您的位置： 专家智库 > >

邓冬生

作品数：10 被引量：10H指数：2
供职机构：中国核工业集团公司核工业西南物理研究院更多>>
发文基金：国家自然科学基金更多>>
相关领域：核科学技术一般工业技术理学更多>>

合作作者

文献类型

  • 6篇中文期刊文章

领域

  • 4篇核科学技术
  • 2篇一般工业技术
  • 1篇理学

主题

  • 4篇托卡马克
  • 3篇第一壁
  • 2篇石墨
  • 2篇涂层
  • 2篇化学腐蚀
  • 1篇等离子体
  • 1篇再循环
  • 1篇质谱
  • 1篇中等离子体
  • 1篇输运
  • 1篇托卡马克装置
  • 1篇硼化
  • 1篇偏滤器
  • 1篇温度分布
  • 1篇温度特性
  • 1篇离子轰击
  • 1篇密度分布
  • 1篇膜性能
  • 1篇硅化
  • 1篇轰击

机构

  • 6篇中国核工业集...
  • 1篇电子科技大学
  • 1篇湛江海洋大学

作者

  • 6篇邓冬生
  • 5篇王志文
  • 5篇王明旭
  • 5篇朱毓坤
  • 2篇张年满
  • 2篇梁雁
  • 2篇王恩耀
  • 2篇崔成和
  • 1篇李齐良
  • 1篇洪文玉
  • 1篇陈向东
  • 1篇游佩林
  • 1篇邓小波
  • 1篇严东海
  • 1篇刘贵昂
  • 1篇郑永真
  • 1篇刘永
  • 1篇程发银

传媒

  • 3篇真空与低温
  • 1篇物理学报
  • 1篇核聚变与等离...
  • 1篇四川真空

年份

  • 1篇2002
  • 1篇2001
  • 1篇1999
  • 1篇1998
  • 1篇1997
  • 1篇1996
共 10 条 记 录，以下是 1-6
全选 清除 导出
排序方式：
HL-1M 装置硼化膜的研究被引量：1
1998年
ＨＬ－１Ｍ装置采用Ｃ２Ｂ１０Ｈ１２蒸气对真空室内壁进行了原位硼化，取得了满意的效果。采用沉积探针技术并结合四极质谱分析技术对膜的成分、热解释性能、Ｄ＋束辐照化学腐蚀性能、ＨＬ－１Ｍ装置第一壁成膜的平均速率和膜厚的均匀度以及硼化前后的碳、氧杂质和放电期间器壁再循环特性进行了研究。
王明旭张年满王志文王恩耀邓冬生洪文玉崔成和梁雁朱毓坤
关键词：第一壁硼化膜性能托卡马克
氘离子束轰击石墨引起化学腐蚀的实验进展
1999年
在ＳＭＦ－８００ 石墨第一壁化学腐蚀温度特性的实验研究基础上，进一步测试了Ｇ３ 石墨、ＳＭＦ－８００ 高纯石墨和硼化石墨，以及ＳｉＣ涂层等在１．３μＡ／３ｋｅＶ 氘离子束轰击下化学腐蚀的温度特性。从中优选出Ｃ２Ｂ１０Ｈ１２ 氦辉光放电法制取的ＳＭＦ－８００ 石墨硼化层，它具有最佳的抗化学腐蚀性能。其ＣＤ４ 产额较ＳＭＦ－８００ 高纯石墨的降低一个数量级以上，ＣＤ４ 产额峰值温度下移至６５０Ｋ附近。用小角度转动样品法，初步观察了氘离子束轰击下石墨释放ＣＤ４ 的角分布特性，为托卡马克先进偏滤器实验中确立ＣＤ４
朱毓坤王明旭王志文邓冬生
关键词：石墨涂层化学腐蚀托卡马克第一壁离子轰击
HL-1M装置器壁锻炼
2002年
HL-1M装置运行的7年中，系统地研究了器壁原位清洗、原位硼化、硅化、锂化和锂-硅复合处理以及涂层的原位清除技术。由于原位硅化具有稳定、良好的杂质和再循环控制能力，使其成为HL-1M装置进行改善等离子体约束实验必不可少的壁处理手段。锂-硅复合壁具有锂壁的低杂质、低氢再循环和低辐射能量，又具有硅化壁长寿命的特点，是目前最佳的壁处理手段。He-GDC取代了H2-TDC，在器壁原位清洗、器壁原位处理和涂层原位清除中扮演了重要角色。
王明旭张年满王志文邓冬生严东海崔成和梁雁王恩耀刘永朱毓坤
关键词：HL-1M装置硅化再循环涂层
托卡马克删削层与偏滤器中等离子体输运的解析研究被引量：2
2001年
研究了托卡马克删削层和部分偏滤器等离子体的输运问题 .利用粒子数守恒和“两点模型” ,计算了在有摩擦的情况下 ,删削层中等离子体的密度分布。
李齐良郑永真程发银邓小波邓冬生游佩林刘贵昂陈向东
关键词：托卡马克密度分布温度分布
残气质谱分析在 LAS-2000 上的应用被引量：2
1997年
详尽地探讨高真空及超高真空中的残余气体的质谱分析方法。运用这些方法在ＬＡＳ－２０００二次离子质谱仪上进行了应用研究。精确地分析了ＬＡＳ－２０００的本底真空，发现其超高真空中含有较多的碳氢化合物，这些碳氢化学物主要影响氢（氘）轰击石墨的化学腐蚀研究的结果分析。
王志文王明旭朱毓坤邓冬生
关键词：质谱残余气体
石墨第一壁化学腐蚀的温度特性被引量：2
1996年
石墨的化学腐蚀实验是在ＬＡＳ－２０００二次离子质谱仪的分析室中进行的，入射高能氘离子束单独轰击或和一中和电子束联合轰击石墨以模拟等离子体辐照。石墨样品的温度从３００～１０００Ｋ可调。石墨样品是从进行过氢离子辐照实验的ＳＭＦ－８００石墨第一壁组件上切割下来的，它在氘束轰击下释放的产物（Ｍｅ－１＝２～４４范围内）用四极质谱探头ＳＱ１５６进行原位的分子束质谱分析，得到了在１．３μＡ／３ｋｅＶ氘束轰击下石墨样品释放氘甲烷（ＣＤ４）的温度特性，在７８０Ｋ温区有一个因增强的化学腐蚀而形成的释放高峰。
朱毓坤王明旭王志文邓冬生
关键词：化学腐蚀温度特性托卡马克装置
全选 清除 导出
共1页<1>
聚类工具0