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齐建全

作品数:101 被引量:121H指数:7
供职机构:东北大学秦皇岛分校更多>>
发文基金:国家自然科学基金国家高技术研究发展计划国家重点实验室开放基金更多>>
相关领域:化学工程电气工程一般工业技术电子电信更多>>

文献类型

  • 37篇期刊文章
  • 31篇专利
  • 30篇会议论文
  • 2篇学位论文
  • 1篇科技成果

领域

  • 37篇化学工程
  • 17篇电气工程
  • 16篇一般工业技术
  • 10篇电子电信
  • 7篇理学
  • 2篇文化科学
  • 1篇冶金工程
  • 1篇金属学及工艺

主题

  • 43篇陶瓷
  • 20篇钛酸
  • 19篇纳米
  • 17篇粉体
  • 15篇钛酸钡
  • 14篇BATIO
  • 13篇电容
  • 13篇电容器
  • 11篇BATIO3
  • 10篇介电
  • 9篇PTCR
  • 8篇纳米粉
  • 8篇纳米粉体
  • 8篇掺杂
  • 7篇陶瓷电容
  • 7篇陶瓷电容器
  • 5篇电阻
  • 5篇陶瓷粉
  • 5篇热敏电阻
  • 5篇合成法

机构

  • 74篇清华大学
  • 39篇东北大学
  • 6篇河北科技师范...
  • 3篇南昌大学
  • 2篇中国地质大学...
  • 2篇香港理工大学
  • 1篇东北师范大学

作者

  • 101篇齐建全
  • 41篇李龙土
  • 26篇桂治轮
  • 18篇韩秀梅
  • 13篇张中太
  • 12篇孙黎
  • 12篇王永力
  • 10篇马振伟
  • 8篇陈万平
  • 8篇杜鹏
  • 8篇马振伟
  • 7篇唐子龙
  • 6篇钟瑞霞
  • 5篇朱青
  • 4篇吴音
  • 4篇刘佰博
  • 4篇彭韬
  • 4篇王晓慧
  • 4篇郭瑞
  • 3篇李英

传媒

  • 7篇稀有金属材料...
  • 7篇无机材料学报
  • 7篇压电与声光
  • 3篇功能材料
  • 3篇第十八届全国...
  • 3篇’94全国结...
  • 2篇硅酸盐学报
  • 2篇人工晶体学报
  • 2篇第十一届全国...
  • 2篇第十七届全国...
  • 2篇94’全国结...
  • 1篇无机化学学报
  • 1篇化学学报
  • 1篇四川大学学报...
  • 1篇材料导报
  • 1篇钛工业进展
  • 1篇电子元件与材...
  • 1篇黑龙江科技学...
  • 1篇中国现代教育...
  • 1篇教育教学论坛

