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胡美娇

作品数：3 被引量：2H指数：1
供职机构：厦门大学物理与机电工程学院半导体光子学研究中心更多>>
发文基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划更多>>
相关领域：理学一般工业技术电气工程电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 1篇期刊文章
  • 1篇学位论文
  • 1篇会议论文

领域

  • 1篇电子电信
  • 1篇电气工程
  • 1篇一般工业技术
  • 1篇理学

主题

  • 2篇退火
  • 2篇超薄
  • 1篇电路
  • 1篇电学
  • 1篇电学特性
  • 1篇退火处理
  • 1篇结构特征
  • 1篇晶格
  • 1篇晶格结构
  • 1篇绝缘
  • 1篇绝缘体
  • 1篇集成电路
  • 1篇光谱
  • 1篇光致
  • 1篇光致发光
  • 1篇光致发光谱
  • 1篇发光
  • 1篇锗
  • 1篇GEOI

机构

  • 3篇厦门大学

作者

  • 3篇胡美娇
  • 2篇李成
  • 2篇陈松岩
  • 2篇徐剑芳
  • 2篇赖虹凯
  • 1篇蔡坤煌
  • 1篇张永
  • 1篇黄巍

传媒

  • 1篇物理学报

年份

  • 3篇2011
共 3 条 记 录，以下是 1-3
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排序方式：
循环氧化／退火制备GeOI薄膜材料及其性质研究被引量：2
2011年
采用超高真空化学气相淀积系统在SOI(绝缘体上硅)衬底上生长了Si0.82Ge0.18外延层,通过循环氧化/退火工艺,制备出Ge组分从0.24到1的绝缘体上锗硅(SGOI)材料.采用高分辨透射电镜、拉曼散射光谱和光致发光谱表征了其结构及光学性质,对氧化过程中SiGe层中的Ge组分和应变的演变进行了分析.最后制备出11nm厚的绝缘体上Ge材料(GeOI),具有完整的晶格结构和平整的界面.室温下观测到绝缘体上Ge直接带跃迁光致发光,发光峰值位于1540nm,发光强度随激发功率线性变化.结果表明用循环氧化/退火方法制备的GeOI材料具有高的结晶质量,可用于Ge光电子和微电子器件.
胡美娇李成徐剑芳赖虹凯陈松岩
关键词：GEOI退火光致发光谱
超薄SGOI(GOI)材料制备及其性质
基于氧化SOI基SiGe过程中硅被选择性氧化，而锗被排斥浓缩在氧化层之间，制备出不同组份SGOI和超薄GOI材料，优化设计了氧化和退火过程，对锗浓缩法形成的SGOI(GOI)材料结构、锗组份、应变、表面形貌等参数演化进行...
李成胡美娇卢卫芳蔡坤煌张永徐剑芳黄巍赖虹凯陈松岩
关键词：集成电路退火处理结构特征
超薄绝缘体上锗(GOI)材料制备及其性质研究
GOI(Germanium-on-Insulator，GOI)材料兼具Ge材料和SOI材料的双重优点，成为极具应用前景的新型衬底材料。采用高质量的GOI材料作为衬底材料制作MOSFETs器件，可以显著提高器件中沟道电子和...
胡美娇
关键词：晶格结构电学特性
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