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邬洋

作品数:11 被引量:25H指数:3
供职机构:北京交通大学更多>>
发文基金:国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划北京市自然科学基金更多>>
相关领域:理学一般工业技术电气工程文化科学更多>>

文献类型

  • 5篇期刊文章
  • 3篇学位论文
  • 3篇专利

领域

  • 5篇理学
  • 2篇一般工业技术
  • 1篇电气工程
  • 1篇文化科学

主题

  • 5篇发光
  • 3篇光电
  • 3篇光电子
  • 3篇硅酸乙酯
  • 3篇DY
  • 3篇EU
  • 2篇荧光
  • 2篇荧光材料
  • 2篇硝酸
  • 2篇晶格
  • 2篇溅射
  • 2篇溅射法
  • 2篇光材料
  • 2篇光致
  • 2篇光致发光
  • 2篇硅纳米晶
  • 2篇核壳
  • 2篇发光材料
  • 2篇发光特性
  • 2篇非晶

机构

  • 11篇北京交通大学

作者

  • 11篇邬洋
  • 6篇王永生
  • 5篇富鸣
  • 5篇何大伟
  • 3篇衣立新
  • 3篇杜玙璠
  • 3篇王申伟
  • 2篇陈震旻
  • 2篇李玥
  • 1篇冀国蕊
  • 1篇苗峰
  • 1篇赵玉晶
  • 1篇黄圣
  • 1篇苗锋

