于浩
- 作品数：13 被引量：6H指数：2
- 供职机构：浙江大学更多>>
- 发文基金：浙江省教育厅科研计划浙江省自然科学基金教育部留学回国人员科研启动基金更多>>
- 相关领域：电子电信自动化与计算机技术经济管理建筑科学更多>>
- 房地产住宅空置率与国民经济相关性问题研究
- 随着我国改革开放的不断深入和国民经济持续增长,房地产业获得了较大的发展。但是,阻碍和制约房地产业健康发展的因素也越来越多,最能引起人们注意的就是商品住宅空置问题。本文根据目前我国房地产市场飞速发展同时该领域关于房地产市场...
- 于浩
- 关键词：住宅空置率国际警戒线指标体系
- 文献传递
- 元胞级碳化硅功率集成芯片中LDMOS和高压电容的设计与研究
- 直流升压转换器(DC-DCBoostConverter)的发展要求提高工作频率，减小无源元件的体积，从而提高其功率密度。采用碳化硅(SiC)器件以及将换流回路进行元胞级集成则是实现其高频化的良好途径。本论文主要对元胞级S...
- 于浩
- 文献传递
- 一种引入纵向沟道结构的功率集成芯片
- 本发明涉及一种引入纵向沟道结构的功率集成芯片，包括：P型衬底区、纵向耐压区、隔离区、MOSFET和二极管区域；所述二极管区域包括二极管、N‑横向漂移区和纵向沟道区；P型衬底区位于芯片底部，P型衬底区上方设置纵向耐压区，纵...
- 盛况刘立王珏于浩
- 文献传递
- 一种多模式可计算的SRAM单元电路及其控制方法
- 本发明公开了一种多模式可计算的SRAM单元电路及其控制方法。包括两个结构相同的逻辑子电路，包括由反向串联的MOSFET晶体管构成的两个反向器、两个存取管及两组计算和读取单元；两个反向器的MOSFET晶体管间引出连接到两个...
- 李正豪杭国强王珏于浩李焕
- 文献传递
- 一种横向4H-SiC MOSFET功率器件
- 本发明公开了一种横向4H‑SiC MOSFET功率器件。自下而上包括：P+衬底、P‑外延层、P埋层、N‑漂移区、Pwell区、Ptop区、P+接触区、N+源区、N+漏区、二氧化硅介质层、源极、漏极和栅极；其中Ptop区分...
- 于浩王珏杭国强李正豪邹源
- 文献传递
- 摄动热电机三参量有限元对DSAW声波力学的研究
- 2003年
- 压电石英声表面波(PSAW)装置结构的实际扰动压电声表面波(DPSAW)特性受电极几何材料参数的扰动影响,而温度又将进一步影响DPSAW基频和波速。除了电极影响外,该文还考虑高阶温度系数的影响。由于对带热带电极各向异性分层压电材料结构,还没有或很难获得理论解,该文首次利用高效高精度三参量摄动热-机-电有限单元方法,即声元和应力元法,力图为计算热压电/力学奠定理论基础,优化电极厚度。精确计算了在一定温度下各阶温度系数对SAW谐振器波速波频的影响,以利于温度/电极耦合补偿设计。简单模拟计算热表面贴片封装应力(SMS)变形,得到了一系列不同温度下有用的计算值。自由表面SAW理论解和室温试验数据与数值计算结果一致,验证了该热压电有限元理论的可靠性。
- 张武赵勇陈建军杨骊先郭鼎康唐锦春于浩
- 关键词：温度影响
- Autocad平台下三角形及四边形网格的生成和相应的网格生成器的研制
- 有限元前处理网格自动生成是制约有限元方法应用的主要瓶颈之一,该文讨论了从众多的有限元网格生成算法中采用Delaunay技术生成网格.该文第一章给出了有限元网格的一般描述和评价网格的标准,介绍和分析了几种典型的有限元三角形...
- 于浩
- 关键词：有限元四边形单元
- 文献传递
- 一种SiC MOSFET浪涌性能测试方法
- 本发明公开了一种SiC MOSFET浪涌性能的测试方法。将场效应管器件放置在测试探针台上，连接浪涌电流产生电路和驱动电路，设置输出电流幅值和周期并施加到场效应管器件进行浪涌测试，测量得到不同幅值浪涌电流下的源漏电压、经过...
- 李焕王珏杭国强李正豪于浩
- 文献传递
- 一种改进的生成有限元全四边形网格的铺砌法被引量：3
- 2005年
- 对不规则区域适应能力强、边界拟合程度高的铺砌法进行了改进。单元不再是逐层生成,而是逐个生成,大大简化了相交情况的判断和处理;在网格生成前对初始边界小内角节点进行先处理,增强了边界适应性;同时提出一种节点位置计算方法。用VC开发了相应的网格生成器,最后用算例进行了验证。
- 方兴张武唐锦春于浩
- 关键词：有限元网格生成四边形单元
- 一种多模式可计算的SRAM单元电路及其控制方法
- 本发明公开了一种多模式可计算的SRAM单元电路及其控制方法。包括两个结构相同的逻辑子电路，包括由反向串联的MOSFET晶体管构成的两个反向器、两个存取管及两组计算和读取单元；两个反向器的MOSFET晶体管间引出连接到两个...
- 李正豪杭国强王珏于浩李焕
- 文献传递
