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范楚亮

作品数:3 被引量:4H指数:1
供职机构:西南交通大学信息科学与技术学院更多>>
发文基金:国家自然科学基金中央高校基本科研业务费专项资金更多>>
相关领域:电子电信更多>>

文献类型

  • 2篇期刊文章
  • 1篇学位论文

领域

  • 3篇电子电信

主题

  • 3篇带隙基准
  • 2篇带隙基准电压
  • 2篇带隙基准电压...
  • 2篇电阻
  • 2篇基准电压
  • 2篇基准电压源
  • 2篇差分对
  • 1篇带隙基准源
  • 1篇低电流
  • 1篇电流
  • 1篇电流镜
  • 1篇电源抑制
  • 1篇电源抑制比
  • 1篇抑制比
  • 1篇栅电流
  • 1篇温度系数
  • 1篇线性化
  • 1篇基准源
  • 1篇共源共栅
  • 1篇共源共栅电流...

机构

  • 3篇西南交通大学
  • 2篇西南民族大学

作者

  • 3篇范楚亮
  • 2篇陈向东
  • 1篇张静
  • 1篇张传武

传媒

  • 1篇微型机与应用
  • 1篇电子元件与材...

年份

  • 2篇2014
  • 1篇2013
3 条 记 录,以下是 1-3
排序方式:
高精度无电阻带隙基准电压源的分析与设计
带隙基准(BGR—bandgap reference)电源是一种对于工作温度不敏感的精准参考电源。将具有负温度系数的三极管基-射极电压VBE与具有正温度系数的热电压VT以适当权重叠加,就能得到零温度系数的电压输出。传统带...
范楚亮
文献传递
一种二阶温度补偿的CMOS带隙基准电路被引量:1
2013年
提出了一种可用于标准CMOS工艺下且具有二阶温度补偿电路的带隙基准源。所采用的PTAT2电流电路是利用了饱和区MOSFET的电流特性产生的,具有完全可以与标准CMOS工艺兼容的优点。针对在该工艺和电源电压下传统的启动电路难以启动的问题,引入了一个电阻,使其可以正常启动。基准核心电路中的共源共栅结构和串联BJT管有效地提高了电源抑制比,降低了温度系数。基于TSMC 0.35μm CMOS工艺运用HSPICE软件进行了仿真验证。仿真结果表明,在3.3V供电电压下,输出基准电压为1.2254V,温度系数为2.91×10-6V/℃,低频的电源抑制比高达96dB,启动时间为7μs。
张静张传武陈向东范楚亮
关键词:CMOS带隙基准源温度系数电源抑制比
低电流比例失调的无电阻带隙基准电压源被引量:2
2014年
提出了一种改善电流比例失调的无电阻带隙基准电压源。该电路将传统源耦差分对结构的电压转换器改进为共源共栅结构电流镜,并引入了一对额外的电流镜来钳制漂移,显著改善由沟道长度调制效应所引起的电流镜失调,同时减小了电流比例系数的温度漂移。设计了自偏置电路、启动电路以及简单二阶补偿电路,采用0.5μm BCD工艺仿真,在5 V工作电压下,输出电压有效温度系数为19.8×10–6/(℃–45^+125℃),低频电源抑制比PSRR为–50dB,工作电压在4.0~6.5 V变化时,输出电压变化小于17 mV,电路总功耗约300μW。
范楚亮陈向东黄炎炎叶福川
关键词:共源共栅电流镜
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