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余运涛

作品数：2 被引量：2H指数：1
供职机构：重庆邮电大学光电工程学院更多>>
发文基金：重庆市自然科学基金重庆市教育委员会科学技术研究项目更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 1篇期刊文章
  • 1篇学位论文

领域

  • 2篇电子电信

主题

  • 2篇低电压
  • 2篇低噪
  • 2篇低噪声
  • 2篇低噪声放大器
  • 2篇电压
  • 2篇放大器
  • 1篇电路
  • 1篇电路分析
  • 1篇短沟道
  • 1篇短沟道效应
  • 1篇性能系数
  • 1篇增益
  • 1篇折叠式共源共...
  • 1篇线性度
  • 1篇共源共栅
  • 1篇沟道
  • 1篇沟道效应
  • 1篇高线性
  • 1篇高线性度
  • 1篇CMOS_L...

机构

  • 2篇重庆邮电大学

作者

  • 2篇余运涛
  • 1篇杨虹

传媒

  • 1篇电子质量

年份

  • 2篇2011
共 2 条 记 录，以下是 1-2
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排序方式：
0.9V 2.4GHz CMOS低噪声放大器设计被引量：2
2011年
使用TSMC 0.18μm RF CMOS工艺,设计一个低电压折叠式共源共栅结构低噪声放大器(LNA)。利用性能系数FoM(Figure of Merit)衡量其整体性能,并通过仿真找到使FoM最大的偏置电压。使用Cadence Spectre RF仿真表明,在0.9V电源下,2.4GHz处的反射系数良好,噪声系数NF仅为0.82dB,正向增益S21为18.84dB,三阶互调点IIP3为-10.3dBm,功耗仅为5.12mW,表明该文方法可以为窄带LNA设计提供指导。
杨虹余运涛
关键词：低噪声放大器低电压折叠式共源共栅性能系数增益
低电压高线性度2.4GHz CMOS LNA的设计
对电路进行分析首先要有精确的模型，本文通过对MOSFET的短沟道效应的研究，提出一个简化设计模型来反映强反型饱和区MOSFET工作情况。运用该模型可以分析MOSFET的大、小信号特性。利用Cadence SpectreR...
余运涛
关键词：低噪声放大器电路分析短沟道效应低电压
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