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任韬

作品数：2 被引量：4H指数：1
供职机构：上海交通大学微电子学院更多>>
发文基金：上海市浦江人才计划项目国家自然科学基金更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 1篇期刊文章
  • 1篇学位论文

领域

  • 2篇电子电信

主题

  • 2篇有限元
  • 2篇有限元分析
  • 2篇铜互连
  • 2篇互连
  • 1篇电路
  • 1篇电迁移
  • 1篇电阻率
  • 1篇铜互连线
  • 1篇可靠性
  • 1篇互连线
  • 1篇集成电路

机构

  • 2篇上海交通大学

作者

  • 2篇任韬
  • 1篇汪辉
  • 1篇翁妍
  • 1篇徐洁晶

传媒

  • 1篇半导体技术

年份

  • 2篇2007
共 2 条 记 录，以下是 1-2
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排序方式：
铜互连中的电流拥挤效应研究
随着硅集成电路工艺的发展，由于特征尺寸的持续缩小，基于减少RC延迟、增强抗电迁移能力和降低生产成本等诸多需求的考虑，微电子产业已经逐渐转向采用铜（Cu）作为标准的互连导体材料。 目前，建造一座12英寸（300m...
任韬
关键词：可靠性有限元分析电阻率集成电路
文献传递
铜互连线内电流拥挤效应的影响被引量：3
2007年
提出了一种新的测试结构(S结构),通过实验、理论推导和有限元分析,研究了铜与TaN扩散阻挡层界面的电流拥挤效应对电迁移致质量输运特性的影响。实验和有限元分析表明,铜互连线内由于电流拥挤效应的存在,在用户温度下沿特定通道输运的局部原子通量显著增大,而焦耳热所产生的温度梯度对原子通量和通量散度增大的影响则相对有限。
任韬翁妍徐洁晶汪辉
关键词：铜互连电迁移有限元分析
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共1页<1>
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