许冰
- 作品数：12 被引量：41H指数：4
- 供职机构：西北工业大学材料学院更多>>
- 发文基金：西北工业大学基础研究基金中国航空科学基金国家教育部博士点基金更多>>
- 相关领域：电子电信理学一般工业技术更多>>
- 四方晶相HfO_2电子结构和弹性常数的第一性原理计算被引量：5
- 2009年
- 通过基于密度泛函理论(DFT)框架下局域密度近似(LDA)平面波超软赝势法,计算了四方晶相HfO2基态的电子结构和弹性系数矩阵。根据晶体场理论和分子轨道理论分析了四方晶相HfO2的分子轨道成键,其结果与计算得到的态密度图能很好吻合。计算得到四方晶相HfO2的弹性系数C11、C12、C13、C33、C44和C66分别为397.38、256.23、114.92、390.665、2.70和168.90GPa,体积模量为234.73(±5.51)GPa,在[100]和[001]方向上的杨氏模量分别为227.51 GPa和350.26 GPa。计算结果与其他文献值基本相符,这为四方晶相HfO2的实际应用提供了理论依据。
- 刘其军刘正堂冯丽萍许冰
- 关键词：电子结构第一性原理
- 四方晶相HfO_2电子结构和光学性质研究被引量：2
- 2008年
- 采用密度泛函理论(DFT)框架下的局域密度近似(LDA),计算了四方HfO2晶体的电子结构,包括能带结构和态密度。在此基础上计算了四方HfO2晶体的光学线性响应函数,包括复介电函数、吸收光谱、复折射率和光电导谱。通过比较发现,计算结果与实验结果吻合较好,说明采用密度泛函理论的局域密度近似来计算HfO2材料的光学性质是比较可靠的。
- 许冰刘正堂冯丽萍
- 关键词：电子结构光学性质赝势
- LTCCs用低温烧结(Zn，Mg)TiO_3介电陶瓷被引量：4
- 2007年
- 通过化学法结合固相烧结技术制备了(Zn,Mg)TiO_3(简称ZMT)陶瓷,掺杂V_2O_5降低陶瓷的烧结温度,研究了V_2O_5掺杂ZMT陶瓷的低温烧结行为、相转变以及介电性能。结果表明:化学法结合V_2O_5掺杂有效地将钛酸锌陶瓷烧结温度从1200～1300℃降至900℃以下;Mg的加入增强了六方相的热稳定性,扩展了六方相的稳定区间。V_2O_5掺杂ZMT陶瓷具有良好的介电性能,875℃烧结的ZMT陶瓷介电常数ε_r=22,介电损耗tanδ=5.7×10^(-4),是制备LTCCs(低温共烧陶瓷电容器)的优秀候选材料,具有很好的应用前景。
- 刘向春高峰许冰赵鸣田长生
- 关键词：相结构
- 立方晶相HfO_2电子结构与光学性质的第一性原理计算被引量：9
- 2008年
- 利用密度泛函理论框架下的第一性原理平面波超软赝势方法计算了立方晶相二氧化铪(c-HfO2)的电子结构,得到了c-HfO2的总态密度、分波态密度和能带结构。经带隙校正后,计算了c-HfO2的光学线性响应函数随光子能量的变化关系,包括复介电函数、反射率、复折射率以及光学吸收系数,并从理论上给出了c-HfO2材料光学性质与电子结构的关系。经比较发现,对c-HfO2的电子结构和光学性质的计算结果与已有的实验数据和其它理论研究吻合得较好,从而为c-HfO2光电材料的设计与应用提供了理论依据。同时,计算结果也表明采用密度泛函理论的广义梯度近似来计算和预测c-HfO材料的电子结构和光学性质是比较可靠的。
- 冯丽萍刘正堂许冰
- 关键词：光学性质电子结构第一性原理
- Si掺杂立方HfO_2的电子结构和光学性质的第一性原理计算被引量：1
- 2010年
- 采用基于密度泛函理论(DFT)框架下广义梯度近似平面波超软赝势法,计算了Si掺杂立方HfO2的电子结构及光学性质。计算结果表明,掺杂后立方HfO2的电子结构发生了变化,费米面进入了杂质带,同时由态密度图可知掺杂能级的形成主要是Si的3p轨道的贡献。经带隙校正后,计算了Si掺杂立方HfO2的光学线性响应函数随光子能量的变化关系,包括吸收光谱、复介电函数、复折射率、反射光谱、损失函数及复光电导谱。结果表明,由于掺杂能级的出现,导致了立方HfO2吸收带边的红移。
- 刘其军刘正堂冯丽萍许冰
- 关键词：电子结构光学性质第一性原理
- 闪锌矿型CdTe电子结构和光学性质的第一性原理被引量：14
- 2009年
- 采用基于密度泛函理论(DFT)框架下广义梯度近似平面波超软赝势法,计算了闪锌矿型CdTe的能带结构、态密度和光学性质.计算表明,闪锌矿型CdTe为直接带隙半导体,禁带宽度为0.671eV.计算并分析了闪锌矿型CdTe的复折射率、复介电函数、吸收系数、光电导率、损失函数和反射率,其折射率为2.69,静态介电常数为7.23.计算结果与其他文献结果吻合较好,为闪锌矿型CdTe的应用提供了理论依据.