年份

  • 2篇2024
  • 1篇2023
  • 3篇2022
  • 3篇2021
  • 2篇2020
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  • 3篇2016
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  • 5篇2014
  • 5篇2013
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  • 3篇2011
  • 1篇2010
  • 2篇2009
  • 4篇2008
  • 5篇2005
  • 1篇2004
  • 7篇2003
  • 3篇2002
101 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
钛酸钡基陶瓷材料晶界掺杂与PTCR效应被引量:5
1999年
“晶界掺杂”是一个全新的概念,它针对的是陶瓷晶界。在钛酸钡材料中,晶界掺杂能明显地改变PTCR效应。在晶界上,施主杂质同某些受主杂质一样,也可以明显提高材料的PTCR效应。通过晶界掺杂引入的Pb2+则对PTCR效应有明显的损害。
齐建全桂治轮李龙土陈万平
关键词:晶界掺杂钛酸钡PTCR陶瓷材料
Bi_2O_3蒸汽掺杂的Ba_(1-x)Si_xTiO_3半导化陶瓷的PTCR效应被引量:3
1998年
施主掺杂的钛酸钡陶瓷的PTCR效应来源于晶界上的钡空位。在Bi2O3蒸汽两次掺杂的样品中发现了大于8个量级的PTCR效应。在烧成过程中的Bi2O3蒸汽掺杂时,高氧分压下可以产生更高的钡空位浓度,因而样品具有更高的PTCR效应。
齐建全桂治轮李龙土陈万平
关键词:PTCR半导体陶瓷
绿色/红色长余辉材料γ-Zn3(PO4)2:Mn2+, Ga3+, Ho3+的合成及光谱性质
采用高温固相法合成了Mn2+单掺杂、Mn2+,Ga3+(Ho3+)共掺杂以及Mn2+,Ga3+,Ho3+三掺杂的γ-Zn3(PO4)2.在Mn2+单掺杂的样品中,发射峰位于620 nm,该样品在紫外光照射样品后,发现存在...
钟瑞霞刘自然齐建全吴音李明亚王晓强李龙土
关键词:合成工艺光谱性质
文献传递
BaTiO_3系PTCR材料电学性能的复阻抗解析被引量:20
1996年
采用复阻抗解析法研究了BaTiO_3系PTCR材料晶粒、晶界的电学性能。结果表明:使用欧姆接触电极的PTCR材料等效电路的复阻抗为 :晶粒电阻呈NTC特性,而晶界电阻在T<Tc时呈NTC特性,T>Tc时呈明显的PTC特性;PTC效应是一种晶界效应。
张中太齐建全唐子龙夏峰
关键词:钛酸钡晶粒晶界半导体材料
不同方法制备的粉体对Na_(0.5)Bi_(0.5)TiO_3陶瓷结构和性能的影响
2009年
采用浆液合成法和加糖热解法分别合成了具有层状结构和正常钙钛矿结构的Na0.5Bi0.5TiO3纳米粉体。两种粉体以不同比例混合烧结成瓷,性能测试表明,当以1:1的比例混合时,陶瓷的烧缩率达到最大值,击穿场强达到最大值,压电常数d33=75×10-12C/N。浆液合成法制备的粉体获得的陶瓷,压电常数达到最大值,d33=88×10-12C/N。加糖热解法制备的粉体获得的陶瓷d33=65×10-12C/N。两种方法制备的粉体及其混合所制备的陶瓷,均得到比较好的压电性能。
杜鹏齐建全孙黎李龙土
关键词:纳米
铅系多层陶瓷电容器(MLCCS)三层镀失效机理的研究
从电化学的角度,解释了铅系多层陶瓷电容器(MLCCS)三层镀后低压失效的机理。通过SEM、EDS等分析手段,分析了三层镀过程中氢的析出对于铅基陶瓷的还原作用。实验结果表明,电镀过程析出的活性很高的氢原子能够很容易地穿透疏...
王永力李龙土陈万平齐建全曹江利
关键词:多层陶瓷电容器
文献传递网络资源链接
化学镀镍对BaTiO_3基陶瓷PTC效应影响的机理研究
1997年
本文通过对比实验,研究了化学镀镍对于PTC效应影响的机理.结果表明,对于某些致密的PTC半导体陶瓷,化学镀镍后其室温电阻变小、升阻比下降不是由于镀液的渗透,而是与镀镍过程中发生的化学反应有关.首次提出了化学镀过程中产生的初生态氢原子影响PTC效应的观点.
陈万平李龙土桂治轮齐建全王德君
关键词:化学镀陶瓷PTC效应镀镍钛酸钡陶瓷
一种可施加磁场的球磨罐
本发明涉及一种可施加磁场的新型球磨罐,属于粉体的球磨和化学合成技术领域。其特种在于,球磨罐的上盖和底部设计有空腔,上盖顶部和罐底有可旋紧可取下的活动外盖,以在空腔内安装和更换永磁体。并通过更换磁铁及调整上下永磁体南北磁极...
齐建全刘佰博马振伟彭韬李龙士
文献传递
Yb_2O_3的掺杂方式对Ba(Ti_(1-y)Zr_y)O_3陶瓷介电性能的影响被引量:11
2001年
在Ba(Ti1-yZry)O3中,Yb2O3的不同掺杂方式引起了材料性能的显著变化.采用 Ba(Ti1-yZry)O3合成后Yb2O3的适量掺杂,陶瓷介温峰明显地移动,介电常数大幅度提高, 获得了室温介电常数>25000,1250℃左右烧成,符合Y5V标准的高介材料.合成后掺杂的 Yb2O3,使材料介电常数提高,可能与施主掺杂引入的局域化电子有关.合成前掺杂Yb2O3 的样品,介电常数较低,移峰效率偏小,可能是Yb的Ti位受主取代使施主引入的局域化电子 得到补偿的结果.
齐建全桂治轮王永力李琦李龙土
关键词:YB2O3介电性能氧化镱
化学镀镍对BaTiO_3基PTC陶瓷阻温曲线的两种不同影响被引量:1
1997年
本文通过对比实验研究了化学镀镍对于BaTiO3基半导体陶瓷PTC效应的两种不同影响,结果表明,这两种影响分别与镀镍过程中的化学反应以及镀液向瓷体中的渗透有关,首次提出了化学镀镍过程中产生的初生态氢原子影响PTC效应的观点。
陈万平李龙土桂治轮王德君齐建全
关键词:PTC效应化学镀陶瓷半导体陶瓷
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