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丁晓民

作品数：24 被引量：50H指数：4
供职机构：北京大学东莞光电研究院更多>>
发文基金：国家自然科学基金国家高技术研究发展计划国家杰出青年科学基金更多>>
相关领域：电子电信自然科学总论理学电气工程更多>>

合作作者

文献类型

  • 16篇期刊文章
  • 6篇专利
  • 2篇会议论文

领域

  • 12篇电子电信
  • 2篇电气工程
  • 2篇自然科学总论
  • 2篇理学

主题

  • 9篇发光
  • 6篇半导体
  • 4篇激光
  • 4篇二极管
  • 4篇发光二极管
  • 3篇氮化镓
  • 3篇探测器
  • 3篇紫外光探测器
  • 3篇亮度
  • 3篇光探测
  • 3篇光探测器
  • 3篇高亮
  • 3篇高亮度
  • 3篇半导体材料
  • 3篇INGAN
  • 2篇氮化物
  • 2篇氮化物半导体
  • 2篇氮化物半导体...
  • 2篇岛状
  • 2篇导体

机构

  • 24篇北京大学
  • 1篇长春理工大学
  • 1篇东莞市中镓半...

作者

  • 24篇丁晓民
  • 16篇张国义
  • 15篇杨志坚
  • 9篇秦志新
  • 8篇童玉珍
  • 7篇陈志忠
  • 6篇于彤军
  • 6篇胡晓东
  • 4篇章蓓
  • 4篇李忠辉
  • 2篇陈辰嘉
  • 2篇唐英杰
  • 2篇孙允希
  • 2篇王舒民
  • 2篇陆羽
  • 2篇王学忠
  • 2篇商淑萍
  • 2篇蔡明
  • 2篇王宇芳
  • 2篇康香宁

传媒

  • 4篇发光学报
  • 3篇红外与毫米波...
  • 2篇Journa...
  • 2篇高技术通讯
  • 1篇中国科技论坛
  • 1篇光电子．激光
  • 1篇中国照明电器
  • 1篇科学学研究
  • 1篇电子显微学报
  • 1篇第十三届全国...

