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刘运宏: 作品数：13 被引量：19H指数：3; 供职机构：北京师范大学核科学与技术学院射线束技术与材料改性实验室更多>>; 发文基金：北京市自然科学基金国家自然科学基金北京市优秀人才培养资助更多>>; 相关领域：电气工程理学航空宇航科学技术电子电信更多>>

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LM118J-8和OP07运算放大器电路抗γ辐射实时模拟研究被引量：1: 2007年; 利用60coγ射线模拟空间环境辐射,对卫星电源控制器中LM118J-8和OP07两种运算放大器电路进行剂量率为0.06和0.22 Gy(Si)/s,总剂量为3000 Gy(Si)辐射的实时在线研究。结果表明:随辐射剂量增加,OP07电路的输出电压在低剂量100Gy(Si)时就有明显变化,而LM118J-8电路的输出电压在辐射剂量高于900Gy(Si)时出现明显变化。LMIl8J-8运算放大器的抗辐射性能优于OP07放大器。引起LM118J-8、OP07性能退化、功能失效的主要原因是辐射感生了界面态。; 段立颖王荣徐伟刘运宏孙旭芳; 关键词：运算放大器 Γ射线

C离子辐射对空间GaAs/Ge太阳电池性能影响研究: GaAs/Ge太阳电池是一种有望在空间得到广泛应用的新型空间太阳电池.为了确保它在空间多种离子辐射环境中可靠有效地工作,人们开展了大量的GaAs/Ge太阳电池质子、电子辐射效应研究工作[1,2,3].但空间辐射环境中不仅...; 刘运宏王荣孙旭芳段立颖; 关键词：太阳电池离子辐射重离子辐射; 文献传递

0．28-2．80MeV质子辐射对空间实用GaInP／GaAs／Ge多结太阳电池性能的影响被引量：2: 2008年; 用0.28、0.62和2.80 MeV质子束模拟空间辐射对国产MOCVD方法制备的GaInP/GaAs/Ge多结电池进行质子辐射效应研究。辐照注量为1×10^(12)cm^(-2)。对电池的辐射效应用I-V特性和光谱响应测试进行分析。结果表明:随质子辐照能量的增加,太阳电池性能参数I_(sc),V_(oc),p_(max)和光谱响应的衰降幅度均减小,0.28MeV质子辐照引起电池性能衰降最显著;低能质子辐照引起中间GaAs电池光谱响应衰降更明显。; 刘运宏孙旭芳王荣

国产高效GaInP/GaAs/Ge三结太阳电池的低能质子辐射效应被引量：6: 2007年; 运用2×1.7MV串列静电加速器提供的质子束,对MOCVD方法制备的GaInP/GaAs/Ge三结电池进行低能质子辐射效应研究.选质子能量为0.28,0.62和2.80MeV,辐照注量为1×1010,1×1011,1×1012和1×1013cm-2.对电池的辐射效应用I-V特性和光谱响应测试进行分析.研究结果表明:随辐照注量的增加,太阳电池性能参数Isc,Voc和Pmax的衰降幅度均增大;但随质子辐照能量的增加,Isc,Voc和Pmax的衰降幅度均减小.实验中0.28MeV质子辐照引起电池Isc,Voc,Pmax衰降最显著,三结电池中光谱响应衰降最明显的是中间GaAs电池.; 王荣刘运宏孙旭芳崔新宇; 关键词：质子辐照光谱响应

0.4~2.6 MeV宽能区质子在轻核Al上160°背散射截面测量: 2006年; 应用北京师范大学2×1．7MeV串列加速器提供的质子束，采用相对测量方法测量了0．4～2．6MeV宽能区质子在轻核Al上160°背散射截面．结果表明，对于质子在轻核Al上的散射截面，可用卢瑟福散射截面公式计算的最大入射质子能量是1．5MeV，质子能量大于该值时，出现连续的非卢瑟福散射共振区．; 孙旭芳王荣刘运宏王广甫; 关键词：质子

