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胡成余

作品数：14 被引量：9H指数：2
供职机构：北京大学更多>>
发文基金：国家高技术研究发展计划国家自然科学基金北京市科技计划项目更多>>
相关领域：电子电信理学一般工业技术更多>>

合作作者

文献类型

  • 7篇期刊文章
  • 4篇专利
  • 2篇会议论文
  • 1篇学位论文

领域

  • 7篇电子电信
  • 3篇理学
  • 1篇一般工业技术

主题

  • 6篇电阻
  • 6篇欧姆接触
  • 5篇激光
  • 4篇刻蚀
  • 4篇比接触电阻
  • 4篇P-GAN
  • 3篇氮化镓
  • 3篇激光剥离
  • 2篇电极
  • 2篇电学性能
  • 2篇钝化层
  • 2篇氧化层
  • 2篇散射
  • 2篇湿法
  • 2篇湿法处理
  • 2篇湿法腐蚀
  • 2篇离子刻蚀
  • 2篇接触电阻
  • 2篇接触电阻率
  • 2篇激光器

机构

  • 14篇北京大学

作者

  • 14篇胡成余
  • 12篇张国义
  • 8篇胡晓东
  • 6篇秦志新
  • 6篇陈志忠
  • 5篇杨志坚
  • 5篇王彦杰
  • 4篇陈伟华
  • 3篇章蓓
  • 3篇王琦
  • 3篇杨华
  • 2篇徐科
  • 2篇代涛
  • 2篇潘尧波
  • 2篇李睿
  • 2篇于彤军
  • 2篇姚淑德
  • 2篇包魁
  • 2篇林红斌
  • 1篇罗浩俊

