胡浴红
- 作品数：13 被引量：34H指数：3
- 供职机构：西安微电子技术研究所更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信航空宇航科学技术更多>>
- 注F场氧介质总剂量辐照的研究被引量：3
- 1997年
- 分析研究了注F场氧MOSFET的辐射响应特性，结果表明，由于F离子具有负电中心、替换部分弱键和应力健等的作用，导致含F场氧介质具有很强的抑制电离辐射损伤的特性。场氧厚度与辐射损伤直接相关连，而沟道宽度对辐射损伤的影响不大。
- 张国强余学锋郭旗任迪远严荣良赵元富胡浴红
- 关键词：MOS器件MOSFET总剂量辐照
- 注F CC4007电路的电离辐射效应被引量：7
- 1996年
- 本文分析研究了用注Ｆ工艺制作的ＣＣ４００７电路Ｃｏ６０γ辐照响应结果．实验表明、把适量的Ｆ引入栅介质，能明显减少辐射感生氧化物电荷积累和界面态的增长，从而引起较小的阈电压漂移和Ｎ沟静态漏电流的增长．器件导电类型和辐照栅偏压不改变注Ｆ栅介质的抗辐照特性．注Ｆ栅介质辐照敏感性的降低可归结为Ｆ能减小Ｓｉ／ＳｉＯ２界面应力、并部分替换在辐照场中易成为电荷陷阱的应力键和弱健等的缘故．
- 张国强严荣良罗来会余学峰任迪远赵元富胡浴红
- 关键词：电离辐射效应
- 不同注F剂量与CMOS运放电路辐照损伤的相关性被引量：2
- 2003年
- 在不同注 F剂量条件下 ,对 P沟和 N沟两种不同差分对输入 CMOS运放电路的电离辐照响应进行了研究 .分析比较了注 F和未注 F运放电路电离辐照响应之间的差异 .结果表明 ,在栅场介质注入适量的 F,可有效抑制辐照感生的氧化物电荷尤其是界面态的增长 ,从而提高 CMOS运放电路的抗辐照特性 .
- 任迪远陆妩余学锋郭旗张国强胡浴红王明刚赵文魁
- 关键词：CMOS运算放大器电离辐照跨导
- 掺HCl PMOSFET的电离辐射总剂量效应被引量：3
- 1995年
- 用亚阈技术分析研究了干氧栅氧化期间通入ＨＣｌ所制作的ＰＭＯＳＦＥＴ的６０Ｃｏ辐照响应。结果表明，栅介质中掺入少量ＨＣｌ能抑制辐射感生阈电压漂移和界面态增长；固定ＨＣｌ流量为１５ｍｌ／ｍｉｎ时的最优通入时间范围为１０－１５０ｓ，过量的ＨＣｌ掺入，其抑制辐射损伤的能力减弱或消失。用ＨＣｌ在栅介质中的作用是正负效应的综合，解释了实验结果。
- 张国强严荣良余学锋高剑侠罗来会任迪远赵元富胡浴红王英明
- 关键词：PMOSFET电离辐射总剂量HCI
- 两种不同工艺CMOS运算放大器的电离辐照响应特性
- 2000年
- 研究了干氧和氢氧合成两种不同工艺 CMOS运算放大器电路的电离辐照响应特征和变化规律。结果显示 ,虽然对单管特性而言 ,干氧工艺具有较强的抑制辐射感生氧化物电荷和界面态增长的能力 ,但由于在辐照过程中氧化物电荷的形成改变了电路的对称性 ,因而对电路造成比氢氧合成工艺更大的损伤。表明 ,适当的界面态的引入 ,有利于增加负载电流镜的饱和工作范围 ,从而降低电路的辐射敏感性。
- 陆妩郭旗任迪远张国强余学锋严荣良胡浴红王明刚赵元富
- 关键词：CMOS运算放大器
- 电离辐射对CMOS运算放大器恒流偏置电路的影响被引量：1
- 2000年
- 介绍了确定 CMOS运算放大器各级工作点的恒流源偏置电路随辐照总剂量变化的响应特征及其辐照敏感性对运放整体性能参数的影响规律。结果表明 ,恒流源特性的衰降对电参数的变化有一定的影响 。
- 陆妩郭旗任迪远余学锋张国强范隆严荣良赵元富胡浴红王明刚
- 关键词：运算放大器CMOS电离辐射
- 抗高能单粒子辐射加固的LC6508电路的研制被引量：1
- 1996年
- 本文介绍抗单粒子辐射加固的１ＫＣＭＯＳＳＲＡＭＬＣ６５０８电路，对该电路进行了单粒子辐射试验，并就试验结果进行了讨论。
- 黄胜明宋钦岐王明刚赵元富胡浴红
- 栅氧化方式对N沟输入CMOS运算放大器电离辐射效应的影响被引量：1
- 2001年
- 介绍了干氧和氢氧合成两种不同栅氧化方式下制作的 N沟输入 CMOS运算放大器电路的电离辐照响应特征 .并通过对电路内部单管特性损伤分析的比较 ,探讨了引起两者辐照敏感性差异的原因 .结果显示 ,氢氧合成工艺比干氧工艺损伤明显的原因 ,是因为 H的引入产生了更多的界面态 ,从而使其单管的跨导明显下降所致 .这表明 ,抑制辐照感生氧化物电荷尤其是界面态的增长 ,对提高电路的抗辐射特性至关重要 .
- 陆妩郭旗任迪远余学锋张国强严荣良王明刚胡浴红赵文魁
- 关键词：电离辐射效应
- 不同结构CMOS运算放大器电路的电离辐射效应被引量：1
- 2000年
- 介绍了在相同工艺条件下 ,N沟和 P沟输入两种不同结构 CMOS运算放大器电路的电离辐照响应规律及各子电路对电特性的影响情况 .结果表明 :由辐照感生的氧化物电荷引起的N沟镜像负载的不对称是导致 P沟输入运放电特性衰降的主要机制 ;而由氧化物电荷和界面态引起的 N沟差分对的漏电增大则是造成
- 任迪远陆妩郭旗余学锋严荣良胡浴红王明刚赵元富
- 关键词：CMOS运算放大器电离辐射效应
- BF_2^+注入加固硅栅PMOSFET的研究被引量：9
- 1999年
- 系统地研究了ＢＦ＋２ 注入硅栅Ｐｃｈａｎｎｅｌ ｍｅｔａｌｏｘｉｄｅｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ ｆｉｅｌｄｅｆｆｅｃｔ ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ（ＰＭＯＳＦＥＴ） 阈值电压漂移与γ辐照总剂量之间的关系，深入地探讨了ＢＦ＋２ 注入抗γ辐射加固的机理．结果表明，ＢＦ＋２ 注入对硅栅Ｐｃｈａｎｎｅｌ ｍｅｔａｌｏｘｉｄｅｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ（ＰＭＯＳ） 在γ辐照下引起的阈值电压漂移具有很强的抑制作用，ＢＦ＋２ 注入加固硅栅ＰＭＯＳ 的最佳注入剂量范围为５ ×１０１４ —２ ×１０１５ ｃｍ － ２ ，分布在ＳｉＯ２／Ｓｉ 界面的Ｆ 原子抑制了γ辐照下在ＳｉＯ２／Ｓｉ 界面产生的氧化物陷阱电荷和界面陷阱电荷可能是ＢＦ＋２ 注入加固硅栅ＰＭＯＳＦＥＴ
- 张廷庆刘家璐李建军王剑屏张正选徐娜军赵元富胡浴红
- 关键词：PMOSFETMOS器件离子注入硅栅
