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邢云

作品数:6 被引量:8H指数:1
供职机构:浙江理工大学更多>>
发文基金:浙江省大学生科技创新活动计划(新苗人才计划)项目国家自然科学基金浙江省自然科学基金更多>>
相关领域:理学电气工程更多>>

文献类型

  • 3篇期刊文章
  • 2篇专利
  • 1篇学位论文

领域

  • 3篇理学
  • 1篇电气工程

主题

  • 3篇纳米
  • 3篇光电
  • 2篇吸附法
  • 2篇光电性
  • 2篇光电性能
  • 2篇CDS量子点
  • 2篇X
  • 2篇CDS
  • 1篇第一性原理
  • 1篇第一性原理研...
  • 1篇电场
  • 1篇电学
  • 1篇电子结构
  • 1篇电阻
  • 1篇电阻测量
  • 1篇虚拟仪器
  • 1篇虚拟仪器技术
  • 1篇仪器技术
  • 1篇子结构
  • 1篇外电场

机构

  • 6篇浙江理工大学
  • 1篇北京邮电大学
  • 1篇浙江科技学院

作者

  • 6篇邢云
  • 5篇李培刚
  • 3篇宋佳
  • 3篇朱志艳
  • 3篇王顺利
  • 2篇唐为华
  • 2篇申婧翔
  • 1篇熊必涛
  • 1篇王国锋
  • 1篇张岩
  • 1篇钟丹霞
  • 1篇安跃华
  • 1篇沈静琴
  • 1篇钱惠琴
  • 1篇李延杰

传媒

  • 2篇浙江理工大学...
  • 1篇物理学报

年份

  • 1篇2016
  • 3篇2014
  • 2篇2013
6 条 记 录,以下是 1-6
排序方式:
材料电学和磁学性能变温测量方法的研究被引量:1
2013年
在分析材料物理性能测量原理的基础上,采用虚拟仪器技术对低温系统和测量仪表进行控制,搭建了材料电学性能和交流磁化率测量装置,使用LabVIEW程序进行信号采集、数据处理和实时显示,实现了测试的自动化和智能化。通过对已知材料物理性能的测量来校正测量系统,对测量误差产生的原因进行了分析,在LabVIEW程序中嵌入了误差校正子程序,实现了数据的精确测量。结果表明,设计的测量系统可以灵敏准确地对材料的电学性能和交流磁化率进行测量,电阻测量上限可以达到1011Ω,交流磁化率的测量可以精确地确定材料磁性转变的温度。
张岩邢云申婧翔王国锋李培刚唐为华
关键词:电阻测量误差分析虚拟仪器技术
基于第一性原理研究S替代对CdS_xSe_(1-x)的晶体结构和电子结构的影响
2014年
基于第一性原理,采用平面波赝势方法,计算并分析了CdSxSe1-x的晶体结构和电子结构及不同含量的S含量对CdSxSe1-x合金体系性质的影响。计算结果表明,由S部分或全部取代Se后,所形成CdSxSe1-x三元合金晶体的晶格常数随着S含量的增加呈线性减小趋势,除S和Se的比例为1∶1外,其他比例的合金晶体所属晶系没有变化,禁带宽度随着S含量的增加逐渐增加;随着S含量的增加,态密度的峰值逐渐向高能量方向偏移;通过对S替代后体系的差分电荷密度分析发现,S元素的替代后,整个体系的电荷进行了重新分布。
邢云钟丹霞李延杰林秀茶宋佳钱惠琴沈静琴王顺利李培刚
关键词:CDSE电子结构
一种CdS量子点光电探测单元的制备方法
本发明涉及一种基于纳米材料构建光电探测单元的制备方法,具体是指一种CdS量子点光电探测单元的制备方法。本发明是通过微纳米加工技术,先在硅(Si)衬底表面制备Au电极,然后采用连续离子层吸附法(SILAR),室温下于电极之...
李培刚邢云朱志艳宋佳汪鹏超王顺利
文献传递
外电场作用下ZnO分子的结构特性研究被引量:7
2013年
本文以6-311++g(d,p)为基组,采用密度泛函理论的B3P86方法优化得到了ZnO分子的基态稳定构型,并计算了不同外电场(0.05—0.05a.u.)下ZnO基态分子的稳定电子结构,研究外电场对ZnO基态分子键长、总能量、电荷分布、能级分布、能隙及红外光谱的影响.结果表明:外加电场的大小和方向对分子结构和电子特性均有明显影响.随着正向外加电场的增加,ZnO基态分子的平衡键长先减小后增加,而分子总能量、振动频率和红外光谱的强度均先增加后减小.分子的最高占据轨道能量EH、最低未占据轨道能量EL和能隙Eg始终处于减小趋势,因而占据轨道的电子更容易被激发至空轨道.这一结果可为ZnO分子的电致发光机理研究提供一定的理论参考.
安跃华熊必涛邢云申婧翔李培刚朱志艳唐为华
关键词:ZNO外电场结构参数
一种CdS量子点光电探测单元的制备方法
本发明涉及一种基于纳米材料构建光电探测单元的制备方法,具体是指一种CdS量子点光电探测单元的制备方法。本发明是通过微纳米加工技术,先在硅(Si)衬底表面制备Au电极,然后采用连续离子层吸附法(SILAR),室温下于电极之...
李培刚邢云朱志艳宋佳汪鹏超王顺利
文献传递
半导体CdS/_xSe/_/(1-x/)纳米晶光电性能的研究
本文从合成、理论计算和构建器件三方面探究了半导体CdSxSe1-x纳米晶的光电性能。采用化学胶体合成法制备了CdSxSe1-x纳米晶,探讨了尺寸和掺杂对CdSxSe1-x纳米晶物理性能的影响,利用配体交换法对化学胶体合成...
邢云
关键词:光电性能
文献传递
共1页<1>
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