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陈士元

作品数：3 被引量：21H指数：2
供职机构：清华大学信息科学技术学院电子工程系更多>>
相关领域：理学电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 3篇中文期刊文章

领域

  • 2篇理学
  • 1篇电子电信

主题

  • 3篇电致变色
  • 2篇电致变色性能
  • 2篇氧化钨
  • 2篇晶态
  • 1篇三氧化钨
  • 1篇物理学
  • 1篇结晶态
  • 1篇溅射
  • 1篇非晶
  • 1篇非晶态
  • 1篇薄膜物理
  • 1篇薄膜物理学
  • 1篇WO
  • 1篇氧
  • 1篇钛
  • 1篇磁控
  • 1篇磁控溅射

机构

  • 3篇清华大学

作者

  • 3篇陈士元
  • 3篇殷志强
  • 2篇史月艳
  • 2篇杨晓继
  • 1篇郭文莉

传媒

  • 2篇真空科学与技...
  • 1篇太阳能学报

年份

  • 1篇1997
  • 1篇1996
  • 1篇1994
共 3 条 记 录，以下是 1-3
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排序方式：
磁控溅射电致变色非晶态氧化钨薄膜被引量：9
1996年
利用平面磁控反应溅射在具有透明导电膜的玻璃基片上沉积氧化钨膜层。Ｘ射线衍射分析结果表明，基片在室温状态下得到的膜呈非晶态。以０．２Ｎ浓度的ＨＣｌ为电解液，用电化学方法研究了Ｈ＋注入及抽出后氧化钨膜光学性能的变化及这种变化与膜的制备参数之间的关系。获得了沉积氧化钨膜近于最佳的工艺条件。在纯氧气氛下，溅射功率密度１．２Ｗ／ｃｍ２，溅射气体压强１．３Ｐａ时，制备的非晶态氧化钨膜，在５０次电化学循环后，漂白态与着色态的可见光透射率之差约为０．５７，其电化学循环的变色寿命也长。光电子能谱（ＸＰＳ）分析表明，Ｈ＋注入后着色态膜内出现了Ｗ５＋、Ｗ４＋。对电致变色机理也作了讨论。
史月艳陈士元杨晓继殷志强
关键词：电致变色磁控溅射氧化钨
Ti-O薄膜电致变色性能被引量：1
1994年
郭文莉殷志强陈士元严樟根
关键词：薄膜物理学电致变色
结晶态WO_3膜电致变色性能及机理被引量：14
1997年
磁控溅射沉积获得的非晶态WO3膜在空气中分别加热200℃，250℃，300℃，350℃及400℃，并保温30min进行热处理。随着热处理温度的提高，非晶态WO3膜的电致变色性能下降。当热处理温度高于350℃时，非晶态转变成结晶态。着色的结晶态WO3膜在可见光谱范围（0．38～0．78μm）及太阳光谱范围（0．34～2．5μm）内吸收调制能力低于非晶态WO3膜，但是结晶态WO3膜在近红外区有较强的反射调制。基片加温到220℃以上沉积得到的WO3膜均为结晶态。这种结晶态膜的电致变色性能优于空气中热处理得到的结晶态WO3膜，但两种膜的变色性能与各自的制备温度没有明显的依赖关系。在相同的电化学测试参数条件下，结晶的WO3膜的变色响应速率低于非晶态膜。利用X射线光电子能谱（XPS）及X射线衍射分析判定，结晶态WO3膜在HCl电解液中施加电信号发生着色／退色是由于H＋的注入／抽取所致，在着色的膜中存在着W6＋，W5＋及W4＋离子。
陈士元史月艳殷志强杨晓继
关键词：电致变色晶态三氧化钨
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