乔冠军
- 作品数：383 被引量：1,003H指数：17
- 供职机构：江苏大学更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划国家高技术研究发展计划更多>>
- 相关领域：化学工程一般工业技术金属学及工艺理学更多>>
- 具有电阻突变性的复合高分子薄膜材料的制备方法
- 本发明公开了一种具有电阻突变性的复合高分子薄膜材料的制备方法，首先按质量份数，在100份的蒸馏水中加入5～15份的聚乙烯醇，搅拌使聚乙烯醇充分溶解得PVA溶液；然后称取聚乙烯醇质量的20～60％的硝酸银，用少许蒸馏水使其...
- 杨建锋梁森柯高潮胡志英张笑王波乔冠军
- 热处理对层状SiC/Si复合材料结构和性能的影响(英文)
- 2009年
- 牛皮纸浸酚醛树脂,经叠层、固化、碳化,最后,埋入硅粉中,在N2气保护下加热到1400℃,再抽真空并升温至1550℃,保温60min,使碳化样品与液态硅充分反应,制备了SiC/Si层状陶瓷复合材料。复合材料的密度、强度分别为2.20g/cm3和435MPa。将SiC/Si层状复合材料分别在氮气和真空中,于1440℃进行再热处理。研究了再热处理后材料的组成、显微结构和气孔率、强度等物理性能。结果表明:在氮气气氛下再热处理60min,样品的密度、强度分别达2.32g/cm3和455MPa,此时,因SiC/Si层状复合材料中Si与C经扩散迁移而反应形成更多的SiC,使材料的密度、强度提高。在真空环境中1400℃再热处理30min,样品的密度、强度分别为2.12g/cm3和430MPa,这是由于Si蒸发,样品的质量减少,气孔率大幅度增加,因此,密度和强度略有下降。
- 杨刚宾刘银娟乔冠军王红洁
- 关键词：显微组织物理性能
- SiC复相陶瓷内加热器套管的抗热震及抗氧化性能被引量：4
- 2014年
- 模拟内加热器服役环境,将具有复层结构的碳化硅(SiC)复相陶瓷内加热器套管置于金属铝液中,测试套管各部位材料的抗热震及抗氧化性能。通过X射线衍射和扫描电子显微镜研究材料成分和显微结构的变化,分析确定导致内加热器整体失效的原因及部位。结果表明:SiC复相陶瓷套管内管材料在长效氧化条件下残余强度依然达到270MPa以上,不会导致套管整体失效;外管材料在氧化和热震双重作用下,液面至液面下100mm处的孔隙率明显增加,残余强度显著降低,这是导致内加热器整体失效的主要原因。
- 杨万利史忠旗李永锋赵常见乔冠军金志浩
- 关键词：碳化硅
- 具有阻力特性材料的σ_f－σ关系及一种新的阻力曲线测定方法被引量：3
- 1996年
- 通过对相变增韧增瓷及一种可切削玻璃－陶瓷动态疲劳（恒应力速率）试验中高应力速率区裂应力下降现象的理论分析，发现这种现象与材料的阻力特性（Ｒ－ｃｕｒｖｅ）密切相关，确立的σｆ－σ理论关系能够很好地描述整个应力速率区间内的动态疲劳试验结果，高应力速率区σｆ－σ在双对数坐标下为负斜率直线，直线斜率－ｍ／１－ｍ（ｍ的阻力曲线ＫＲ＝ｋ（△ａ）＾ｍ的指数）断裂主要由材料阻力行为控制，低应力速率区。
- 乔冠军王永兰金志浩周惠久
- 一种SiC陶瓷与SiC陶瓷之间的高温液相连接方法
- 本发明涉及陶瓷与陶瓷高温连接的方法，公开了一种SiC陶瓷与SiC陶瓷之间的高温液相连接方法。它主要包括下述步骤：(1)制备Ni-Si膏剂；(2)前处理SiC陶瓷和制作Mo片；(3)涂敷Ni-Si膏剂；(4)装配及高温连接...
- 乔冠军刘桂武卢天健帕索里尼·阿尔贝托瓦伦扎·法必西欧默罗·玛丽亚·路易贾
- 硅橡胶绝缘子超疏水性表面的制备方法
- 本发明公开了一种硅橡胶绝缘子超疏水性表面的制备方法，其特征在于，包括下述步骤：(1)用分样筛，将磨料筛分出240目至2000目不同目数的砂粒，放置备用。(2)在硅橡胶绝缘子模具的内表面用硅烷偶联剂处理，然后在模具内表面均...
- 金海云周蕊高乃奎彭宗仁乔冠军金志浩
- 文献传递
- 一种碳化硼基复合陶瓷及其制备方法
- 本发明公开了一种碳化硼基复合陶瓷及其制备方法，按重量百分数，包括下述组分：碳化硼粉末45％～50％、酚醛树脂5％～8％、金属硅42％～50％；上述组分称量后，先用酒精溶解酚醛树脂，并加入碳化硼粉料，机械球磨混合均匀：用造...
- 杨建锋刘荣臻谷文炜高积强乔冠军
- 文献传递
- 流延法制备陶瓷薄片的研究进展被引量：56
- 2004年
- 流延成型是一种目前使用较广泛,能够获得高质量、超薄型陶瓷薄片的成型方法。本文论述了流延成型时有机物(包括溶剂、分散剂、粘结剂、增塑剂等)的选择原则、浆料的制备以及流延工艺过程,并对影响流延膜厚度和流延膜质量的因素进行了分析讨论,同时提出了改进流延膜质量的措施。
- 李冬云乔冠军金志浩
- 关键词：流延法流延膜分散剂溶剂润湿剂
- SiC陶瓷表面处理方法及其用途
- 本发明公开了一种SiC陶瓷表面处理方法及其用途，其特征在于，包括下述步骤：先清洗SiC陶瓷表面，然后制备TiH<Sub>2</Sub>膏剂，并在陶瓷表面涂敷TiH<Sub>2</Sub>膏剂，待干燥后，置于真空炉内热处理...
- 刘桂武乔冠军王倩王红洁王继平史忠旗杨建锋
- 等离子活化烧结过程温度场分布研究
- 郭亚杰简文政乔冠军