年份

  • 1篇2016
  • 1篇2012
  • 1篇2008
  • 1篇2006
  • 4篇2004
  • 1篇2003
  • 5篇2002
  • 3篇2001
  • 2篇2000
  • 2篇1997
  • 1篇1995
  • 2篇1994
共 24 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
高亮度氮化物白光发光二极管及其制备方法
本发明涉及一种高亮度氮化物白光发光二极管及其制备方法,采用氮化物发光二极管芯片作为激发光源,将透明树脂涂覆固化在芯片和金丝上,形成球冠形,再涂覆一层透明树脂和掺铈钇铝石榴石荧光粉的混合物,最后用透明树脂常规封装。这种白光...
张国义杨志坚丁晓民王宇芳唐英杰李忠辉
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高亮度氮化物白光发光二极管及其制备方法
本发明涉及一种高亮度氮化物白光发光二极管及其制备方法，采用氮化物发光二极管芯片作为激发光源，将透明树脂涂覆固化在芯片和金丝上，形成球冠形，再涂覆一层透明树脂和掺铈钇铝石榴石荧光粉的混合物，最后用透明树脂常规封装。这种白光...
张国义杨志坚丁晓民王宇芳唐英杰李忠辉
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一种制备氮化镓基 LED的新方法
本发明涉及一种以氮化镓为基础的Ⅲ－族氮化物半导体材料制备半导体器件的方法。本发明提供了一种将在透明衬底上生长光发射材料所制备的光发射二极管的正面除N－电极以外的全部面积均做为P－电极,相反的背面做为出光面,并且采用倒装焊...
张国义丁晓民秦志新
文献传递
分立晶粒垂直结构的LED芯片制备方法
本发明提出了一种高出光效率的管芯形状设计，通过岛状区域LED外延生长，生长分立晶粒LED芯片，激光剥离后将分立的LED芯片封装成上下电极的垂直结构的、具有较高光功率的LED的制备方法。分立晶粒LED外延层，在岛状区域外延...
于彤军秦志新杨志坚胡晓东陈志忠祁山陆羽康香宁商淑萍童玉珍丁晓民张国义
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国家重点实验室管理工作的趋势及几个关键问题被引量：1
1997年
国家重点实验室管理工作的趋势及几个关键问题丁晓民北京大学人工微结构和介观物理实验室如何确定国家重点实验室管理工作好坏，怎样使科研管理有效促进‘实验室’研究工作的顺利开展，这其中面临许多课题有待深入探讨。本文仅就‘实验室’自身科研管理的发展趋势及几个关...
丁晓民
关键词：实验室管理现代化
氨热法制备高质量大尺寸块状氮化镓单晶研究
宽带隙氮化镓(GaN)单晶材料可应用于制备高频、高功率、耐高温的微电子器件,实现发光波长覆盖整个可见光波段的光电子器件,在航空航天军事领域以及日常照明与显示等商业领域具有巨大的应用前景。目前较成熟的制备GaN材料的氢化物...
刘南柳路慧敏丁晓民张国义
关键词：微电子器件半导体材料
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InN分凝的InGaN薄膜的光致发光与吸收谱
2001年
我们用低压MOCVD在蓝宝石衬底生长了InGaN/GaN外延层.用X射线衍射(XRD),光致发光谱(PL),光吸收谱等测量手段,研究了InGaN的辐射发光机制.In组分利用Vegard定理和XRD测量得到.我们发现随着In组分的增加,在光吸收谱上发现吸收边的红移和较宽的Urbach带尾;PL谱中低能端的发射渐渐成为主导,并且在PL激发谱中InGaN峰也变宽.我们认为压电效应改变了InGaN的能带结构,从而影响了光学吸收特性.而在InN量子点中的辐射复合则是InGaN层发光的起源.
陈志忠秦志新杨志坚童玉珍丁晓民张国义
关键词：INGAN光致发光
蓝光LED InGaN有源区的制备及其发光特性研究被引量：2
2000年
本文报导了运用 L P- MOCVD制备蓝光 L ED In Ga N有源区的最近进展 ,以及高温生长技术带来的优越性。通过对 Zn掺杂 In Ga N薄膜发光特性的分析 ,发现其光致荧光 (PL )谱中 ,与 Zn掺杂有关的发光峰的强度受该生长温度下 Zn在 In Ga N中的溶解度的限制。利用我们的实验方法 ,使得 In Ga N有源区的发光波长在蓝光区内可任意调节 ,并给出了得到的几个典型的荧光谱。
童玉珍李非杨志坚金泗轩丁晓民张国义
关键词：发光性质发光二极管蓝光
Mn^+离子注入GaAs的铁磁性质和结构被引量：1
2000年
报道 Mn+ 离子注入 ( 0 0 1 ) Ga As后经快速退火形成的亚微米铁磁晶粒的性质和结构特性 .磁化强度测量结果显示室温下具有铁磁性 .用透射电子显微镜、X射线能谱和电子衍射分析表明除形成 Mn Ga晶粒外 ,还有含少量 Ga的 Mn As晶粒 .原子力显微镜和磁力显微镜的结果表明在 750— 90
蔡明陈辰嘉王学忠许世发丁晓民张铭孙允希
关键词：铁磁性砷化镓
高亮度InGaN基白光LED特性研究被引量：16
2002年
利用自行研制的InGaN GaNSQW蓝光LED芯片和YAG :Ge3 + 荧光粉制作了高亮度白光LED(Φ3) ,并对其发光强度、色度坐标、I V、色温及显色性等特性进行了研究 .实验结果表明 :室温下 ,正向电流为 2 0mA时 ,白光LED的轴向发光强度为 1 1～ 2 3cd ,正向电压小于 3 5V ,色度坐标为 (0 2 8,0 34) ,显色指数约为 70 .
李忠辉丁晓民杨志坚于彤军张国义
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