传媒

  • 3篇Journa...
  • 3篇发光学报
  • 2篇第十三届全国...
  • 1篇材料研究学报

年份

  • 2篇2010
  • 1篇2009
  • 1篇2008
  • 1篇2007
  • 3篇2006
  • 3篇2005
  • 3篇2004
共 14 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
一种制备氮化镓基半导体激光器的P型电极的方法
本发明提供了一种制备氮化镓基半导体激光器P型电极的方法，属于半导体激光器器件制备技术领域。该方法包括：在完成整个氮化镓基半导体激光器结构刻蚀后，P型和N型电极蒸镀前，将氮化镓基半导体激光器放入酸溶液中进行表面预处理；优化...
李睿胡晓东徐科代涛陈伟华胡成余包魁王彦杰张国义
文献传递
TiAl_3和Ti/TiAl_3非合金化电极n型GaN欧姆接触的实现被引量：1
2005年
在不进行合金化的情况下,首次直接采用TiAl3合金材料作为金属接触电极。在蓝宝石衬底上生长的n型载流子浓度为2×1018cm-3的GaN上,成功地得到低接触电阻的欧姆接触,并由环形传输线模型方法测得比接触电阻率为3×10-5Ω·cm2。与通常n型欧姆接触采用的Ti/Al双层结构比较,TiAl3合金结构更容易形成非合金化的n型欧姆接触。在此实验基础上,进一步分析了N空位和界面层处的TiAl3在形成非合金化或低温退火欧姆接触中发挥的作用,由此设计的Ti/TiAl3/Ni/Au接触结构,在TiAl3合金结构基础上明显地降低了接触电阻率。
明帆林红斌胡成余秦志新陈志忠张国义
关键词：欧姆接触TIAL3反应离子刻蚀比接触电阻率
一种p型氮化镓的表面处理方法
本发明提供一种p型氮化镓的表面处理方法，属于光电技术领域。该方法包括：将清洗干净的p型氮化镓样品放入反应离子刻蚀机反应室内；对反应室抽真空，至气压小于8.0×10<Sup>-5</Sup>托后，用氟等离子体对样品表面处理...
王彦杰胡晓东胡成余张国义
文献传递
AlGaN/GaN材料体系欧姆接触和输运特性及LLO-LED的研究
GaN及其三元化合物在制备高亮度蓝光、绿光和白光LED，短波长激光器，紫外光探测器和高温电子器件等方面有着广泛的应用与深刻的物理意义，开创了第三代半导体材料与器件研究的新领域。但是，p-GaN的欧姆接触，n-GaN欧姆接...
胡成余
关键词：欧姆接触屏蔽效应激光剥离半导体二极管
文献传递
空气和氧气气氛下p-GaN/Ni/Au合金性质被引量：2
2004年
研究了p GaN上的Au/Ni双金属层在空气气氛和氧气气氛下合金对其欧姆接触性质的影响。使用同步辐射高强度X射线衍射观察到明显的NiO衍射峰。随着合金时间的增加,NiO和Au的结晶性均明显变好,NiO的衍射峰强度随合金时间的增加而增强,同时发现Au(111)沿GaN的(0001)面择优形成单晶。测得Ni/Au p GaN Ni/Au串联电阻在合金后明显降低,表明接触性质改善与结晶性的提高有关。同时发现氧气下合金比空气下合金形成NiO更快,相应的串联电阻也更快地下降。
杨华秦志新陈志忠胡成余胡晓东于彤军杨志坚张国义
关键词：氮化镓欧姆接触
GaN/AlGaN超晶格透射电镜分析
2005年
用MOCVD法生长了120周期的GaN/Al0.14Ga0.86N超晶格,激光剥离技术被有效地用于GaN/AlGaN超晶格截面透射电镜样品的制作.用透射电子显微镜观察到了清晰的超晶格及晶胞周期结构,电子衍射也表明生长的超晶格样品质量较好.在透射电镜图中看到了Al,Ga原子的聚居点,这些聚居点达到应力临界时将可能成为新缺陷的起点.同时观察到GaN缓冲层中的线缺陷大多呈现弯曲的弧形,这是外延生长导致的.
陈伟华胡晓东章蓓黎子兰潘尧波胡成余王琦陆羽陆敏杨志坚张国义
关键词：透射电镜激光剥离
一种p型氮化镓的表面处理方法
本发明提供一种p型氮化镓的表面处理方法，属于光电技术领域。该方法包括：将清洗干净的p型氮化镓样品放入反应离子刻蚀机反应室内；对反应室抽真空，至气压小于8.0×10<Sup>－5</Sup>托后，用氟等离子体对样品表面处理...
王彦杰胡晓东胡成余张国义
文献传递
退火对Mg离子注入p-GaN薄膜性能的影响
2006年
在用 MOCVD 方法生长的 p-GaN 薄膜中注入 Mg 离子,然后在 N_2气氛下在850～1150℃之间快速退火,研究了 Mg^+离子注入后样品退火前后的结构、光学和电学性质．结果表明,离子注入使 GaN 晶体沿着 a 轴和 c 轴方向同时膨胀．在离子注入后的 p-GaN 薄膜的拉曼散射谱中出现波数为300 cm^(-1)和360 cm^(-1)两个新峰,其强度随着退火温度而变化．这两个新峰分别对应于布里渊区边界的最高声学声子支的振动模式和局域振动模式．消除这两个损伤引起的峰的临界温度是不同的．注入剂量1×10^(14)cm^(-2)是一个临界值,对于注入剂量高于这个临界值的样品,高温退火不能使其晶体质量全部恢复．
罗浩俊胡成余姚淑德秦志新
关键词：无机非金属材料离子注入拉曼散射
TiAl<,3>和Ti/Ti Al<,3>非合金化电极n型GaN欧姆接触的实现
在不进行合金化的情况下,首次直接采用TiAl<,3>合金作为金属电极在n型载流子浓度为2×10<'18>cm<'-3>的GaN上成功得到了比接触电阻率为3×10<'-5>Ωcm<'2>的低接触电阻欧姆接触.与通常的Ti/...
明帆林红斌胡成余秦志新陈志忠张国义
关键词：欧姆接触反应离子刻蚀比接触电阻率
文献传递
氧化Au/Ni/p-GaN欧姆接触形成的机理被引量：1
2005年
用卢瑟福背散射(RBS)和同步辐射X射线衍射(XRD)研究了p-GaN上的Ni/Au电极在空气下不同温度合金后的微结构的演化,并揭示这种接触结构的欧姆接触形成机制.研究不同温度下比接触电阻(ρc)的变化,发现从450℃开始Au扩散到GaN的表面在p-GaN上形成外延结构以及O向电极内部扩散反应生成NiO对降低ρc起到了关键的作用.在500℃时,Au的外延结构进一步改善,O进一步向样品内部扩散生成NiO,ρc也达到了最低值.但当合金温度升高到600℃时,金属半导体界面NiO的大部分或全部向外扩散,从而脱离与pGaN的接触,使ρc显著升高.
胡成余秦志新冯振兴陈志忠杨华杨志坚于彤军胡晓东姚淑德张国义
关键词：比接触电阻卢瑟福背散射
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