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谭英

作品数:17 被引量:18H指数:3
供职机构:昆明物理研究所更多>>
发文基金:国家科技重大专项云南省中青年学术和技术带头人后备人才项目中国人民解放军总装备部预研基金更多>>
相关领域:电子电信化学工程理学更多>>

文献类型

  • 9篇期刊文章
  • 5篇会议论文
  • 3篇专利

领域

  • 11篇电子电信
  • 3篇化学工程
  • 1篇理学

主题

  • 10篇分子束
  • 10篇分子束外延
  • 9篇探测器
  • 6篇红外
  • 4篇异质结
  • 4篇红外探测
  • 4篇红外探测器
  • 4篇波段
  • 3篇紫外探测
  • 3篇紫外探测器
  • 3篇碲镉汞
  • 3篇
  • 3篇MBE
  • 2篇电极
  • 2篇中波
  • 2篇日盲
  • 2篇双波段
  • 2篇探测器材料
  • 2篇退火
  • 2篇紫外波段

机构

  • 17篇昆明物理研究...
  • 1篇北京理工大学
  • 1篇中国科学院

作者

  • 17篇谭英
  • 11篇李艳辉
  • 11篇杨春章
  • 8篇孔金丞
  • 7篇赵俊
  • 6篇高丽华
  • 6篇李东升
  • 6篇齐航
  • 5篇邓功荣
  • 5篇周旭昌
  • 5篇苏栓
  • 4篇唐利斌
  • 4篇吴刚
  • 4篇王静宇
  • 4篇袁绶章
  • 3篇严顺英
  • 3篇姬荣斌
  • 3篇韩福忠
  • 3篇王晓璇
  • 2篇王羽

传媒

  • 7篇红外技术
  • 4篇第十一届全国...
  • 1篇光学学报
  • 1篇红外与毫米波...
  • 1篇第十届全国分...

年份

  • 1篇2023
  • 4篇2022
  • 5篇2015
  • 2篇2014
  • 2篇2013
  • 1篇2011
  • 1篇2009
  • 1篇2008
17 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
Pt/p-GaN/AlGaN异质结紫外探测器及其制备方法
基于Pt/p‑GaN/AlGaN异质结的高探测率紫外探测器及其制备方法,涉及光电技术领域。该器件是基于p‑GaN/AlGaN晶体的台面结构,下台面采用n<Sup>+</Sup>‑AlGaN材料,在其表面生长多层金属Ti/...
唐利斌邓功荣袁绶章吴刚郝群罗磊王静宇魏红严顺英谭英孔金丞
Ge(211)衬底上分子束外延CdTe薄膜被引量:1
2011年
采用分子束外延在3英寸Ge(211)衬底上生长了10μm厚的CdTe(211)B薄膜。CdTe表面镜面光亮,3英寸范围厚度平均值9.72μm,偏差0.3μm;薄膜晶体质量通过X射线双晶迴摆曲线进行评价,FWHM平均值80.23 arcsec,偏差3.03 arcsec;EPD平均值为4.5×106 cm-2。通过研究CdTe薄膜厚度与FWHM和EPD的关系,得到CdTe的理想厚度为8~9μm。
李艳辉杨春章苏栓谭英高丽华赵俊
关键词:CDTE薄膜
基于金属Al/p-GaN/AlGaN异质结的紫外双波段探测器及其制备方法
基于金属Al/p‑GaN/AlGaN异质结的紫外双波段探测器,涉及光电技术领域。探测器是基于p‑GaN/AlGaN晶体的台面结构,台面下部,在n<Sup>+</Sup>‑AlGaN材料表面沉积多层金属Ti/Al/Ni/A...
吴刚唐利斌邓功荣袁绶章郝群王博王静宇魏红严顺英谭英孔金丞
量子阱红外探测器材料技术研究
周旭昌谭英杨春章李艳辉苏栓齐航高丽华李东升
关键词:量子阱红外探测器分子束外延
RHEED优化MBE生长中波MCT薄膜工艺被引量:1
2008年
在分子束外延(MBE)中波HgCdTe薄膜过程中,利用反射式高能电子衍射(RHEED)对衬底表面脱氧和生长过程中生长参数对材料特性的影响进行研究。通过观察RHEED图样的变化,确定了衬底的脱氧状况,获得了生长中衬底温度等生长参数变化引起材料结晶的变化规律,为MBE生长HgCdTe薄膜实验的可控生长提供有效帮助;生长结束后,通过SEM、Hall等手段对HgCdTe的表面缺陷、电学参数等性能进行了初步研究,证明实验说成长的材料基本满足器件制备的要求。
曲海成李艳辉苏栓杨春章谭英高丽华王善力
关键词:分子束外延HGCDTE
分子束外延(MBE)生长用Ge(211)衬底生长前腐蚀
本文介绍了通过使用碱性腐蚀液NH4OH:H2O2:H2O多次次循环腐蚀处理,以及酸性腐蚀液H3PO4:H2O2:H2O快速腐蚀的组合腐蚀方法,对Ge (211)衬底进行生长前处理,能够有效去除GeO2氧化层,人工制备了G...
杨春章李艳辉谭英齐航高丽华赵俊李东升
关键词:MBE化学腐蚀RHEEDEPDXRD
长波量子阱红外探测器材料技术研究被引量:4
2013年
针对红外探测应用开展了长波GaAs/AlGaAs量子阱材料技术研究。系统地介绍了量子阱红外探测器材料的材料设计、生长和表征。基于一维薛定谔方程的求解获得量子阱材料的能带结构,进行量子阱材料的设计。采用分子束外延技术进行量子阱材料的生长研究。对量子阱材料的室温光荧光谱和高分辨率X射线衍射测试结果表现出材料高度晶格完整性以及平整界面。基于布鲁斯特角配置的傅立叶红外光谱测试获得了量子阱材料子带间跃迁吸收产生的红外吸收谱。采用该材料制备出高性能的量子阱红外焦平面探测器。
周旭昌谭英杨春章李艳辉苏栓齐航高丽华李东升
关键词:分子束外延
4英寸Ge(211)衬底上分子束外延CdTe薄膜
采用RIBER Epineat分子束外延系统,4英寸Ge(211)衬底首先经过脱氧,As束流保护下进行表面钝化,250℃生长一层Zn极性控制层,固定生长面为(211)B极性面,控制生长温度在300℃±5℃生长了10μm厚...
李艳辉杨春章谭英赵俊李东升
基于石墨烯/p-GaN/AlGaN异质结的透明双波段、可变工作模式的紫外探测器
基于石墨烯/p‑GaN/AlGaN异质结的透明双波段、可变工作模式的紫外探测器及其制备方法,涉及光电技术领域。探测器是基于p‑GaN/AlGaN晶体的台面结构,台面下部,在n<Sup>+</Sup>‑AlGaN材料表面的...
吴刚唐利斌邓功荣郝群才玉华袁绶章黄善杰王静宇魏红谭英孔金丞
Ⅲ-Ⅴ族低维结构红外焦平面探测器研究进展
以量子阱红外探测器和二类超晶格红外探测器为代表的Ⅲ-Ⅴ族低维结构红外探测器具有均匀性好、吸收可调谐、能带结构优化、成本适中等优点而成为新一代红外焦平面发展的重点方向.昆明物理研究所一直积极发展Ⅲ-Ⅴ族低维结构红外探测器,...
李东升周旭昌木迎春王博谭英
共2页<12>
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