项志遴
- 作品数：15 被引量：6H指数：1
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- 低温等离子体沉积类金刚石薄膜
- 1991年
- 一、引 言 类金刚石薄膜有很多优越的性质,除了化学惰性外,它还具有很好的电学、光学和机械性能,如电阻率高,可见,紫外和红外光的透射性好以及附着力强等。至今已有各种各样的制备类金刚石的方法。如热解、离子束、溅射和等离子体化学气相沉积(PCVD)等。 本文采用的方法是在热丝CVD中加入直流放电。由于把直流放电和热解化学的方法结合起来,增强了CH_4的分解,同时为了了解成膜的微观过程,采用等离子体参数的诊断方法,实地监测膜的生成过程,对实现具有一定性质的类金刚石膜的重复生长是有利的。
- 高克林詹如娟邹祖平王燕霞项志遴刘宏图吴志强叶坚周贵恩王昌遂
- 关键词：PCVD类金刚石探针
- 金刚石簿膜淀积过程中微波等离子体特性被引量：1
- 1992年
- 一、引言 在金刚石薄膜的制备过程中,人们往往监测成膜过程中的宏观参量,使其工艺的重复性,优选性受到了很大限制。而随着对膜质量和结构的要求越来越高,人们开始开展对低压下合成金刚石机理的研究,但至今未见系统地研究宏观参量与等离子体参量方面的工作报道。
- 高克林王春林詹如娟彭定坤孟广耀项志遴
- 关键词：淀积金刚石
- 离轴微粒场全息术中记录介质分辨率要求
- 1992年
- 本文从离轴微粒场全息记录光路的一般模型出发,导出了离轴微粒场全息术中记录介质分辨率要求的普遍公式。讨论了三种典型形状微粒对记录介质的分辨率要求。结果表明,除了参考光的倾角外,微粒的尺寸和参、物光的波前曲率差及微粒重心偏离光轴的距离也都是影响记录介质分辨率要求的主要因素。
- 赖天树余昌旋项志遴谭玉山
- 关键词：全息术记录介质分辨率
- 微波等离子体CVD制备金刚石薄膜的宏观参数讨论
- 1992年
- 本文研究了微波等离子体化学气相沉积制备金刚石薄膜的宏观控制参量对成核和生 长过程的影响．过高的碳源浓度、低的衬底温度不利于金刚石膜的生长．在金刚石膜的 成核和生长期采用不同的条件，生长出晶形较好的金刚石薄膜。
- 高克林王春林詹如娟孟广耀彭定坤项志遴
- 关键词：微波等离子体金刚石薄膜半导体
- 微粒场远场同轴全息术被引量：1
- 1992年
- 本文从一般模型出发,导出了微粒场远场同轴全息图和再现实象面上的光强分布的普遍表达式.给出了全息图条纹对比度、记录介质的分辨率要求和可允许的微粒最大位移的普遍公式.完善和普遍化了微粒场同轴全息术的理论体系.
- 赖天树余昌旋项志遴谭玉山
- 关键词：同轴全息术微粒场远场
- 一个适用于软X线弯晶谱仪的象增强器
- 1993年
- 描述了一个由光阴极、微通道板、荧光屏、光导纤维和自扫描二极管阵列组成的象增强器。并用波长为1.7—7nm的入射光子测试了该象增强器的性能,结果表明它可作为软X射线弯晶谱仪的无窗位置灵敏探测器。
- 赵淑君徐纪华李醒项志遴
- 关键词：象增强器微通道板X射线谱仪弯晶
- 微粒直径的相干测量精度
- 1993年
- 本文采用数字分析方法研究了相干照明下摄像机的空间分辨率、数字滤波和离焦诸因素对微粒直径的测量精度的影响,提出了一种简单的判焦方法。实验结果与理论分析一致。
- 赖天树项志遴
- 关键词：摄像机
- 化学气相淀积中甲烷含量变化的等离子体参数诊断
- 1992年
- 一、引言 金刚石薄膜以其优异的特性越来越受到人们的重视。人们已用各种方法制备出金刚石薄膜、并详细研究了膜质量、膜的形貌与各种宏观参量的关系。在这里,含碳物源相对于氢气的浓度比对金刚石膜的结构和形貌的影响是相当严重的。从许多报道中可知。
- 高克林詹如娟曹金祥邹祖平项志遴
- 关键词：金刚石甲烷等离子体诊断
- 用微机化的PIXE方法测量薄样和厚样样品的元素含量
- 1994年
- 在ＩＢＭ微机上建立了ＰＩＸＥ实验的数据采集系统和数据分析系统，并对气溶胶等样品进行了ＰＩＸＥ实验分析研究，取得了满意的结果。
- 杨炳忻卢钦棠林馨思虞孝麒徐克尊项志遴
- 关键词：微机
- 氩气掺入对类金刚石沉积过程的影响被引量：1
- 1992年
- 在电子助进化学气相沉积(EACVD)类金刚石薄膜中,使用和比较CH_4/H_2与CH_4/H_2/Ar两种体系,用静电探针测量这两种体系的电子温度、电子密度,结果表明,在CH_4/H_2/Ar体系中,电子密度较高,使成膜的速率增加。
- 高克林詹如娟黄卫东邹祖平王燕霞项志遴
- 关键词：金刚石EACVD氩等离子体