- 刘其军刘正堂冯丽萍许冰
- 关键词：态密度光学性质第一性原理
- 高K栅介质HfSi_xO_y薄膜的制备工艺与结构分析被引量：2
- 2009年
- 采用射频磁控溅射法制备HfSixOy薄膜,系统研究工艺参数对HfSixOy薄膜沉积速率的影响规律。对沉积态和退火HfO2和HfSixOy薄膜的结构进行了对比分析。结果表明:HfSixOy薄膜的沉积速率随射频功率、Ar气体流量和粘贴Si面积的增大而增大,随溅射气压的增大而减小。衬底未加热时,制备的HfSixOy和HfO2薄膜均呈非晶态,随着衬底加热温度的上升,HfO2薄膜呈多晶态,而HfSixOy薄膜呈非晶态。HfSixOy薄膜在800℃退火后仍呈非晶态,而HfO2薄膜在400℃退火后已明显晶化,这表明HfSixOy薄膜具有较高的热稳定性。
- 沈雅明刘正堂冯丽萍刘璐许冰
- 关键词：高K栅介质射频磁控反应溅射沉积速率
- 纤锌矿型氧化锌电子结构的第一性原理计算被引量：4
- 2009年
- 采用基于密度泛函理论(DFT)框架下局域密度近似平面波超软赝势法,计算了纤锌矿型ZnO的能带结构、态密度和复介电常数,计算结果与其他文献结果吻合较好,并从理论上分析了它们之间的关系。结果表明,纤锌矿型ZnO在(100)和(001)方向上具有光学各向异性,为纤锌矿型ZnO的应用提供了理论依据。
- 刘其军刘正堂冯丽萍许冰
- 关键词：态密度复介电常数第一性原理
- 锐钛矿型TiO_2的第一性原理研究被引量：5
- 2010年
- 采用基于密度泛函理论(DFT)框架下广义梯度近似平面波超软赝势法,计算了锐钛矿型TiO2的能带结构、态密度和光学性质。分析了锐钛矿型TiO2的复介电常数、复折射率、吸收系数、反射率和损失函数,计算结果与其他文献结果吻合较好。通过对比发现,由于锐钛矿型TiO2晶体结构的对称性,在(100)和(001)方向上具有明显的光学各向异性。
- 刘其军刘正堂冯丽萍许冰
- 关键词：态密度光学性质第一性原理
- 四方晶相HfO_2在(100)和(001)方向上光学特性的理论计算
- 2009年
- 文章采用基于密度泛函理论(DFT)框架下广义梯度近似平面波超软赝势法,计算了四方晶相HfO2的电子结构。经带隙校正后,计算了四方晶相HfO2在(100)和(001)方向上的光学线性响应函数随光子能量的变化关系,包括复介电函数、复折射率、吸收光谱以及反射光谱。计算结果表明四方晶相HfO2在(100)和(001)方向上具有明显的光学各向异性,并且具有从紫外到红外的透明区域。文中计算结果与其它文献报道的计算结果及实验值都吻合较好,由此说明采用密度泛函理论的广义梯度近似来计算HfO2材料的光学特性是可信的。
- 刘其军刘正堂冯丽萍许冰
- 关键词：电子结构光学特性
