刘衍芳
- 作品数：16 被引量：4H指数：2
- 供职机构：合肥工业大学更多>>
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- 相关领域：理学石油与天然气工程自动化与计算机技术电子电信更多>>
- NSRL光电子能谱站控制系统的改造
- 2007年
- 为了适应同步辐射应用技术发展的需要,我们对NRSL光电子能谱站的控制系统进行了改造,并设计出由3个16 bit D/A转换而成的精度较高的18 bit D/A.经过对其稳定性、重复性进行测试表明18 bit D/A达到设计要求.经过对Au 4f的XPS测试,改造后的总分辨率优于400 meV.
- 刘衍芳潘海斌徐法强
- 关键词：光电子能谱分析器BITD/A线宽
- 一种Mn<Sup>4+</Sup>掺杂的氟铝酸盐红色荧光粉、其制备方法及其应用
- 本发明公开了一种Mn<Sup>4+</Sup>掺杂的氟铝酸盐红色荧光粉、其制备方法和应用，所述方法的步骤如下：于聚四氟乙烯容器中加入氢氟酸和水，再加入K<Sub>2</Sub>MnF<Sub>6</Sub>，搅拌使其溶解...
- 陈雷田云飞费米何良锐陈杰张强刘衍芳
- 文献传递
- 室温下Cu/3C-SiC(111)界面形成的研究被引量：2
- 2009年
- 用同步辐射光电子能谱(SRPES)和X射线光电子能谱(XPS)的方法研究了室温下Cu/3C-SiC(111)界面的形成。在超高真空下,Cu慢慢沉积到2ML。Cu2p3/2用XPS测得,结合能从沉积0.08ML时的933.1eV移动到沉积2ML的932.8eV,Si2p用同步辐射光测得,峰位从未沉积时的43.55eV移动到沉积2ML的43.87eV,峰形状未发生变化,表明Cu与衬底之间没有发生化学反应,薄膜的生长开始为二维生长,超过0.1ML时变为三维生长,SiC的表面有表面态存在,当沉积少量的Cu时,表面态消失。随着Cu的沉积价带(VB)发生弯曲,肖特基势垒高度增加,在沉积2MLCu时肖特基势垒变为1.2eV。
- 刘衍芳李亮刘金锋刘忠良徐彭寿徐法强潘海斌
- 关键词：CU肖特基势垒同步辐射光电子能谱
- 一种用于AC-LED的绿色荧光材料及其制备方法
- 本发明公开了一种用于AC-LED的绿色荧光材料及其制备方法，其中用于AC-LED的绿色荧光材料的组成通式为：(M<Sub>1-x-y</Sub>I<Sub>x</Sub>Eu<Sub>y</Sub>)Al<Sub>2</...
- 陈雷张耀刘法涌罗安琪王雷刘衍芳蒋阳
- 文献传递
- 一种具有杜瓦夹层的高效节能无污染固化炉
- 本发明公开了一种具有杜瓦夹层的高效节能无污染固化炉，包括固化炉炉体、加热棒、反射涂层、杜瓦夹层、可移动式托架、贴片式温度传感器、制冷板和真空抽气系统，真空抽气系统包括机械泵、阀门和真空计，极限真空度为0.1Pa，通过改进...
- 王国栋姚吉恺刘衍芳束民涛徐壮壮方世晟李恒霖张世恒张祖斌
- 一种具有日光可见光部分光谱结构的LED光源及灯具
- 本发明公开了一种具有日光可见光部分光谱结构的LED器件及光源，所述LED器件包括蓝光LED芯片或蓝色荧光粉，进而利用青色荧光粉、绿色荧光粉、橙色荧光粉和红色荧光粉，在LED器件发射光谱中混入青色、红色、绿色和橙色光谱成分...
- 陈雷费米陈杰何良锐田云飞刘衍芳张强
- 文献传递
- 一种使用蓝色发光层的OLED或柔性透明显示器件
- 本发明公开了一种嘧勒胺修饰的g‑C<Sub>3</Sub>N<Sub>4</Sub>蓝色荧光粉及其制备和应用。所述荧光粉的成分为嘧勒胺(C<Sub>6</Sub>N<Sub>10</Sub>H<Sub>6</Sub>)修...
- 陈雷费米田云飞陈杰何良锐刘衍芳张强
- 文献传递
- 一种基于深度学习红外多维融合算法的基础油检测装置及检测方法
- 本发明属于分析检测的技术领域，具体涉及一种基于深度学习红外多维融合算法的基础油检测装置及检测方法，包括傅里叶红外光谱仪和设于傅里叶红外光谱仪的样品仓内的样品机构，样品机构包括L形的安装台、光学系统和样品架；晶片上滴入基础...
- 宁宇凤仪张竞成程盛钱刚尹昊琰吴晓静刘衍芳陆军汪洋王波汪波崔毅
- 光电子能谱线站的建设及Cu/3C-SiC界面的研究
- 本论文的内容主要包括两个方面，一个是NSRL(National Synchrotron Radiation Laboratory)光电子能谱光束线和实验站的建设，一个是对Cu/3C-SiC界面的研究。
NSRL...
- 刘衍芳
- 关键词：光束线宽带隙半导体材料电子迁移率
- Ti/n型6H-SiC(0001)接触界面的研究被引量：2
- 2012年
- 用同步辐射光电子能谱(SRPES)和X射线光电子能谱(XPS)的方法研究了Ti/n型6H-SiC(0001)的接触界面。Ti/n型6H-SiC(0001)样品采用磁控溅射的方法获得,然后将表面的Ti用氩离子刻蚀的方法慢慢刻蚀掉,Ti2p3/2用XPS测得,结合能从刻蚀时间为245 min的457.86 eV逐渐移动到刻蚀时间为255 min时的457.57 eV,移动约为0.3 eV。Si2p用同步辐射光测得,结合能从刻蚀245 min时的101.12 eV移动到干净的100.67 eV,峰形状未发生变化,表明Ti与衬底之间没有发生化学反应,SiC的价带发生弯曲,形成的势垒高度为0.89 eV。向SiC上蒸Si 2.5 min,退火30 min,观察LEED花样,发现当发射电流为30mA,能量37 eV时,SiC表面有√3*√3重构,发射电流为40 mA时,有6√3*6√3的重构。
- 刘衍芳潘海斌
- 关键词：TI6H-SIC肖特基势垒X射线光电子能谱