传媒

  • 3篇光谱学与光谱...
  • 1篇稀有金属材料...
  • 1篇发光学报

年份

  • 1篇2013
  • 4篇2011
  • 2篇2010
  • 3篇2009
  • 1篇2008
11 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
磁控溅射法沉积SiNx非晶薄膜的生长机制及结构分析被引量:4
2009年
利用磁控溅射技术在单晶Si衬底上沉积了SiNx非晶薄膜。样品的傅里叶变换红外吸收光谱(FTIR)显示,SiNx非晶薄膜在812~892cm-1范围内存在一个较强的吸收谱带。该吸收谱带对应于Si—N—Si键的伸缩振动吸收(Stretching vibration mode),其吸收峰峰位随着溅射功率的增大明显红移;但退火后,该吸收峰又逐渐蓝移。结合中心力模型和自由结合模型,分析了磁控溅射过程中SiNx非晶薄膜的生长机制和内部结构。研究认为,随着溅射功率的提高,薄膜中先后形成Si-N4四面体,Si—N—Si3,Si-N2-Si2及Si-N3-Si等结构,这几种结构分别对应着Si—N—Si键的不同模式的振动吸收。随着退火温度的升高,分子热运动逐渐加剧,非晶SiNx薄膜发生相分离,生成Si3N4和Si纳米晶颗粒,因此,Si—N—Si键的吸收峰逐渐向Si3N4的特征振动吸收峰位870cm-1靠近。
邬洋衣立新王申伟杜玙璠黄圣冀国蕊王永生
关键词:磁控溅射傅里叶变换红外光谱
一种稀土掺杂的介孔氧化硅发光材料的制备方法
一种稀土掺杂的介孔氧化硅发光材料的制备方法,涉及一种光电子材料的制备方法。该方法的步骤:准备材料正硅酸乙酯、浓度为0.055mol/L的十六烷基三甲基溴化铵的水溶液、浓度为25wt.%的氨水、去离子水、稀土乙酸盐;按正硅...
何大伟王永生陈震旻邬洋富鸣
文献传递
Ce^3+注入对不同尺寸的nc-Si/SiO2超晶格发光特性的影响被引量:3
2009年
通过电子束蒸发方法以及高温退火处理,得到nc-Si/SiO2超晶格。将样品分别注入剂量为2.0×1014cm-2和2.0×1015cm-2的Ce3+,再对其进行二次退火处理,获得多组样品。通过对样品光致发光光谱的分析发现,样品发光强度的变化不仅受到Ce3+注入剂量的影响,而且也受到nc-Si颗粒大小的影响。在相同注入计量和相同的二次退火处理温度下,nc-Si颗粒较大的样品经Ce3+注入后其发光强度增强较为明显。
杜玙璠衣立新王申伟邬洋
关键词:超晶格硅纳米晶光致发光
白光LED用Sr_2SiO_4:Eu^(3+),Dy^(3+)荧光粉的制备及发光性能研究被引量:2
2011年
采用溶胶-凝胶法在Sr2SiO4基质中掺杂Eu3+和Dy3+两种稀土离子,制备了白光发光二极管(LED)用荧光粉Sr2SiO4:Eu3+,Dy3+。通过样品的X射线衍射图谱、扫描电镜以及光致发光光谱的测试和表征,研究了Sr2SiO4:Eu3+,Dy3+的内部结构和发光性能。结果表明,样品属于正交晶系,为α′-Sr2SiO4。荧光粉外形为类球状,颗粒直径为1~2μm,且出现颗粒团聚现象。在386nm的近紫外光的激发下(常温),样品发射出很强的白光。Sr2SiO4:Eu3+,Dy3+的发光强度随着Eu3+、Dy3+和电荷补偿剂Li+浓度的增加先增大后逐渐减小。
邬洋王永生何大伟富鸣赵玉晶李玥苗峰
一种核壳荧光材料及其制备方法
一种新型核壳荧光材料,涉及一种光电子发光材料。包括:内核为SiO<Sub>2</Sub>小球,外壳为荧光材料Zn<Sub>2</Sub>SiO<Sub>4</Sub>:Eu<Sup>3+</Sup>。制备方法:将一定比例...
王永生何大伟邬洋富鸣
溶胶-凝胶法制备Zn2SiO4:Eu^3+红色荧光粉被引量:12
2011年
采用溶胶-凝胶法在Zn2SiO4基质中掺杂Eu3+,合成了红色荧光粉Zn2SiO4∶Eu3+。通过样品的X射线衍射光谱、红外光谱、扫描电镜以及光致发光光谱的测试和表征,研究了Zn2SiO4∶Eu3+的内部结构和发光特性。扫描电镜结果显示样品为球状荧光粉,颗粒直径为1~3μm。在395 nm激发下,样品在613 nm处发射出很强的红光。结合荧光光谱,分析了样品的退火温度,Eu3+的浓度,电荷补偿剂Li+的浓度对样品发光强度的影响。研究发现,红色荧光粉Zn2SiO4∶Eu3+的发光强度随退火温度的升高而增加,发光强度随Eu3+和Li+浓度的增加先增大后减小。
邬洋王永生何大伟富鸣陈震旻李玥苗锋
关键词:溶胶-凝胶法
SiO_2@(Zn,Sr)_2SiO_4: Re~(3+)(Re=Eu,Dy)材料制备及发光性能研究
近年来,随着纳米稀土复合发光材料的迅速发展,核-壳发光材料已经成为当前荧光材料研究的重点。通过精确控制实验反应条件,可以根据需求制备一些特定形貌、大小和功能的核-壳结构发光材料。这种核-壳结构发光材料在保留了原有荧光材料...
邬洋
文献传递
Ce^(3+)注入对超晶格中硅纳米晶光致发光强度的影响被引量:1
2009年
研究了铈离子注入和二次退火等因素对硅纳米晶(nc-Si)发光强度的影响。利用电子束蒸发以及高温退火得到nc-Si/Si O2超晶格结构。随后将该结构样品分别注入2.0×1014cm-2和2.0×1015cm-2剂量的铈离子(Ce3+),再分别以不同温度对其进行二次退火,获得多种样品。通过对样品光致发光光谱的分析发现,Ce3+注入后未经过二次退火的样品发光强度急剧下降。二次退火后的样品,随着退火温度的升高,样品的光致发光强度逐渐增强,但当温度超过600℃时,发光强度反而下降,600℃为二次退火的最佳退火温度。注入适当剂量的Ce3+,其发光强度可以超过未注入时的发光强度,Ce3+的注入存在饱和剂量。研究表明,样品发光强度的变化受到铈离子注入剂量和注入后二次退火温度等因素的影响,并且存在着Ce3+到nc-Si的能量传递。
杜玙璠衣立新王申伟邬洋
关键词:超晶格硅纳米晶离子注入光致发光
SiO<sub>2</sub>@(Zn,Sr)<sub>2</sub>SiO<sub>4</sub>: Re<sup>3+</sup>(Re=Eu,Dy)材料制备及发光性能研究
近年来,随着纳米稀土复合发光材料的迅速发展,核-壳发光材料已经成为当前荧光材料研究的重点。通过精确控制实验反应条件,可以根据需求制备一些特定形貌、大小和功能的核-壳结构发光材料。这种核-壳结构发光材料在保留了原有荧光材料...
邬洋
一种核壳荧光材料及其制备方法
一种新型核壳荧光材料,涉及一种光电子发光材料。包括:内核为SiO<Sub>2</Sub>小球,外壳为荧光材料Zn<Sub>2</Sub>SiO<Sub>4</Sub>:Eu<Sup>3+</Sup>。制备方法:将一定比例...
王永生何大伟邬洋富鸣
文献传递
共2页<12>
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