钟小华
- 作品数：5 被引量：23H指数：3
- 供职机构：兰州理工大学石油化工学院更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金中国科学院“百人计划”更多>>
- 相关领域：化学工程机械工程电子电信一般工业技术更多>>
- 溶胶-凝胶法制备纳米ATO粉体和薄膜及其结构与性能的研究
- 二氧化锡(SnO2)是一种具有直接带隙的宽禁带N型半导体材料，300K时其禁带宽度为3.62eV，室温下电阻率较高，当产生氧空位或掺杂元素后形成N型半导体，具有导电性能。锑掺杂二氧化锡(Antimony doped Ti...
- 钟小华
- 关键词：方块电阻荧光性能溶胶-凝胶法纳米粉体二氧化锡
- 磷酸盐基耐高温粘结涂层的性能及功能填料对其性能的影响被引量：10
- 2011年
- 本文以Al（OH）3和H3PO4为原料,研究了磷酸盐粘结剂的最佳合成条件,探讨了P/Al配比和反应温度对Al（H2PO4）3的形成以及填料的加入对粘结剂耐热性的影响,利用XRD和TG-DSC对粘结剂晶体结构和涂层热性能进行了分析。结果表明：P/Al比例为3∶1.4,合成温度在120~200℃范围内,可获得性能较好的Al（H2PO4）3粘结剂。填料的加入有利于粘结剂表面吸附水的蒸发和磷酸盐基体分子间结晶水的脱除,提高了涂层的热稳定性和耐高温性能。
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- 关键词：磷酸盐涂层填料
- Au纳米颗粒织构化表面的黏着和摩擦学行为研究被引量：6
- 2010年
- 利用自组装技术在单晶硅(100)面制备了Au纳米颗粒织构化表面(nanoparticle-textured surfaces,NPTS),采用原子力显微镜(AFM)和UMT-2MT摩擦磨损试验机考察了Au纳米颗粒织构化对表面微/纳尺度黏着与摩擦性能的影响机理.结果表明:在颗粒堆积密度较低的表面,接触力学符合连续接触力学模式;在颗粒堆积密度较高的表面,形成多峰接触,有效地减少了接触面积,降低了黏着和摩擦.与光滑硅表面相比,组装时间为3.0 h的Au纳米颗粒织构化表面的黏着力降低了77%,在试验载荷为7 nN时,其摩擦力降低了42%.
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- 锑掺杂量对ATO薄膜结构及光、电性能的影响被引量：2
- 2012年
- 以四氯化锡和三氯化锑为主要原料,采用溶胶-凝胶法制备了不同锑掺杂量的纳米锑掺杂二氧化锡(ATO)薄膜。分别利用XRD、FESEM、紫外可见分光光度计和四探针电阻仪对晶体结构、薄膜形貌、光透过率和薄膜方块电阻进行表征,考察锑掺杂量对ATO薄膜晶体结构、晶粒尺寸、光透过率和导电性能的影响。结果表明:所制备的ATO薄膜为(110)面择优取向的四方相锡石结构,晶粒尺寸小于26 nm,当锑掺杂量为10%(物质的量分数)时,ATO薄膜具有最小的方块电阻(60.1Ω/□),可见光透过率大于85%。
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- 关键词：方块电阻
- 锑掺杂量对ATO纳米颗粒结构及其导电性能的影响被引量：4
- 2011年
- 以SnCl4.5H2O和SbCl3为主要原料,采用sol-gel法制备了锑掺杂二氧化锡(ATO)纳米粉体。分别利用FESEM、XRD、FT-IR、XPS及四探针电阻仪对粉体形貌、晶体结构、元素组成和粉末电阻进行表征,考察Sb掺杂量对ATO粒子晶体结构、晶粒尺寸和导电性能的影响。结果表明所制备的ATO为(110)面择优取向的四方相锡石结构的纳米颗粒,当Sb掺杂量为15%(摩尔分数)时,ATO具有最小的粉末电阻率(12.85Ω.cm)。当Sb掺杂量≤28%时可得到完全掺杂的ATO,ATO的导电性与其中的Sb5+离子浓度有关,而且Sb含量在28%以下可能存在一个阈值,有利于固溶在SnO2晶格中的Sb形成Sb5+,使载流子浓度达到最大,因而表现出最佳的导电性能。
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- 关键词：SOL-GEL法XPS电阻率
