高建聪
- 作品数：2 被引量：2H指数：1
- 供职机构：河北大学物理科学与技术学院更多>>
- 发文基金：河北省自然科学基金河北省高等学校科学技术研究指导项目国家重点基础研究发展计划更多>>
- 相关领域：理学一般工业技术更多>>
- 低压环境中外加氩气流对激光沉积纳米硅晶粒尺寸及分布的影响被引量：1
- 2012年
- 采用脉冲激光沉积(PLD)技术,在烧蚀点正上方0.35 cm、距靶0.7 cm处引入Ar气流,保持环境气压0.3 Pa,烧蚀高阻抗单晶硅(Si)靶。在烧蚀点正下方0.35 cm,距靶0.5 cm、0.7 cm、1.4 cm、2.1 cm、2.8 cm、3.0 cm和3.5cm处水平放置衬底来收集纳米Si晶粒。利用原子力显微镜(AFM)、X射线衍射(XRD)、Raman散射对样品表面形貌和微观结构进行分析表征。结果表明:在引入气流前后,纳米Si晶粒的尺寸均随着与靶距离的增加而逐渐减小;在同一位置,引入气流比不引入气流晶粒尺寸小,面密度大;在3.0～3.5 cm处,不引入气流时的样品不再有纳米Si晶粒,而引入气流的还存在纳米Si晶粒。
- 王英龙高建聪褚立志邓泽超丁学成傅广生
- 关键词：脉冲激光烧蚀纳米SI晶粒
- 低压下气流对激光沉积纳米硅晶化及尺寸的影响被引量：1
- 2013年
- 纳米硅具有明显的光致发光效应和量子尺寸效应,广泛的应用在现代电子工业和太阳能光伏工业中.尺寸影响着纳米硅的实际用途,因此制备尺寸可控的纳米硅晶粒具有很重要的实际意义.本文采用脉冲激光沉积(PLD)技术,在烧蚀点水平方向、距靶2cm处引入一束流量为5sccm的氩(Ar)气流,在0.01—0.5Pa的Ar气压下烧蚀高阻抗单晶硅(Si)靶.在管口正下方1cm处水平放置衬底来沉积纳米Si薄膜;并用同一装置,在0.08Pa的Ar气压下分别引入流量为0,2.5,5,7.5,10sccm的Ar气流沉积纳米Si薄膜.利用原子力显微镜(AFM)、X射线衍射(XRD)、Raman散射对样品表面形貌和微观结构进行分析表征.结果表明:不引入气流时出现纳米Si晶粒的阈值气压是0.1Pa,引入气流后出现纳米Si晶粒的阈值气压为0.05Pa.晶粒尺寸随着气流流量的增大而减小.
- 王英龙高建聪褚立志邓泽超丁学成梁伟华傅广生
- 关键词：脉冲激光烧蚀尺寸
