裴为华
- 作品数：152 被引量：95H指数：5
- 供职机构：中国科学院半导体研究所更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家高技术研究发展计划中国科学院战略性先导科技专项更多>>
- 相关领域：电子电信自动化与计算机技术医药卫生理学更多>>
- 阵列化图形细胞的电调控方法
- 一种阵列化图形细胞的电调控方法，包括如下步骤：取一衬底；在衬底上制备电极阵列，该电极阵列包括接点和与之连接的连线；在衬底的表面和电极阵列的连线上制备绝缘层，形成一基底；在基底的上表面进行化学修饰，使基底上的电极阵列的表面...
- 王娟裴为华郭凯陈弘达
- 制作基于微针阵列皮肤干电极的方法
- 一种制作基于微针阵列皮肤干电极的方法，该方法包括如下步骤：A、选择一硅片；B、将硅片的两面热氧化一层二氧化硅层；C、对硅片在X方向和Y方向分别形成周期性的一预定深度的垂直的划槽，形成二维方柱阵列；D、用硅的各向同性腐蚀液...
- 裴为华陈远方归强陈弘达
- 文献传递
- 角膜接触镜式眼压监测传感器
- 2016年
- 眼压监测对于了解眼睛健康状况、预防和治疗青光眼等疾病具有重要意义。传统的眼压监测需要在医院进行,不仅医生与患者费时费力,而且难以实现24小时连续监测。将眼压监测装置微型化,以角膜接触镜的形式佩戴,可以很好地解决这个问题。本文利用眼压变化与角膜曲率变化的相关性,采用惠斯通电桥的原理设计了一种电阻式应变计,通过测量应变计对角膜直径变化的响应电压,实现对眼压的监测。应变计的制备采用微加工技术制备,通过注模成型技术封装在与角膜接触镜尺寸相同的聚二甲基硅氧烷(PDMS)中。初步实验结果表明,所制备的传感器灵敏度为100.7μV/μm。理想状态下,当传感器紧密贴附于角膜表面并随着其曲率变化而同步变化时,其监测眼压的灵敏度为125.8μV/mm Hg。
- 郭旭宏裴为华姚兆林陈远方胡晓辉陈弘达朱静远吴慧娟
- 关键词：隐形眼镜眼压微机电系统应变计
- 现代微光电子封装中的倒装焊技术
- 结合我们设计制作的倒装焊光电子器件-智能像素面阵,对倒装焊的工艺过程作了简要的介绍.该面阵采用铟做凸点材料,制作了输入输出数达64×64的凸点电极阵列,并采用回流焊的方式,将光电调制器面阵与对应的处理电路芯片对准后加热回...
- 裴为华邓晖陈弘达
- 关键词：光电子集成倒装焊凸点电子封装
- 文献传递
- 基于有机晶体管的植入式柔性传感器及制备方法
- 一种基于有机晶体管的植入式柔性传感器，包括：一衬底支撑层；一左金属源电极，该左金属源电极制作在该衬底支撑层表面中间的一侧；一右金属漏电极，该右金属漏电极制作在该衬底支撑层表面中间的另一侧，与金属源电极相隔一预定距离；一绝...
- 裴为华陈远方归强陈弘达
- 文献传递
- 基于CMOS工艺的抗光噪声神经微电极被引量：2
- 2018年
- 为了减小神经电极的宽度,提高电极在光照下的抗噪声干扰能力,提出了一种基于0.18μm CMOS工艺的抗光噪声神经微电极。采用CMOS的多层布线代替传统电极导线的单层排布,并将电极衬底接地以有效减小光噪声。阐述了基于CMOS工艺的神经电极结构设计、制备过程与结构表征,并对所制备的神经电极进行了电化学阻抗测试和光噪声测试。该神经电极宽度仅为70μm,实验证明:1kHz频率下电极的阻抗一致性好,且在1mW/mm2的光遗传常用光辐照下,该电极的噪声电压仅为0.07~0.08mV,远低于传统硅电极12~13mV的噪声幅值。结果表明,基于CMOS工艺的神经电极抗光噪声能力远优于传统硅电极,对硅基微电极在光遗传中的应用具有重要意义。
- 王飞张雪莲张雪莲陈弘达
- 关键词：CMOS工艺
- 纳米刻蚀印章及利用其进行纳米刻蚀的方法
- 本发明提供了一种纳米刻蚀印章。该纳米刻蚀印章包括：印章体，其底面具有待加工纳米图形的反相图形；保护层，至少形成于印章体与腐蚀液接触部分的表面，其材料为抗腐蚀液的材料；以及金属催化层，至少形成于反相图形与待刻蚀衬底接触部分...
- 裴为华陈三元归强陈弘达
- 文献传递
- 取向碳纳米管自粘附干电极及其制备工艺
- 本发明公开了一种取向碳纳米管自粘附干电极及其制备工艺。所述干电极包括取向碳纳米管自粘附层、柔性支撑层、双层柔性导电薄膜及导线。本发明采用了电化学和微机械加工的方式制备干电极，此种干电极具备粘附性和柔性，且质量超轻，不足2...
- 裴为华邢潇孙雪梅刘智多陈弘达
- 文献传递
- 并行光收发模块与光互连
- 本文以GaAs基VCSEL列阵为光源成功研制出12路并行光发射模块,总速率达到了37.5Gbps;以GaAs基12路PIN探测器列阵为接收单元研制出响应速率达30Gbps的12路并行光接收模块;采用并行光收发模块研制出并...
- 陈雄斌唐君周毅裴为华刘博陈弘达
- 关键词：垂直腔面发射激光器并行光传输光互联探测器
- 文献传递
- 制备硅基微电极的方法
- 本发明提供了一种制备硅基微电极的方法。该方法利用贵金属纳米颗粒在硅片表面催化腐蚀形成纳米孔洞阵列；在该纳米孔洞阵列上制备下绝缘层、导电层和上绝缘层，进而形成带有纳米孔洞阵列的微记录点。本发明制备硅基微电极的方法减少了工艺...
- 裴为华陈三元归强陈弘达
- 文献传递