空间GaAs/Ge太阳电池离子辐照效应移位损伤剂量分析: 为了确保作为航天器主电源的太阳电池在空间辐射环境中可靠有效地工作,非常有必要对国产空间GaAs/Ge太阳电池开展辐射效应研究。目前,人们普遍采用地面实验加速器提供的离子对太阳电池进行辐照,来研究其性能衰降随离子能量、注量...; 刘运宏王荣王永霞; 关键词：太阳电池归一化离子对 GAAS/GE 离子辐照; 文献传递

国产新型GaAs/Ge太阳电池空间粒子辐射效应研究: 本文利用2×1.7 MV串列静电加速器提供的质子束和碳离子束辐照GaAs/Ge太阳电池，入射质子能量为0.28 MeV、0.62 MeV和2.80 MeV，注量为1×10<'10>～1×10<'13>cm<'-2>;入射...; 刘运宏; 关键词：太阳电池质子束; 文献传递

量子阱GaAs太阳电池性能随质子辐照注量的变化被引量：1: 2005年; 2MeV,1×109~2×1013cm-2质子辐照量子阱GaAs太阳电池,用I-V特性和光谱响应测试分析辐射效应.研究表明,随辐照注量增大,电池Isc,Voc,Pmax衰降程度增大,相同的注量,Pmax衰降程度最大.当辐照注量大于3×1012cm-2时,电池Isc衰降程度比Voc的大,当注量小于3×1012cm-2时,电池Voc衰降程度比Isc的大,与量子阱结构受到损失有关.在整个波长范围,随辐照注量增加,相对光谱响应的衰降变化增大,在900~1000nm波长范围,2×1013cm-2质子辐照电池使量子阱光谱响应特性消失.; 杨靖波王荣孙旭芳刘运宏段立颖; 关键词：GAAS太阳电池质子辐照

质子辐照与电子辐照对空间GaAs/Ge太阳电池性能影响比较被引量：5: 2006年; 利用地面实验室加速器提供的离子束模拟空间质子、电子辐射,分别对空间实用GaAs/Ge太阳电池进行不同注量的辐照,并跟踪测试其电性能变化和深能级瞬态谱,研究这种太阳电池的电性能参数随质子、电子辐照注量的变化关系,得到质子、电子辐射效应及两者辐射效应的联系规律.结果表明:引起电池性能参数衰降相同时,1 MeV电子辐照注量比10 MeV质子的通常要大3个量级,质子辐照与电子辐照使电池性能参数Pmax下降了25%时,辐照注量有近似关系Φ1 MeV(e)≈2 500×Φ10 MeV(p).10 MeV,3×1012cm-2质子辐照在电池材料中引入Ec-0.18 eV和Ec-0.65 eV深能级,1 MeV,1×1015cm-2电子辐照在电池材料中引入Ec-0.12 eV和Ec-0.18 eV深能级,电子、质子辐照产生的损伤缺陷不尽相同.; 孙旭芳王荣刘运宏郭增良张新辉; 关键词：GAAS/GE太阳电池质子辐照电子辐照

GaAs/Ge太阳电池电子辐射效应的移位损伤剂量分析被引量：2: 2015年; 引入移位损伤剂量,对国产空间用GaAs/Ge太阳电池电子的辐射效应进行研究分析。首先计算电子在电池中的非电离能损(non-ionizing energy loss,NIEL)值,再用其与电子辐射注量的相乘,得到相应的移位损伤剂量(displacement damage dose,Dd),并对不同能量电子辐射下GaAs/Ge太阳电池最大输出功率Pmax随Dd的衰降曲线进行修正。分析结果表明:用Dd代替辐射注量,可使不同能量电子辐射引起的GaAs/Ge太阳电池Pmax的衰降能用单一曲线来描述。由此,通过NIEL值的计算和相对少的电子实验数据,就可确定太阳电池Pmax的衰降曲线,能够方便地预测在轨任务太阳电池的工作寿命。; 王荣刘运宏鲁明冯钊易天成; 关键词：GAAS/GE太阳电池电子辐射