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刘易

作品数：6 被引量：0H指数：0
供职机构：北京大学更多>>

合作作者

文献类型

  • 6篇中文专利

主题

  • 4篇拓扑
  • 4篇基于拓扑
  • 2篇电池
  • 2篇电荷
  • 2篇电荷收集
  • 2篇电极
  • 2篇形貌
  • 2篇太阳能
  • 2篇太阳能电池
  • 2篇添加剂
  • 2篇能隙
  • 2篇稳态输出
  • 2篇绝缘
  • 2篇绝缘体
  • 2篇钙钛矿
  • 2篇半金属
  • 2篇薄膜形貌
  • 2篇FET
  • 2篇HEMT
  • 2篇测量方法

机构

  • 6篇北京大学

作者

  • 6篇刘易
  • 4篇王健
  • 2篇龚旗煌
  • 2篇马铮
  • 2篇朱瑞
  • 2篇胡芹
  • 2篇王慧超
  • 2篇罗德映

年份

  • 1篇2019
  • 1篇2018
  • 1篇2017
  • 2篇2015
  • 1篇2013
共 6 条 记 录，以下是 1-6
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排序方式：
一种基于拓扑绝缘体的磁场测量计及其测量方法
本发明公开了一种基于拓扑绝缘体的磁场测量计及其测量方法。本发明的磁场测量计包括：探头和分析器；其中，探头为平板状的拓扑绝缘体；分析器为磁阻信号分析器；磁场的方向垂直于拓扑绝缘体的表面；在拓扑绝缘体的表面设置有一对电流电极...
王健马铮刘易赵弇菲王慧超
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一种基于拓扑半金属的FET和HEMT及其制备方法
本发明公开了一种基于拓扑半金属的FET和HEMT及其制备方法。本发明的场效应晶体管包括：衬底；形成在衬底上的沟道层；分别形成在沟道层上两侧的源极和漏极；形成在沟道层上源极和漏极之间的栅极；沟道层采用n型掺杂或p型掺杂的砷...
王健刘易赵弇斐
文献传递
一种基于拓扑半金属的FET和HEMT及其制备方法
本发明公开了一种基于拓扑半金属的FET和HEMT及其制备方法。本发明的场效应晶体管包括：衬底；形成在衬底上的沟道层；分别形成在沟道层上两侧的源极和漏极；形成在沟道层上源极和漏极之间的栅极；沟道层采用n型掺杂或p型掺杂的砷...
王健刘易赵弇斐
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一种基于拓扑绝缘体的磁场测量计及其测量方法
本发明公开了一种基于拓扑绝缘体的磁场测量计及其测量方法。本发明的磁场测量计包括：探头和分析器；其中，探头为平板状的拓扑绝缘体；分析器为磁阻信号分析器；磁场的方向垂直于拓扑绝缘体的表面；在拓扑绝缘体的表面设置有一对电流电极...
王健马铮刘易赵弇斐王慧超
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一种添加剂辅助的钙钛矿太阳能电池及其制备方法
本发明公布了一种添加剂辅助的钙钛矿太阳能电池及其制备方法，从下到上依次包括底层基板、底电极层、底层电荷收集层、活性吸光层、顶层电荷收集层和顶电极层；底电极层和顶电极层中至少一侧为透明；活性吸光层为添加剂辅助生长的钙钛矿半...
朱瑞罗德映赵丽宸胡芹刘易龚旗煌
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一种添加剂辅助的钙钛矿太阳能电池及其制备方法
本发明公布了一种添加剂辅助的钙钛矿太阳能电池及其制备方法，从下到上依次包括底层基板、底电极层、底层电荷收集层、活性吸光层、顶层电荷收集层和顶电极层；底电极层和顶电极层中至少一侧为透明；活性吸光层为添加剂辅助生长的钙钛矿半...
朱瑞罗德映赵丽宸胡芹刘易龚旗煌
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