苏祥林
- 作品数：6 被引量：20H指数：2
- 供职机构：西安电子科技大学更多>>
- 发文基金：电子元器件可靠性物理及其应用技术国家级重点实验室基金更多>>
- 相关领域：电子电信理学更多>>
- 氟化非晶碳薄膜结构与热稳定性研究被引量：1
- 2006年
- 在室温下以C4F8和CH4为前驱气体，用电子回旋共振化学气相沉积（ECR-CVD）的方法生长了氟化非晶碳（α-C：F）薄膜。通过傅立叶变化红外光谱分析（FTIR）和X射线光电子能谱分析（XPS）对薄膜的化学结构和成键情况进行了研究。CFx（x=2～3）以及位于DC交联结构末端用于构成CxFy大分子结构的C-C键的热稳定性较差，在N2气氛下退火后，会以气态形式进行分解，导致α-C：F薄膜膜厚的减小。随着源气体流量比R=[C4F8]／（[C4F8]＋[CH4]）的减小．α-C：F薄膜中C-CFx交联结构逐渐增多，CFx（x=2～3）基团及构成CxFy大分子结构的C-C键逐渐减少，薄膜的热稳定性得到著提高。α-C：F薄膜在退火后，由于取向极化的增大和电子极化的减小，以及薄膜密度的增加使得α-C：F薄膜的介电常数有所增加。
- 蒋昱吴振宇苏祥林汪家友杨银堂
- 关键词：低K材料热稳定性
- 氟化非晶碳薄膜(a-C:F)的制备与表征被引量：2
- 2006年
- 以C4F8和CH4为源气体,采用电子回旋共振等离子体化学汽相沉积(ECR-CVD)方法,在不同气体混合比条件下沉积了非晶氟化碳(a-C:F)薄膜低k层间介质。实验中薄膜的沉积速率可达220nm／min, 测得的介电常数为2．14-2．58。X光电子能谱表明,随着甲烷含量增大,薄膜中CF3,CF2结构含量减少而 CF和C*-CFx(x=1-3)交联结构增多:原子力显微镜表明,在采用C4F8为前驱气体时,高分子基团CxFy 在成膜时造成了粗糙不平、多孔渗水的薄膜表面形貌。结果表明,CF基因成分增加而CF2基团成分减小导致了薄膜电子极化增强,介电常数增大。
- 苏祥林吴振宇蒋昱汪家友杨银堂
- 关键词：电子回旋共振X光电子能谱低介电常数
- 低k层间介质研究进展被引量：10
- 2005年
- 介绍了低k介质材料的研究和发展状况,从制备方法和材料特性等不同角度对低k材料进行分类,并结合ULSI对低k材料的要求讨论了低k材料在ULSI中的应用前景。
- 苏祥林吴振宇汪家友杨银堂
- 关键词：低K介质互连超大规模集成电路
- 用ECRC-VD方法制备非晶氟化碳薄膜
- 2005年
- 以C4F8为源气体,Ar为稀释气体,用电子回旋共振化学汽相淀积的方法制作了非晶氟化碳薄膜;使用XPS和FTIR分析薄膜的化学组分和成键类型;研究了微波功率对于沉积速率和薄膜光学性质的影响。沉积速率随Ar在混合气体中比例的增大先增大后降低,随微波功率的增加而增加,并最终趋于饱和值。沉积的薄膜介电常数约为2.0,在可见光区薄膜具有良好的透光性。在较高的微波功率条件下,沉积薄膜的光学带隙减小。
- 蒋昱吴振宇苏祥林杨银堂
- 关键词：电子回旋共振
- BST材料在DRAM电容中的应用研究被引量：7
- 2005年
- 钛酸锶钡(BST)高介电常数材料被普遍认为是最有前途的DRAM电容介质材料。BST作为DRAM电容介质材料的研究已有多年,到目前为止取得了不少突破性的进展。介绍了BST的材料特性和堆积型电容结构电极、埋层材料的设计考虑,探讨了BST膜的制备、掺杂及刻蚀工艺技术。
- 肖斌汪家友苏祥林杨银堂
- 关键词：钛酸锶钡动态随机存储器介质材料
- 低k氟化非晶碳材料结构与介电性质研究
- 本文采用ECR—CVD方法，以C4F8和CH4为源气体，在不同工艺条件下制备了氟化非晶碳(a-C：F)薄膜。薄膜沉积速率随气体流量比变化的关系表明了薄膜生长与表面刻蚀是一个竞争的过程。FTIR分析表明，a-CF薄膜中存在...
- 苏祥林
- 关键词：介电性质
- 文献传递
