本发明在传统的SRAM结构基础上，在下拉管漏极与上拉管漏极之间增加负载管，由于负载管的阈值在-VDD...
潘立阳刘雪梅伍冬陈虹麦宋平
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随机访问存储器单元结构、随机访问存储器及其操作方法
本发明提出随机访问存储器单元结构、随机访问存储器及其操作方法，该单元结构包括：N型门管、P型门管、N型晶体管和P型晶体管，其中，N型晶体管的源极与器件内部可调低电压相连，P型晶体管的源极与器件内部可调电源电压相连，N型晶...
潘立阳刘雪梅伍冬
一种冗余结构静态随机存储单元
本发明公开一种冗余结构静态随机存储单元，包括：第一至第四上拉管、第一至第四下拉管、第一至第四负载管，以及第一至第四门管。本发明在传统的SRAM结构基础上，在下拉管漏极与上拉管漏极之间增加负载管，由于负载管的阈值在-VDD...
潘立阳刘雪梅伍冬陈虹麦宋平
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