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刘勃

作品数:5 被引量:6H指数:2
供职机构:西安建筑科技大学材料科学与工程学院更多>>
发文基金:陕西省自然科学基金陕西省教育厅产业化培育项目更多>>
相关领域:理学一般工业技术轻工技术与工程金属学及工艺更多>>

文献类型

  • 5篇中文期刊文章

领域

  • 2篇理学
  • 1篇金属学及工艺
  • 1篇轻工技术与工...
  • 1篇一般工业技术

主题

  • 4篇XO
  • 4篇ZN
  • 3篇X
  • 3篇CD
  • 2篇纳米
  • 1篇带隙
  • 1篇制备及性能
  • 1篇润湿
  • 1篇润湿角
  • 1篇润湿性
  • 1篇热蒸发
  • 1篇热蒸发法
  • 1篇热蒸发法制备
  • 1篇纳米管
  • 1篇纳米线
  • 1篇晶体
  • 1篇晶体生长
  • 1篇光致
  • 1篇光致发光
  • 1篇光致发光特性

机构

  • 5篇西安建筑科技...

作者

  • 5篇刘勃
  • 5篇王发展
  • 3篇赵超
  • 3篇原思聪
  • 3篇张顾钟
  • 2篇张志军
  • 1篇雷哲锋

传媒

  • 1篇无机材料学报
  • 1篇热加工工艺
  • 1篇材料导报
  • 1篇物理化学学报
  • 1篇化学进展

年份

  • 1篇2011
  • 1篇2010
  • 2篇2009
  • 1篇2008
5 条 记 录,以下是 1-5
排序方式:
热蒸发法制备Zn_(1-x)Cd_xO纳米管及其生长机制研究被引量:4
2009年
采用热蒸发纯Zn粉和Cd粉,在湿反应气氛中氧化制备得到掺Cd的ZnO纳米管,其Cd含量为3.3at%.场发射扫描电镜(FESEM)及高分辨透射电镜(HRTEM)分析表明,大部分纳米管外径约80~150nm,长度达数微米,壁厚约20nm.通过与相同条件下制备的ZnO纳米结构的室温光致发光谱(PL)进行对比发现,由于Cd的掺入,Zn1-xCdxO纳米管的紫外近带边峰(UVNBE)从3.26eV红移到3.20eV附近.分析认为,Zn1-xCdxO纳米管遵循气-液-固(VLS)生长机制,并在此基础上提出Zn1-xCdxO纳米管生长过程,同时指出Kirkendall效应可能对纳米管的形成起到了重要作用.
刘勃王发展张顾钟赵超原思聪
关键词:纳米管
纳米涂覆对材料表面润湿性的影响
2010年
为了探讨纳米涂覆对材料表面润湿性的影响,以塑料为基体进行了Cu、非晶态纳米SiO2涂层对试样润湿性影响的座滴试验研究,并利用扫描电镜(SEM)和接触角测量仪对试样界面微观形貌的变化进行了观察以及接触角的测定,最后采用多项对比和理论分析相结合的方法,对材料润湿性的改善机理做出解释。结果表明,纳米涂覆对材料表面润湿性的改善起到了重要作用,试样经非晶态纳米SiO2涂覆处理后,形成牢固的润湿界面,H2O/PVC(聚氯乙烯)的润湿角从45.2°减小到28.3°,润湿性显著提高。
张顾钟王发展刘勃
关键词:润湿性润湿角
三元荆棘状Zn_(1-x)Cd_xO纳米结构及其光致发光特性被引量:3
2008年
以锌粉(Zn)、镉粉(Cd)为源材料,金(Au)做催化剂,采用热蒸发法,在硅(Si)衬底上制备出掺Cd摩尔分数为6.7%的三元荆棘状Zn1-xCdxO单晶纳米结构.荆棘状纳米结构样品的主干直径均一,约为100nm.主干两侧刺的直径和长度分别约为10和100nm.由于Cd替位原子对ZnO带隙的调节作用,样品的近带边(NBE)紫外(UV)发射从3.37eV红移到3.13eV.结果表明,氧气(O2)分压是形成荆棘状Zn1-xCdxO纳米结构的重要条件.
张志军王发展刘勃原思聪
关键词:ZNO纳米线晶体生长
Cd掺杂量对Zn_(1-x)Cd_xO合金带隙的影响
2011年
回顾了国内外Zn1-xCdxO合金带隙研究的发展历程,总结和归纳了近10年来关于Zn1-xCdxO合金中Cd原子分数x与Eg(eV)关系的数据及理论等研究成果。在此基础上,以近10年来文献中的试验数据作为分析样本,考虑多种情况对其进行回归拟合,并对不同拟合方法及Cd含量对Eg的影响进行了深入的分析讨论,建立了Cd含量x与Eg的经验关系式(x-Eg关系式)。与试验值相比,使用新x-Eg关系式预测得到的Eg值与其符合得较好,表明所建立的关系式能比较准确地反映Zn1-xCdxO合金中Cd含量x与Eg之间的关系。
赵超王发展雷哲锋张顾钟刘勃
三元Zn_(1-x)Cd_xO纳米结构的制备及性能
2009年
本文综述了三元Zn1-xCdxO纳米结构的制备和性能以及近年来国内外的最新研究进展。重点介绍了Zn1-xCdxO纳米结构的分类,包括Zn1-xCdxO薄膜、纳米线、纳米棒、荆棘状纳米结构等;并对不同的制备方法进行了讨论,详细阐述了其电学、光学等性能方面的最新研究成果;最后指出当前研究中存在的一些问题,并对今后的应用和研究做了展望。
刘勃王发展赵超原思聪张志军
共1页<1>
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