刘运传
- 作品数：47 被引量：95H指数：5
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- 相关领域：化学工程理学一般工业技术电子电信更多>>
- 化学法测定InxGa1-xN外延层中的In含量
- 2020年
- 采用熔融氢氧化钠对生长在蓝宝石衬底上的InxGa1-xN外延层进行化学腐蚀,通过深紫外光致发光光谱仪测量InxGa1-xN的激发光谱来控制其腐蚀过程,用硫酸和氨水对腐蚀InxGa1-xN后得到的的腐蚀溶液进行酸度调节,加入碘化钾、乙基紫与铟离子形成蓝色的离子缔合物,用苯将离子缔合物萃取至有机相,采用分光光度计测量腐蚀溶液在619 nm波长处的吸光度来计算外延层中的In含量。使用该方法测试6次,测试结果的标准偏差为0.25%,测量结果与卢瑟福背散射法的测量结果基本一致,说明该方法具有较高的精密度和准确度。该方法可用于InxGa1-xN外延层中的In含量的准确测量。
- 王雪蓉刘运传王倩倩周燕萍姚凯马衍东
- 关键词：分光光度法化学腐蚀化学法缔合物
- 聚乙烯炭黑含量国标测试方法的探讨被引量：1
- 2014年
- 针对GB/T 13021-1991规定的聚乙烯炭黑含量测试方法,应用质量管理(QC)程序进行了试验条件的细化及调整,确定了样品量0.5g、热解600℃下恒温30min、灼烧750℃下恒温10min、气流量70mL·min-1的最佳试验条件,提高了工程用聚乙烯管材、管件及其原材料炭黑含量测试的准确度和重复性,同时对此类测试标准的改进具有重要意义。
- 周燕萍孟祥艳王雪蓉魏莉萍刘运传
- 关键词：聚乙烯炭黑含量质量管理
- 利用光致发光法测定Al_xGa_(1-x)N外延膜中的铝元素含量被引量：5
- 2012年
- 采用深紫外光致发光技术测量AlxGa1-xN半导体异质外延膜的禁带宽度,结合Material Studio软件中的CASTEP模块模拟计算AlxGa1-xN异质外延膜材料的弯曲因子,测定了AlxGa1-xN外延膜样品中的Al元素物质的量分数。结果表明,发射波长为224.3nm的HeAg激光器能够激发AlxGa1-xN半导体材料产生发光现象。CASTEP软件模拟计算得到AlxGa1-xN的弯曲因子为1.01462±0.06772eV,认为其弯曲因子在1.0eV附近,由此可以理论计算得到具有Al组分梯度的一系列AlxGa1-xN外延膜样品中的Al元素物质的量分数。
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- 关键词：光致发光
- 一种铝镓氮晶片外延层中铝元素含量的测试方法
- 本发明属于计量测试技术领域，涉及化学成分量测试技术领域。本发明涉及的铝镓氮晶片外延层中铝元素含量的试验方法，采用熔融的氢氧化钠对铝镓氮晶片外延层多次刻蚀，刻蚀掉的样品经过盐酸中和，形成铝元素的强酸性溶液，采用分光光度法测...
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- 铟镓氮晶片外延层中铟元素含量的测试方法
- 本发明属于计量测试技术领域，涉及的铟镓氮晶片外延层中铟元素含量的测试方法铝采用碱熔法对铟镓氮晶片外延层进行表面刻蚀，用硫酸中和刻蚀液，用硫酸或氨水进行酸度调节，采用铟—乙基紫络合显色体系，用分光光度法测定络合体系的吸光度...
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- 利用高分辨X射线衍射技术计算铝镓氮外延膜的晶格参数被引量：2
- 2010年
- 利用高分辨X射线衍射(HRXRD)技术对在蓝宝石衬底上用金属有机化学气相沉积(MOCVD)方法生长的Al组分含量为0.63的AlGaN外延膜进行晶格参数的精确计算.通过对Al0.63Ga0.37N的对称晶面和非对称晶面进行ω/2θ扫描,以及对零点误差和晶面间距的修正,能够计算得到六方晶系Al0.63Ga0.37N外延膜的水平晶格常数a和垂直晶格常数c分别为0.31301 nm和0.50596 nm.通过对各种影响因素的分析和校正,可以得出二者的测量偏差分别为0.00001 nm和0.00002 nm.
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- 关键词：高分辨X射线衍射晶格常数
- 一种沥青改性聚甲基丙烯酸甲酯塑料及制备方法
- 本发明属于高分子材料技术领域。以甲基丙烯酸甲酯为主体，添加沥青作为改性助剂，在提高有机玻璃主体韧性的同时，赋予材料稳定的燃烧性能。本发明涉及的沥青改性聚甲基丙烯酸甲酯塑料，本体聚合而成，原材料组成至少包括：甲基丙烯酸甲酯...
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- 钼酚醛树脂成碳率测量的影响因素及其不确定度被引量：1
- 2009年
- 酚醛树脂的成碳率受样品自身及成碳条件的各种因素影响,使其成碳率的热重法(TGA)测量结果因试验条件不同而不同。为掌握其中关系,以便对酚醛树脂体系的成碳率做出正确的测评,本文通过试验考察了样品粒径分布、氮气流速、样品量等因素对钼酚醛树脂成碳率测量结果的影响程度与规律,并对其测量不确定度进行了分析。结果表明,样品粒径分布与样品量是影响钼酚醛树脂成碳率的主要因素,在常规测试条件下,TGA法测量钼酚醛树脂成碳率的扩展不确定度为0.9%。
- 魏莉萍刘运传郑会保孟祥艳周燕萍
- 关键词：TGA钼酚醛树脂测量不确定度
- 一种防护热板法导热系数测量装置
- 本发明属于测量技术领域。采用单试样、下热板炉体结构，在冷板表面设置位移传感器，用冷板位移描述样品在测试过程中的体积变化，实现导热与线胀参数的同时测量；采用一维热流传导方式，减小环境因素影响，保证测量数据客观性。本发明涉及...
- 刘运传孟祥艳郑会保王康周燕萍段剑王雪蓉段晓喻王倩倩冀克俭
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- 汽油硫含量标准物质及其制备方法
- 本发明属于化学计量技术领域。以经稳定化处理的商品汽油为原料油，以汽油构成的硫化物作为调配组分配制。本发明涉及的汽油硫含量标准物质，由商品汽油和四氢噻吩、硫醇、硫醚、苯并噻吩、噻吩和烷基取代噻吩组成，总硫含量介于200mg...
- 周燕萍魏莉萍孟祥艳王雪蓉李峙澂刘运传王康段晓喻王倩倩
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